公开(公告)号：CN1941427A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200510105262.5

申请日：2005-09-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 白一鸣 ,  陈诺夫 ,  梁平 ,  孙红 ,  胡颖 ,  王晓东

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种n+/p型砷化镓太阳电池表面高透射率窗口层锌硒硫的制备方法，包括如下步骤：以p型砷化镓或锗单晶片为衬底；利用金属有机化合物气相沉积法、分子束外延生长技术，生长n+/p型太阳电池外延片，外延至顶电池的发射区层；在发射区层上外延一层锌硒硫材料作为窗口层；在窗口层上外延高掺杂的砷化镓帽子层，完成电池外延片的制备；在外延片的上面蒸镀金锗镍/金正电极，在外延片底层高掺杂的砷化镓上面制作钛/金背电极；腐蚀帽子层、合金、蒸镀减反射膜、腐蚀台面、对电池组件进行封装，安装聚光装置、冷却装置及对日跟踪装置，完成电池的制作。