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公开(公告)号：CN101789492A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010115649.X
申请日：2010-03-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种平面相变存储器的制备方法，包括如下步骤：在衬底上生长一层绝缘材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成侧墙的基底；在其表面及侧面淀积侧墙材料层；采用干法回刻形成侧墙；用湿法腐蚀去除基底材料层，只保留纳米尺寸的侧墙；在该侧墙材料层的一条边上搭上一条制作电极的金属层；在其表面制备一层绝缘材料层，将侧墙和金属层包裹在其中；抛光上表面的同时切断侧墙两旁的金属层的连接；化学机械抛光的截止面位于平面处的金属层的表面，即使得平面处的金属层全部露出；再在露出的纳米间距的金属电极上横跨上一条相变材料；最后在表面淀积一层绝缘材料，再在纳米间距的金属电极两边的金属层上开孔，并引出电极即可形成平面相变存储器。
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公开(公告)号：CN101211780A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200610171664.X
申请日：2006-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/316
Abstract: 本发明涉及半导体技术中二氧化硅薄膜生长技术领域，公开了一种生长二氧化硅薄膜的方法，包括：A.配制二氧化硅饱和溶液；B.在配制的二氧化硅饱和溶液中加入去离子水或蒸馏水，搅拌得到二氧化硅的过饱和溶液；C.在二氧化硅的过饱和溶液中加入硼酸或铝，搅拌得到饱和生长溶液；D.将半导体衬底垂直浸入到所述饱和生长溶液中，二氧化硅在半导体衬底表面沉积，形成二氧化硅薄膜。利用本发明，二氧化硅薄膜的生长温度低，生长过程中不需要热处理，操作容易，设备简单，同时对环境影响较小，重复性好，可靠性高，成本极低，易于产业化。
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公开(公告)号：CN1941427A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200510105262.5
申请日：2005-09-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种n+/p型砷化镓太阳电池表面高透射率窗口层锌硒硫的制备方法，包括如下步骤：以p型砷化镓或锗单晶片为衬底；利用金属有机化合物气相沉积法、分子束外延生长技术，生长n+/p型太阳电池外延片，外延至顶电池的发射区层；在发射区层上外延一层锌硒硫材料作为窗口层；在窗口层上外延高掺杂的砷化镓帽子层，完成电池外延片的制备；在外延片的上面蒸镀金锗镍/金正电极，在外延片底层高掺杂的砷化镓上面制作钛/金背电极；腐蚀帽子层、合金、蒸镀减反射膜、腐蚀台面、对电池组件进行封装，安装聚光装置、冷却装置及对日跟踪装置，完成电池的制作。
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公开(公告)号：CN1941422A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200510105263.X
申请日：2005-09-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/052
Abstract: 一种具有布拉格反射器的n+/p型高抗辐照砷化镓太阳电池结构，包括：一衬底，该衬底用于在其上进行太阳电池各层材料外延生长；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一布拉格反射器结构，该布拉格反射器结构制作在缓冲层上；一基区，该基区制作在布拉格反射器上；一发射区，该发射区制作在基区上；一兼做窗口层和复合减反射膜的高折射率层，该高折射率层制作在发射区上；一复合减反射膜的低折射率层，该低折射率层制作在窗口层上；该高折射率层与低折射率层7构成复合减反射膜层，极大地降低了光的减反射效果；一帽子层，该帽子层制作在减反射膜层上，为高掺杂n型砷化镓材料。
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公开(公告)号：CN120064842A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510263154.8
申请日：2025-03-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种悬空岛微电机系统热电性能测试器件及制备方法，可以应用于半导体器件技术领域，该热电性能测试器件包括：基底；悬空岛结构，包括第一悬空岛、中心悬空岛、第三悬空岛，第一悬空岛和第二悬空岛关于中心悬空岛对称悬空设置在基底之上；多个第一金属组件，在第一悬空岛、中心悬空岛和第二悬空岛上均设置有一个第一金属组件；其中，在将待测目标放置于第一悬空岛和中心悬空岛之间的情况下，通过第一悬空岛对应的第一金属组件获取第一信号，通过第二悬空岛对应的第二金属组件获取第二信号，对第一信号和第二信号进行差分计算，基于差分计算的结果确定待测目标的热电性能测试结果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118529693A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410435356.1
申请日：2024-04-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C1/00 , G01P15/125 , G01P15/18 , B81B7/00 , B81B7/02
Abstract: 本发明提供一种Z轴检测的三明治MEMS加速度计及其制备方法，涉及传感器技术领域，该制备方法包括：提供带有垂直引线的第一硅‑玻璃复合盖板和第二硅‑玻璃复合盖板，以及包括质量块、边框和悬臂梁的结构层；采用阳极键合工艺，将第一硅‑玻璃复合盖板、结构层和第二硅‑玻璃复合盖板从上到下依次对准叠合后进行键合；第一硅‑玻璃复合盖板的垂直引线的下端与结构层连接；在第一硅‑玻璃复合盖板的上表面形成第一金属电极和第二金属电极；第一硅‑玻璃复合盖板的垂直引线的上端与第一金属电极连接；在第二硅‑玻璃复合盖板的下表面形成第三金属电极。本发明采用阳极键合方式制备的加速度计可以实现Z轴加速度检测，并提升器件的空间利用率。
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公开(公告)号：CN117198941A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311277793.7
申请日：2023-09-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种砷化镓基太阳电池表面漏电缺陷的定位方法，包括：对砷化镓基太阳电池进行反向电流‑电压曲线扫描，获取砷化镓基太阳电池的反向击穿阈值电压；对砷化镓基太阳电池的正电极面进行光学显微拍照，获取正电极面的光学显微图像；对砷化镓基太阳电池施加反向电压，对正电极面发出的光子进行探测，获取正电极面的光发射位点图像；将光学显微图像与光发射位点图像进行叠加，确定砷化镓基太阳电池上漏电缺陷的发光位置。该方法能够快速实现电池表面漏电缺陷的快速定位。
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公开(公告)号：CN117038769A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310964791.9
申请日：2023-08-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/054 , H01L31/18 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供一种混合陷光结构及其制备方法，用于增强量子点中间能带太阳能电池的吸收效率，包括：介质膜，设置于量子点中间能带太阳能电池的上表面；第一介质纳米金字塔阵列层，设置于介质膜的上表面；第二介质纳米金字塔阵列层，设置于量子点中间能带太阳能电池的下表面；反射镜，设置于第二介质纳米金字塔阵列层的下表面。利用第一介质纳米金字塔阵列结构和第二介质纳米金字塔阵列结构增加对光的作用范围，同时利用介质材料钝化电池表面减少电学损失，提高了量子点中间能带太阳能电池对入射光的吸收。
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公开(公告)号：CN115541067A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211012250.8
申请日：2022-08-23
Applicant: 中国科学院大学 , 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及一种检测生产工况下金属薄板微缺陷的微纳器件，包括微纳器，所述微纳器包括壳体，壳体的上部为安装口，壳体内底部设置有印刷电路板，所述壳体内两侧对称设置有衬垫，所述衬垫下端与印刷电路板相连，对应安装口位置的壳体另外两侧内对称设置有弹簧梁组件，两个弹簧梁组件之间共同水平固装一质量块，实施质量块的中心处制有凹槽，用于限位安装有永磁体，所述质量块相对衬板两侧中部等间距排列有可移动平行极板，所述可移动平行极板、质量块和永磁铁构成活动体，且衬垫相对侧壁上等间距排列有固定平行极板，固定平行极板另一端穿插在所述可移动平行极板的间隔中。本发明可以对在生产工况下对金属薄板的微缺陷进行检测、且检测精度高。
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公开(公告)号：CN113270533B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110519862.5
申请日：2021-05-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种硒化亚铜薄膜制备方法，包括：获取一衬底，其中，该衬底的至少一面为抛光面；采用物理蒸发淀积方式在该衬底的抛光面上制备硒化亚铜薄膜。
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