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公开(公告)号：CN102723400A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201110458268.6
申请日：2011-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种在SrTiO3衬底上调控多铁铁酸铋外延薄膜带隙的方法，包括如下步骤：1)选择一钛酸锶衬底；2)在SrTiO3衬底上生长一种富Bi组分的BiFeO3外延薄膜；3)控制BiFeO3外延薄膜中Bi与Fe的原子百分比，调节BiFeO3外延薄膜与SrTiO3衬底的晶格失配度；4)控制生长富Bi组分的BiFeO3外延薄膜的厚度，调节BiFeO3外延薄膜的面内双轴应力。
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公开(公告)号：CN101685776B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200810223613.6
申请日：2008-09-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/461 , H01L33/00 , H01S5/00
Abstract: 本发明公开了一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法，该方法是在沉积金属电极之前，利用氢等离子体处理ZnO薄膜的电极接触区域，然后在经氢等离子体处理的ZnO薄膜电极接触区域沉积双层金属电极，形成欧姆接触。由于氢等离子体处理导致氢扩散进入ZnO薄膜，提高了接触区域ZnO薄膜的载流子浓度，减小了接触区域ZnO薄膜的电阻率，从而可以显著降低ZnO薄膜和金属的接触电阻，改善其欧姆接触特性。此外，在MS技术中，由于溅射出的粒子具有较高能量，使得ZnO/Ti界面原子能充分混合，可以提高Ti/Au接触在ZnO薄膜上的粘附性。利用该发明最终可以得到粘附良好、接触电阻低的欧姆接触，为实现ZnO薄膜电子器件奠定了基础。
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公开(公告)号：CN101871089A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200910082081.3
申请日：2009-04-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种制备有序Al纳米颗粒的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)取一衬底；2)在衬底上旋涂一层聚甲基丙烯酸甲酯；3)利用电子束曝光在聚甲基丙烯酸甲酯上制备模板，形成所需图案；4)利用高纯Al靶作为金属Al薄膜沉积的溅射靶，在模板及暴露出的衬底的上面生长Al薄膜；5)腐蚀掉聚甲基丙烯酸甲酯及模板上面的Al薄膜，保留衬底上面的Al薄膜，完成有序Al纳米颗粒的制备。
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公开(公告)号：CN101709456A
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200910242346.1
申请日：2009-12-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一石墨衬底，将石墨衬底抛光；步骤2：在磁控溅射室里，将抛光的石墨衬底磁控溅射多晶硅薄膜；步骤3：溅射结束后自然降温，形成样品；步骤4：将样品置于快速热退火炉里，快速退火，完成多晶硅薄膜的制作。
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公开(公告)号：CN101685776A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200810223613.6
申请日：2008-09-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/461 , H01L33/00 , H01S5/00
Abstract: 本发明公开了一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法，该方法是在沉积金属电极之前，利用氢等离子体处理ZnO薄膜的电极接触区域，然后在经氢等离子体处理的ZnO薄膜电极接触区域沉积双层金属电极，形成欧姆接触。由于氢等离子体处理导致氢扩散进入ZnO薄膜，提高了接触区域ZnO薄膜的载流子浓度，减小了接触区域ZnO薄膜的电阻率，从而可以显著降低ZnO薄膜和金属的接触电阻，改善其欧姆接触特性。此外，在MS技术中，由于溅射出的粒子具有较高能量，使得ZnO/Ti界面原子能充分混合，可以提高Ti/Au接触在ZnO薄膜上的粘附性。利用该发明最终可以得到粘附良好、接触电阻低的欧姆接触，为实现ZnO薄膜电子器件奠定了基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101463499A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200710179886.0
申请日：2007-12-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B29/40 , C30B19/00 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 为使GaSb基InAsxSb1－x材料实际应用到长波长红外探测器中，本发明提供一种在GaSb衬底上生长InAsxSb1－x薄膜的液相外延生长工艺，其主要特征为用原子数比In∶Sb∶As＝1∶y∶(1－y)的源熔体(0.5＜y＜1.0)以1－10K的过冷度在GaSb衬底上生长InAsxSb1－x薄膜。该工艺有设备简单，生长费用低的优点，并且所生长的InAsxSb1－x薄膜厚度可以达到几十微米，使InAsxSb1－x薄膜和GaSb衬底界面上的大晶格失配对InAsxSb1－x薄膜的整体性能影响很小。
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公开(公告)号：CN101442089A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200710177789.8
申请日：2007-11-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明一种增强氧化锌(ZnO)薄膜蓝光发射的方法，涉及半导体技术，该方法制备ZnO/Ag复合结构薄膜，利用Ag表面等离激元与ZnO带间发射间的共振耦合，使ZnO带间辐射复合速率加快；同时借助具有一定粗糙度的Ag薄膜表面将等离激元耦合成光，以达到增强ZnO薄膜蓝光发射的目的。通过ZnO/Ag复合结构薄膜和ZnO薄膜的光致发光性能对比，发现Ag表面等离激元的参与能将ZnO带间蓝光发射的强度提高约50倍，同时有效地抑制了ZnO薄膜中缺陷导致的绿光发射。该方法不仅实现了ZnO蓝光发射增强，而且也能广泛应用于其它半导体发光材料以及其它类型的发光体。
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公开(公告)号：CN100457964C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200510011741.0
申请日：2005-05-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C14/35 , C23C14/14 , H01L21/203
Abstract: 一种用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)以砷化镓单晶片为衬底；2)以用铟、砷和锑单质或含有它们的化合物按原子数比In∶As∶Sb＝1∶x∶(1-x)制成的成分均匀的铟砷锑块材料为溅射靶；3)以高纯氩气为溅射气体，其气压为Ps；4)设定溅射生长时的衬底温度为Ts；5)设定溅射生长时的溅射功率为Ws；6)设定溅射生长时靶离衬底的距离为d；7)用上述的生长条件，在一台基压可小于10-3Pa的磁控溅射仪中生长铟砷锑薄膜。
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公开(公告)号：CN100424221C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200410009816.7
申请日：2004-11-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C14/22 , C23C14/48 , C23C14/06 , C30B25/02 , H01L21/3205 , H01L21/318
Abstract: 本发明提供一种利用离子束外延(IBE)生长设备制备氮化铪(HfN)薄膜材料的方法。在具有质量分离功能与荷能离子沉积特点的双离子束外延生长设备上，选用纯度要求不高的氯化铪(HfCl4)固体粉末和氮气(N2)分别作为产生同位素纯低能金属铪离子(Hf+)束和氮离子(N+)束的原材料，通过准确控制参与生长的两种同位素纯低能离子的交替沉积束流剂量与配比、离子能量、离子束斑形状及生长温度，在超高真空生长室内，实现了氮化铪(HfN)薄膜的低成本高纯、正化学配比的优质生长与低温外延。本发明的生长工艺便于调控和优化，可制备得到具有原子尺度光滑平整的高结晶质量氮化铪(HfN)薄膜，是一种经济实用的制备应用于半导体技术领域氮化铪(HfN)薄膜材料的方法。
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公开(公告)号：CN1917152A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200510090638.X
申请日：2005-08-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/3205 , H01L21/283 , C23C14/34
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别是一种在立方氮化硼薄膜上制备良好欧姆接触的方法。利用脉冲激光沉积(PLD)技术在c－BN薄膜上制备Ti/Au双层接触，在PLD技术中，由于激光溅射出的粒子具有较高能量(＞100eV)，使得c－BN/Ti界面原子能充分混合，从而大大提高了Ti/Au接触在c－BN薄膜上的粘附性。进一步的高温退火使Ti/c－BN薄膜界面合金化，最终得到粘附良好、接触电阻低的欧姆接触。该发明不仅为实现c－BN基电子器件奠定了基础，也能应用于其他半导体材料欧姆接触的制备。
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