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发明公开
砷化镓基太阳电池表面漏电缺陷的定位方法审中-实审

公开(公告)号：CN117198941A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311277793.7

申请日：2023-09-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王晓东 , 计春雪 , 包怡迪 , 陈啸岭 , 李晔 , 刘雯 , 刘庆 , 杨富华

IPC: H01L21/67 , H01L31/18 , H01L21/66

Abstract: 本发明提供一种砷化镓基太阳电池表面漏电缺陷的定位方法，包括：对砷化镓基太阳电池进行反向电流‑电压曲线扫描，获取砷化镓基太阳电池的反向击穿阈值电压；对砷化镓基太阳电池的正电极面进行光学显微拍照，获取正电极面的光学显微图像；对砷化镓基太阳电池施加反向电压，对正电极面发出的光子进行探测，获取正电极面的光发射位点图像；将光学显微图像与光发射位点图像进行叠加，确定砷化镓基太阳电池上漏电缺陷的发光位置。该方法能够快速实现电池表面漏电缺陷的快速定位。

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