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公开(公告)号：CN116770221A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202210727515.6
申请日：2022-06-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 中关村芯海择优科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种掩膜结构及制备方法、在凹槽内进行结构图形化的方法，其中，该掩膜结构包括：衬底层；第一镂空区，第一镂空区位于衬底层上；掩膜层，掩膜层位于衬底层的上方，掩膜层中包含第二镂空区，且第二镂空区位于第一镂空区的上方。
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公开(公告)号：CN107688348A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710683066.9
申请日：2017-08-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种实现指向控制功能的无线人机交互设备和方法，利用加速度计和磁强计对姿态角估计值修正，因而传感器误差影响小；利用无线传输模块，与智能设备通过无线信号进行连接，无线控制的特点使本发明方便、灵活、在有限距离内都可使用；利用控制模式的切换键选择2D图形界面或3D图形界面的指向控制工作模式，使无线人机交互设备适合不同图形界面的操作系统；通过控制模式的开关键，当光标移至屏幕边界、无法流畅控制或不需要控制时，强制将光标的位移变换为零，方便使用者调整操作姿势。
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公开(公告)号：CN105025423A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510301076.2
申请日：2015-06-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种驻极体电容式超声传感器，包括低阻衬底、驻极体材料层、绝缘层、支撑层、振动薄膜、上电极。其中，在支撑层中形成圆形或其他形状空腔二维阵列，成排、列对齐分布；在振动薄膜上沉积金属作为上电极，该上电极为图形阵列，并且与衬底空腔阵列的图形一一对应分布，彼此连接在一起。本发明利用驻极体材料提供CMUT正常工作时需要的直流电场，实现无需外加直流偏置电压的新型电容式超声传感器结构，具有低功耗、微型化、可靠性高、安全性好等优点。
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公开(公告)号：CN104482930A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410734012.7
申请日：2014-12-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01C19/5656
CPC classification number: G01C19/5656
Abstract: 一种应用在MEMS器件中的弱耦合弹性梁结构，包括：一耦合梁；一第一支撑梁，其一端纵向固定于耦合梁上的一侧；一第二支撑梁，其一端纵向固定于耦合梁上的另一侧；该第一支撑梁和第二支撑梁相隔一预定距离。本发明具有结构尺寸小，结构简单、可靠性高的特点。
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公开(公告)号：CN102594290A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210052015.3
申请日：2012-03-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种采用窄脉冲激励MEMS谐振器的振荡器电路，包括：一MEMS谐振器；一低通滤波器，该低通滤波器的输入端与MEMS谐振器的输出端连接；一高增益反相器，该高增益反相器的输入端与低通滤波器的输出端连接；一窄脉冲发生器，该窄脉冲发生器的输入端与高增益反相器的输出端连接，该窄脉冲发生器的输出端与MEMS谐振器输入端连接，形成闭合回路。本发明提供的采用窄脉冲激励MEMS谐振器的振荡器电路，其可降低相位噪声，具有功耗低及设计成本低的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102062826A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010564525.X
申请日：2010-11-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于差分方法的MEMS器件信号检测电路，包括：一信号源；一跟随器，该跟随器的输入端与信号源的输出端连接，以跟随信号源的变化；一第一器件夹具，该第一器件夹具的一端与跟随器的输出端连接，以提供一路与信号源同相的激励信号；一反相器，该反相器的输入端与信号源的输出端连接，以将信号源的输出信号反相；一第二器件夹具，该第二器件夹具的一端与反相器的输出端连接，以提供一路与信号源反相的激励信号；一跨阻放大器，该跨阻放大器的输入端与第一器件夹具及第二器件夹具的另一端连接，以将第一器件夹具与第二器件夹具的电流之和转化为电压。
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公开(公告)号：CN101471637A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710304221.8
申请日：2007-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明是一种的碳化硅射频微电子机械系统滤波器的制作方法。滤波器由两个结构尺寸完全相同的谐振器和中间耦合梁组成。该发明设计的射频滤波器的中心频率为谐振器的频率，其带宽由中间耦合梁决定。优化谐振梁结构尺寸可以得到高的谐振频率，同时优化耦合梁尺寸可以调整带宽。碳化硅优越的材料性能可以使器件应用于高温及腐蚀性等恶劣环境中；碳化硅高的声学速率可以提高器件的中心频率，增加频率选择性。本发明提出的碳化硅滤波器可以与集成电路工艺兼容，实现单片无线通信系统，满足射频通信系统高频带、微型化发展要求。
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公开(公告)号：CN101440481A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200710177782.6
申请日：2007-11-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提出了一种在氧化硅上制备低阻碳化硅的方法。本发明主要包括：(1)在衬底上生长氧化硅层；(2)在氧化硅上采用低压化学气相沉积方法生长碳化硅。碳化硅生长采用乙烯(或丙烷)和硅烷作为源气体，优化生长条件得到良好形貌的碳化硅层。同时采用原位掺杂的方法降低碳化硅的电学电阻，N型掺杂源气体为氨气或氮气，P型掺杂源气体为硼烷或三甲基铝。采用优化的生长条件在氧化硅上获得低阻且表面平整光滑的碳化硅膜层。该发明的材料结构可以用于微纳机械系统(MEMS和NEMS)中。碳化硅作为MEMS结构材料层，其优越的性能使得器件可以应用于高温以及抗腐蚀等恶劣环境中；碳化硅高的杨氏模量可以大大提高谐振器及滤波器的谐振频率，应用于射频通信系统中。
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公开(公告)号：CN115343503A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202110531763.9
申请日：2021-05-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明提供一种跷跷板加速度计及其制备方法，制备方法包括：采用阳极键合工艺，将硅‑玻璃复合盖板与第四低阻硅晶圆的第一凹槽所在面进行键合，得到第二键合片；以图形化的ITO为掩膜或以图形化的ITO和光刻胶为掩膜，对应固定电容极板的位置，在减薄后的第四低阻硅晶圆所在面刻蚀出“凸”字形的质量块，得到包含结构层的第三键合片，其中，质量块包括大小不同的第一电容极板和第二电容极板。本发明的跷跷板加速度计制备方法通过一次刻蚀得到质量块，工艺简便高效，精度高。采用硅‑玻璃复合盖板，同时包括垂直引线与固定极板，并采用阳极键合工艺实现密封封装，有效提高器件密封性能，减小芯片横向面积，有利于提高器件微型化。
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公开(公告)号：CN109189124B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201810952470.6
申请日：2018-08-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G05D23/24
Abstract: 本发明公开了一种基于FPGA实现PID调节的温度控制芯片系统，包括温度控制芯片、四线式放大电路、A/D采样模块、FPGA、开关电源，PWM调节电子开关。本发明利用FPGA采集一路或同时采集多路的温度传感信号，通过PID控制程序输出逻辑控制的PWM调制信号，控制用于芯片加热的开关电源的接入与否，实现温度的控制。本发明系统组成精简，成本较低，同时由于利用了FPGA实现的PID控制器来调控PWM电子开关，进而控制芯片控温的方法，使控制速度与精度大幅提高，便于对环境进行精确的温度控制。
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