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公开(公告)号：CN113991419A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111232392.0
申请日：2021-10-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了掩埋异质结器件及其制备方法，该方法包括：在衬底上依次生长第一掺杂层、有源层、第二掺杂层、第一二氧化硅层；在第一二氧化硅层上制作填充窗口；将该窗口腐蚀至第一掺杂层上表面，形成沟槽并填充掩埋材料；通过腐蚀形成辅助脊；第一掺杂层和辅助脊上生长第二二氧化硅层；通过腐蚀在第二二氧化硅层上制备发光脊；在发光脊和辅助脊上分别制作沉积金属窗口；在该窗口内生长欧姆接触并制作第一正面金属电极；经处理之后，在衬底底部制作背面金属电极，解理处理后，得到芯片本体；在第一热沉材料表面制作第二正面金属电极；将芯片本体倒置烧结到第一热沉材料上；将带有芯片本体的第一热沉材料烧结到第二热沉材料上，得到掩埋异质结器件。
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公开(公告)号：CN113381289A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110650811.6
申请日：2021-06-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/0225 , H01S5/02315 , H01S5/02326 , H01S5/06 , H01S5/065 , H01S5/20 , H01S5/00 , G02B5/00
Abstract: 本公开提供了一种光反馈结构及其封装方法，包括太赫兹量子级联激光器和高阻硅超球镜，所述高阻硅超球镜的入射平面的中心位于所述太赫兹量子级联激光器的前端面内，所述高阻硅超球镜的入射平面用于收集所述太赫兹量子级联激光器发出的激光，所述高阻硅超球镜的出射球面用于反馈及汇聚所述太赫兹量子级联激光器发出的激光，增加所述太赫兹量子级联激光器的第二激光模式的激射强度，以通过调控所述太赫兹量子级联激光器的第一激光模式和第二激光模式的强度比。本公开还提供了一种封装方法，能够实现太赫兹小尺寸平顶高斯光束的高效输出。
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公开(公告)号：CN106785911B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201710054287.X
申请日：2017-01-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/223
Abstract: 一种窄脊半导体器件的制备方法，包括以下步骤：外延生长形成半导体外延片，在半导体外延片上依次形成一二氧化硅掩膜及一第一光刻胶掩膜，并光刻形成周期性的第一窗口；干法刻蚀去除第一窗口区的二氧化硅掩膜及部分外延层，形成窄脊结构；在形成的窄脊结构的上表面形成一第二光刻胶掩膜，并光刻形成脊型窗口；用选择性腐蚀液去除第一窗口区外剩余的二氧化硅掩膜，完成器件制备。本发明的制备方法在用选择性腐蚀液腐蚀去除脊型波导结构表面残存的二氧化硅时，选择性腐蚀液只与残存的二氧化硅和第二光刻胶掩膜接触，从而避免了在腐蚀去除残存二氧化硅的过程中脊型结构从本体上的脱落；制备的器件性能及良品率高，能够实现良好的光输出。
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公开(公告)号：CN106340553B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201610948341.0
申请日：2016-10-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/09
Abstract: 一种电子输运通道为斜跃迁‑微带型的量子级联红外探测器，包括：一衬底；一下接触层，其外延于衬底上；一功能层，其外延于下接触层上面；一上接触层，其外延于功能层上；一上接触电极，其制作在上接触层的表面；一下接触电极，其制作在下接触层的表面，位于功能层的周围。本发明具有低噪声的同时具有高的响应率。
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公开(公告)号：CN106252421A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610893732.7
申请日：2016-10-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/02 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/101 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02005 , H01L31/022408 , H01L31/035236 , H01L31/101 , H01L31/1844
Abstract: 一种高速量子级联红外探测器的制作方法，其中所述高速量子级联红外探测器，包括：一衬底，该衬底为矩形，其一端向下为一斜面；一CPW地电极层，其制作在衬底上，该CPW地电极层开有一喇叭形的开口；一CPW信号电极层，其制作在衬底上面，并位于CPW地电极层上的喇叭形开口的中间，该CPW信号电极层为锥形；一下接触电极层，其制作在CPW地电极层上的喇叭形开口的端部，与衬底和CPW地电极层接触；一周期性量子阱垒层，其制作在下接触电极层上面的中间；一上接触电极层，其制作在周期性量子阱垒层上；一空气桥连接结构，其一端连接CPW信号电极层，另一端连接上接触电极层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103197507B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201310057280.5
申请日：2013-02-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 一种用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法，包括如下步骤：步骤1：取一半导体芯片；步骤2：取一半导体衬片；步骤3：用粘结剂将半导体芯片和半导体衬片粘接，形成基片；步骤4：将基片进行甩胶处理；步骤5：将基片置于光刻机上，对基片进行接触式曝光，在基片的表面形成图形，完成制备。本发明适用于要求背面出光且需要解理为小管芯的半导体激光器芯片背面接触式曝光的方法。
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公开(公告)号：CN108631149B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201810369450.6
申请日：2018-04-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
Abstract: 一种太赫兹量子级联激光器双面金属键合的方法，该方法包括外延片和高掺衬底片晶向对准工艺，低温金属键合工艺、半绝缘衬底腐蚀工艺等，最终成功将生长在半绝缘衬底片上的外延结构层转移到另一个高掺杂的衬底片上。本发明的方法可以保证两个键合片之间的晶向一致性，防止激光器在解理过程中由晶向各异性带来的机械损伤；并且可以防止由于腐蚀液选择性不够带来的腐蚀不均匀及过腐蚀的问题，保证腐蚀的均匀性及完整性。本发明的方法符合标准半导体工艺流程，操作简便高效，适于工业化量产。
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公开(公告)号：CN104882788B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201510329218.6
申请日：2015-06-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种制备高选择比量子级联激光器脊波导结构的湿法腐蚀方法，包括如下步骤：步骤1：在一量子级联激光器外延片上制备掩模层；步骤2：采用光刻的方法在掩模层制备图形，开出窗口；步骤3：使用非选择性腐蚀液，腐蚀腐蚀掉窗口内量子级联激光器外延片的盖层，暴露出有源层；步骤4：使用选择性腐蚀液，腐蚀掉暴露出的有源层，暴露出衬底；步骤5：再使用非选择性腐蚀液，腐蚀窗口的侧壁及衬底的表面，获得平滑的脊型波导侧壁，完成制备。本发明明显增大了脊表面宽度与有源区宽度的比值，减小了光学模式与表面等离激元之间的损耗，改善了器件的散热，从而提高了器件性能。同时此技术显著降低了工艺中套刻电注入窗口的难度且并没有增加工艺成本。
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公开(公告)号：CN106252421B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201610893732.7
申请日：2016-10-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/02 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 一种高速量子级联红外探测器的制作方法，其中所述高速量子级联红外探测器，包括：一衬底，该衬底为矩形，其一端向下为一斜面；一CPW地电极层，其制作在衬底上，该CPW地电极层开有一喇叭形的开口；一CPW信号电极层，其制作在衬底上面，并位于CPW地电极层上的喇叭形开口的中间，该CPW信号电极层为锥形；一下接触电极层，其制作在CPW地电极层上的喇叭形开口的端部，与衬底和CPW地电极层接触；一周期性量子阱垒层，其制作在下接触电极层上面的中间；一上接触电极层，其制作在周期性量子阱垒层上；一空气桥连接结构，其一端连接CPW信号电极层，另一端连接上接触电极层。
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公开(公告)号：CN105244761B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201510706103.4
申请日：2015-10-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种量子级联激光器相干阵列结构，包括：一衬底；一下波导层；一有源层，该有源层在横向被分成若干个不等宽度的微米条阵列，中间的微米条最宽，向两侧微米条宽度依次递减；一半绝缘InP：Fe层，该半绝缘InP：Fe层位于有源层的两侧且等宽度用来隔离微米条阵列；一上波导层。以及一种采用该相干阵列结构的量子级联激光器及其制造方法。本发明通过啁啾的有源脊宽度设计调整了微米条阵列间的增益分配，使基超模具有最低的波导损耗从而优先激射，从而改善了光束质量，同时利用半绝缘InP作为有源层的分隔区和光场的耦合区，不但实现了阵列的相干激射而且显著降低了有源区的工作温度，从而有利于提高器件的输出功率。
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