公开(公告)号：CN116344664A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202111591899.5

申请日：2021-12-23

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王晓东 ,  赵永强 ,  刘雯 ,  包怡迪 ,  陈啸岭 ,  杨富华

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明提供了一种晶圆键合的欧姆接触电极退火方法，包括：将III‑V族外延片的待键合面与Si晶圆的待键合面对齐贴合形成预键合晶片；在第一预设温度下，对预键合晶片施加第一预设压力并保持第一预设时间段形成键合晶片；在III‑V族外延片的外表面上形成第一金属电极，在Si晶圆的外表面上形成第二金属电极，以形成预退火键合晶片；在第二预设温度下，对预退火键合晶片施加第二预设压力并保持第二预设时间段以进行退火，形成具有欧姆接触电极的键合晶片。本发明提供的晶圆键合的欧姆接触电极退火方法实现了退火温度与晶圆键合的温度的适配，可以得到工艺稳定的键合晶片，以及接触电阻低的欧姆接触电极。

公开(公告)号：CN117276373A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311234737.5

申请日：2023-09-22

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王晓东 ,  包怡迪 ,  刘雯 ,  毛旭 ,  刘庆 ,  陈啸岭 ,  杨富华

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01S5/34 ,  H01S5/343

Abstract: 本发明提供一种InAs/GaAs1‑xSbx量子点结构，包括n个叠加生长的InAs/GaAs1‑xSbx量子点层，其中，每个InAs/GaAs1‑xSbx量子点层包括：InAs量子点层；GaAs1‑xSbx梯度调制盖层，生长在InAs量子点层表面，用以调制InAs量子点的应力和光吸收，GaAs1‑xSbx梯度调制盖层中Sb的含量沿所述GaAs1‑xSbx梯度调制盖层在所述InAs量子点层上的生长方向线性递减；GaAs间隔层，生长在GaAs1‑xSbx梯度调制盖层表面，其中，n为大于等于1的整数。本发明提供的InAs/GaAs1‑xSbx量子点结构有效缓解了InAs/GaAs1‑xSbx量子点结构的应变积累并提高了光吸收系数，可以广泛应用于量子点激光器、量子点近红外探测器以及中间能带太阳能电池领域。

公开(公告)号：CN117198941A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311277793.7

申请日：2023-09-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王晓东 ,  计春雪 ,  包怡迪 ,  陈啸岭 ,  李晔 ,  刘雯 ,  刘庆 ,  杨富华

IPC: H01L21/67 ,  H01L31/18 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明提供一种砷化镓基太阳电池表面漏电缺陷的定位方法，包括：对砷化镓基太阳电池进行反向电流‑电压曲线扫描，获取砷化镓基太阳电池的反向击穿阈值电压；对砷化镓基太阳电池的正电极面进行光学显微拍照，获取正电极面的光学显微图像；对砷化镓基太阳电池施加反向电压，对正电极面发出的光子进行探测，获取正电极面的光发射位点图像；将光学显微图像与光发射位点图像进行叠加，确定砷化镓基太阳电池上漏电缺陷的发光位置。该方法能够快速实现电池表面漏电缺陷的快速定位。

公开(公告)号：CN117038769A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202310964791.9

申请日：2023-08-02

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王晓东 ,  陈啸岭 ,  刘雯 ,  包怡迪 ,  刘庆 ,  杨富华

IPC: H01L31/054 ,  H01L31/18 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供一种混合陷光结构及其制备方法，用于增强量子点中间能带太阳能电池的吸收效率，包括：介质膜，设置于量子点中间能带太阳能电池的上表面；第一介质纳米金字塔阵列层，设置于介质膜的上表面；第二介质纳米金字塔阵列层，设置于量子点中间能带太阳能电池的下表面；反射镜，设置于第二介质纳米金字塔阵列层的下表面。利用第一介质纳米金字塔阵列结构和第二介质纳米金字塔阵列结构增加对光的作用范围，同时利用介质材料钝化电池表面减少电学损失，提高了量子点中间能带太阳能电池对入射光的吸收。