公开(公告)号：CN108574003B

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN201810170688.6

申请日：2018-03-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金润载 ,  金东权 ,  金镐永 ,  刘真赫 ,  郑宇陈

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括从衬底凸出并在第一方向上延伸的鳍式有源区域、覆盖鳍式有源区域的上表面和侧壁并在交叉第一方向的第二方向上延伸的栅电极、在栅电极的彼此相反的侧壁上的栅极间隔物结构、在栅电极上并在第二方向上延伸的绝缘封盖层、在栅电极的彼此相反的侧壁上且在栅极间隔物结构的上表面上的绝缘衬垫、以及在栅电极的侧面的自对准接触。绝缘衬垫可以具有小于栅极间隔物结构的第一厚度的第二厚度。自对准接触的侧壁可以与栅极间隔物结构和绝缘衬垫接触。

公开(公告)号：CN107452797B

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN201710286361.0

申请日：2017-04-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金润载 ,  金哲 ,  孙龙勋 ,  刘真赫 ,  郑宇陈

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括具有有源图案的衬底、交叉有源图案的导电图案、在导电图案的至少一个侧表面上的间隔物结构、以及在导电图案上的封盖结构。封盖结构包括第一封盖图案和第二封盖图案。第二封盖图案设置在第一封盖图案的顶表面和间隔物结构的顶表面上。

公开(公告)号：CN108574003A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810170688.6

申请日：2018-03-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金润载 ,  金东权 ,  金镐永 ,  刘真赫 ,  郑宇陈

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括从衬底凸出并在第一方向上延伸的鳍式有源区域、覆盖鳍式有源区域的上表面和侧壁并在交叉第一方向的第二方向上延伸的栅电极、在栅电极的彼此相反的侧壁上的栅极间隔物结构、在栅电极上并在第二方向上延伸的绝缘封盖层、在栅电极的彼此相反的侧壁上且在栅极间隔物结构的上表面上的绝缘衬垫、以及在栅电极的侧面的自对准接触。绝缘衬垫可以具有小于栅极间隔物结构的第一厚度的第二厚度。自对准接触的侧壁可以与栅极间隔物结构和绝缘衬垫接触。

公开(公告)号：CN107452797A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710286361.0

申请日：2017-04-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金润载 ,  金哲 ,  孙龙勋 ,  刘真赫 ,  郑宇陈

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L23/485 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/165 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78 ,  H01L29/42356

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括具有有源图案的衬底、交叉有源图案的导电图案、在导电图案的至少一个侧表面上的间隔物结构、以及在导电图案上的封盖结构。封盖结构包括第一封盖图案和第二封盖图案。第二封盖图案设置在第一封盖图案的顶表面和间隔物结构的顶表面上。