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公开(公告)号：CN113991419A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111232392.0
申请日：2021-10-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了掩埋异质结器件及其制备方法，该方法包括：在衬底上依次生长第一掺杂层、有源层、第二掺杂层、第一二氧化硅层；在第一二氧化硅层上制作填充窗口；将该窗口腐蚀至第一掺杂层上表面，形成沟槽并填充掩埋材料；通过腐蚀形成辅助脊；第一掺杂层和辅助脊上生长第二二氧化硅层；通过腐蚀在第二二氧化硅层上制备发光脊；在发光脊和辅助脊上分别制作沉积金属窗口；在该窗口内生长欧姆接触并制作第一正面金属电极；经处理之后，在衬底底部制作背面金属电极，解理处理后，得到芯片本体；在第一热沉材料表面制作第二正面金属电极；将芯片本体倒置烧结到第一热沉材料上；将带有芯片本体的第一热沉材料烧结到第二热沉材料上，得到掩埋异质结器件。
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公开(公告)号：CN113381289A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110650811.6
申请日：2021-06-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/0225 , H01S5/02315 , H01S5/02326 , H01S5/06 , H01S5/065 , H01S5/20 , H01S5/00 , G02B5/00
Abstract: 本公开提供了一种光反馈结构及其封装方法，包括太赫兹量子级联激光器和高阻硅超球镜，所述高阻硅超球镜的入射平面的中心位于所述太赫兹量子级联激光器的前端面内，所述高阻硅超球镜的入射平面用于收集所述太赫兹量子级联激光器发出的激光，所述高阻硅超球镜的出射球面用于反馈及汇聚所述太赫兹量子级联激光器发出的激光，增加所述太赫兹量子级联激光器的第二激光模式的激射强度，以通过调控所述太赫兹量子级联激光器的第一激光模式和第二激光模式的强度比。本公开还提供了一种封装方法，能够实现太赫兹小尺寸平顶高斯光束的高效输出。
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公开(公告)号：CN103197507B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201310057280.5
申请日：2013-02-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 一种用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法，包括如下步骤：步骤1：取一半导体芯片；步骤2：取一半导体衬片；步骤3：用粘结剂将半导体芯片和半导体衬片粘接，形成基片；步骤4：将基片进行甩胶处理；步骤5：将基片置于光刻机上，对基片进行接触式曝光，在基片的表面形成图形，完成制备。本发明适用于要求背面出光且需要解理为小管芯的半导体激光器芯片背面接触式曝光的方法。
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公开(公告)号：CN105244761B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201510706103.4
申请日：2015-10-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种量子级联激光器相干阵列结构，包括：一衬底；一下波导层；一有源层，该有源层在横向被分成若干个不等宽度的微米条阵列，中间的微米条最宽，向两侧微米条宽度依次递减；一半绝缘InP：Fe层，该半绝缘InP：Fe层位于有源层的两侧且等宽度用来隔离微米条阵列；一上波导层。以及一种采用该相干阵列结构的量子级联激光器及其制造方法。本发明通过啁啾的有源脊宽度设计调整了微米条阵列间的增益分配，使基超模具有最低的波导损耗从而优先激射，从而改善了光束质量，同时利用半绝缘InP作为有源层的分隔区和光场的耦合区，不但实现了阵列的相干激射而且显著降低了有源区的工作温度，从而有利于提高器件的输出功率。
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公开(公告)号：CN102735157B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201210211816.X
申请日：2012-06-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01B7/26
Abstract: 本发明公开了一种量子级联激光器脊形腐蚀辅助检测装置及方法，该装置包括：一支撑板(1)；一欧姆表(2)；两条连接导线(3)，该两条连接导线(3)分别连接在欧姆表(2)的两个接口；四个固定孔(4)，该四个固定孔(4)开在在支撑板(1)上，并排成一行；两个固定支架(5)，该两个固定支架通过四个固定孔(4)固定在支撑板(1)上；两个探针(6)，该两个探针(6)通过尾部的螺旋孔分别固定在两个固定铜支架(5)上。本发明提供的这种量子级联激光器脊形腐蚀辅助检测装置及其方法，具有制作简单，成本低，灵敏度高的优点，能够有效保证具有不同掺杂平面的半导体多层结构腐蚀程度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103197507A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310057280.5
申请日：2013-02-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 一种用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法，包括如下步骤：步骤1：取一半导体芯片；步骤2：取一半导体衬片；步骤3：用粘结剂将半导体芯片和半导体衬片粘接，形成基片；步骤4：将基片进行甩胶处理；步骤5：将基片置于光刻机上，对基片进行接触式曝光，在基片的表面形成图形，完成制备。本发明适用于要求背面出光且需要解理为小管芯的半导体激光器芯片背面接触式曝光的方法。
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公开(公告)号：CN102732955A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210211614.5
申请日：2012-06-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B23/02 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种用于电子束蒸发的半导体外延片夹具，包括：一支撑板(11)；四个金属针状样品夹(12)；一辅助样品夹金属板(13)；二个辅助样品夹金属板固定螺丝(14)；四个金属针状样品夹固定螺丝(15)；以及四个金属针状样品夹圆弧形滑槽(16)。本发明提供的用于电子束蒸发的半导体外延片夹具，简单易行，对样品大小及形状没有限制、传热性能好、样品无遮挡。
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公开(公告)号：CN1960091A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200510117174.7
申请日：2005-11-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种镓砷基量子级联激光器管芯单元结构，包括：一衬底；一下覆盖层，该下覆盖层生长在衬底上；一下波导层，该下波导层生长在下覆盖层上，该下波导层的两侧形成有一低于中间部位的台阶，中间为脊形；一有源层，该有源层生长在下波导层上的中间部位；一上波导层生长在有源层上；一上覆盖层生长在上波导层上；一隔离层淀积在上覆盖层上并覆盖脊形的两侧及下波导层两边的上面，该隔离层的中间纵向开有一电流注入窗口；一上欧姆接触层，该上欧姆接触层热蒸发在隔离层上，并覆盖住电流注入窗口；一下欧姆接触层，该下欧姆接触层制作在衬底的背面。
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公开(公告)号：CN1941427A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200510105262.5
申请日：2005-09-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种n+/p型砷化镓太阳电池表面高透射率窗口层锌硒硫的制备方法，包括如下步骤：以p型砷化镓或锗单晶片为衬底；利用金属有机化合物气相沉积法、分子束外延生长技术，生长n+/p型太阳电池外延片，外延至顶电池的发射区层；在发射区层上外延一层锌硒硫材料作为窗口层；在窗口层上外延高掺杂的砷化镓帽子层，完成电池外延片的制备；在外延片的上面蒸镀金锗镍/金正电极，在外延片底层高掺杂的砷化镓上面制作钛/金背电极；腐蚀帽子层、合金、蒸镀减反射膜、腐蚀台面、对电池组件进行封装，安装聚光装置、冷却装置及对日跟踪装置，完成电池的制作。
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公开(公告)号：CN113991419B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202111232392.0
申请日：2021-10-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了掩埋异质结器件及其制备方法，该方法包括：在衬底上依次生长第一掺杂层、有源层、第二掺杂层、第一二氧化硅层；在第一二氧化硅层上制作填充窗口；将该窗口腐蚀至第一掺杂层上表面，形成沟槽并填充掩埋材料；通过腐蚀形成辅助脊；第一掺杂层和辅助脊上生长第二二氧化硅层；通过腐蚀在第二二氧化硅层上制备发光脊；在发光脊和辅助脊上分别制作沉积金属窗口；在该窗口内生长欧姆接触并制作第一正面金属电极；经处理之后，在衬底底部制作背面金属电极，解理处理后，得到芯片本体；在第一热沉材料表面制作第二正面金属电极；将芯片本体倒置烧结到第一热沉材料上；将带有芯片本体的第一热沉材料烧结到第二热沉材料上，得到掩埋异质结器件。
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