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公开(公告)号：CN101095209A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200580045542.X
申请日：2005-11-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/147 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/1475 , H01J37/026 , H01J37/3171 , H01J2237/0041 , H01J2237/0042 , H01J2237/055
Abstract: 本发明揭露一种借由束缚一离子布植机的一磁铁的一磁性区域内的电子，以降低电子损耗且因此改良一低能量射束的输送效率，从而改良邻近该离子布植机的该磁铁的空间电荷中和的方法以及装置。提供一用于一离子布植机的一磁铁的磁极部件，前述磁极部件包括一外表面，其具有形成邻近前述磁极部件的磁场集中区的多个磁场集中部件。遭遇该增强的磁场的电子沿相同磁场线反弹回去而不是经允许而逃逸。本发明亦提供一分析器磁铁以及包括前述磁极的离子布植机，因此实现了一改良一离子布植机中的低能量离子束空间电荷中和的方法。
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公开(公告)号：CN101076875A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200580033847.9
申请日：2005-10-07
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 张升吾 , 安东尼勒·可雀帝 , 约瑟·P·迪宰桔雷斯契 , 葛列格里·R·吉本雷洛 , 罗扎里欧·马雷卡 , 葛桔·A·洛里斯 , 约瑟·C·欧尔森 , 马黎耶·J·威尔旭
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J2237/24542 , H01J2237/30461 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明揭露一种用来调校离子植入装置系统的离子束调校方法、系统以及程序产品。本发明通过例如横过植入室内的成形器扫描该离子束获得该离子束轮廓；并基于该离子束轮廓调校该离子植入装置系统使估计的植入电流最大化以同时使总离子束电流与离子束点宽最优化，从而使植入电流最大化。另外，调校也可基于该点束中心回馈将该离子束放置在其最佳路径上，这在每一离子束的很多设定过程中减少了离子束设定时间并提供可重复的束角性能，因而改善了离子植入装置系统的生产效率与性能。
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公开(公告)号：CN105794325B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201480066582.1
申请日：2014-10-30
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H05H1/46 , H01J27/024 , H01J37/32082 , H01J37/32422
Abstract: 本发明涉及一种用于对基底进行图案化的系统与方法，所述系统包含：等离子体腔室；功率源，用于在所述等离子体腔室内产生等离子体；以及提取板系统，包括多个孔径且沿着所述等离子体腔室的一侧而设置。所述提取板系统经配置以接收相对于所述等离子体腔室而对所述提取板系统加偏压的提取电压，其中所述多个孔径经配置以从所述等离子体提取多个相应带电粒子子束。所述系统还包含：投影光学系统，用于将所述多个带电粒子子束中的至少一个引导到所述基底。本申请技术方案的等离子体腔室的使用促进以高平行度引导带电粒子穿过图案化系统的能力，并促进的跨越图案化系统的面积的带电粒子密度的高均一度，进而改进图案化制程的均一度。
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公开(公告)号：CN105264633B
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201480031930.1
申请日：2014-05-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 斯坦尼斯拉夫·S·托多罗夫 , 乔治·M·葛梅尔 , 理查·艾伦·斯普林克 , 诺曼·E·赫西 , 法兰克·辛克莱 , 常胜武 , 约瑟·C·欧尔森 , 大卫·罗杰·汀布莱克 , 库尔·T·岱可-路克
IPC: H01J37/304 , H01J37/317
CPC classification number: C23C14/54 , C23C14/48 , G21K5/00 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/24535 , H01J2237/24542 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明公开一种离子植入机与用于控制离子植入机中的离子束的系统，包括检测系统与分析组件。检测系统用于检测在第一频率的离子束的多个束电流量测。分析组件用于判定基于多个束电流量测的离子束的变化，所述变化对应于在第二频率的离子束的束电流变化，所述第二频率不同于所述第一频率。所述系统也包括回应于分析组件的输出而调整离子束的调整组件以减少所述变化，其中当离子植入机中产生离子束时，所述分析组件与所述调整组件经设置以动态地将离子束的变化减少至低于阀值。
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公开(公告)号：CN105765693B
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201480064208.8
申请日：2014-10-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 肯尼士·H·波什 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 法兰克·辛克莱 , 罗伯特·C·林德柏格 , 约瑟·C·欧尔森
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/3023 , H01J2237/0455 , H01J2237/30483
Abstract: 本发明提供一种离子植入器及其操作方法、在其中进行双模式操作的系统。用于在离子植入器中进行双模式操作的系统可包含活动束挡块，其用以在第一方向上调整离子束的束宽度，所述第一方向垂直于所述离子束的第一局部行进方向。所述系统可还包含：扫描器，其用以当在第一状态中时在垂直于所述离子束的第二局部行进方向的第二方向上扫描所述离子束并且在第二状态中未受扰动地传输所述离子束；以及模式选择器，其用以向所述活动束挡块以及向所述扫描器发送一组信号以便一致调整所述离子束的宽度和所述扫描器的状态。本发明的优点是可在同一基底室中以任何所要顺序提供高电流带状束植入和点状束植入。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104011826B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201280064441.7
申请日：2012-11-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/20 , H01J37/302 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/20 , H01J37/3023 , H01J37/3171 , H01J2237/024 , H01J2237/31711 , H01L21/266 , H01L21/67213 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种离子植入机与离子植入法。离子植入机(100)的一实施例包括：离子源(101)及处理腔室(102)。此处理腔室连接至离子源并藉由多个提取电极(114)与离子源分离。载具(201)固持多个工件(202)。屏蔽装载器(205)位于处理腔室中且使屏蔽(203)与载具连接。传送腔室(104)及加载锁(105、106)可与处理腔室连接。此离子植入机装配成对工件进行毯覆式或选择性植入。
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公开(公告)号：CN104885186B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380049073.3
申请日：2013-08-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/08 , H01J27/16 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32165 , H01J37/32422 , H01J2237/0817 , H01J2237/31706
Abstract: 一种宽离子束源(10)包括多个射频窗(26，18，30)，以预设关系布置；单一等离子体腔体线(20，22，24)，每一多个射频天线配置在各别的每一多个射频窗的第二侧，而且第二侧相对于第一侧；以及多个射频源(14，16，18)，每一多个射频源耦接于各别的每一多个射频天线，其中藉由耦接于第一射频天线的第一射频源产生的第一射频信号及藉由耦接于与第一射频天线相邻的一射频天线的第二射频源产生的第二射频信号之间的频率差异大于10千赫兹。本发明提供的射频离子源，能促进多重、空间重叠等离子体的运(12)，配置在多个射频窗的第一侧；多个射频天
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公开(公告)号：CN105793954A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201480064880.7
申请日：2014-10-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 肯尼士·H·波什 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 法兰克·辛克莱 , 罗伯特·C·林德柏格 , 约瑟·C·欧尔森
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/1475 , H01J37/317 , H01J37/3171 , H01J2237/30472
Abstract: 用来控制离子束的装置包括：扫描器，经配置于第一状态以扫描离子束，其中扫描器输出作为发散离子束的离子束；准直器，经配置以沿着准直器的一侧接收发散离子束及输出作为准直离子束的发散离子束；束调整构件，延伸接近准直器的所述侧；以及控制器，在扫描器处于第一状态时经配置以传送第一信号到束调整构件，以将发散离子束的离子轨迹从第一组轨迹调整成第二组轨迹。
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公开(公告)号：CN103155090B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201180047008.8
申请日：2011-09-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/305
CPC classification number: H01J37/317 , H01J37/3056 , H01J2237/31796 , H01L21/26586 , H01L21/266
Abstract: 一种使用多阶离子植入将图案化光阻改质的方法及其系统。使多个图案化光阻特征的粗糙度轮廓减少的方法包括以下步骤。每个图案化光阻特征包括第一侧壁和位于第一侧壁对面的第二侧壁，其中每个图案化光阻特征包括中频线宽粗糙度和低频线宽粗糙度。执行多个离子照射周期，其中每个离子照射周期包括：以约为五度或大于五度的倾斜角提供离子到第一侧壁；以及以约为五度或大于五度的倾斜角提供离子到第二侧壁。藉由执行多个离子照射周期，中频线宽粗糙度和低频线宽粗糙度减少。
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公开(公告)号：CN103155090A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180047008.8
申请日：2011-09-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/305
CPC classification number: H01J37/317 , H01J37/3056 , H01J2237/31796 , H01L21/26586 , H01L21/266
Abstract: 一种使多个图案化光阻特征的粗糙度轮廓减少的方法。每个图案化光阻特征包括第一侧壁和位于第一侧壁对面的第二侧壁，其中每个图案化光阻特征包括中频线宽粗糙度和低频线宽粗糙度。执行多个离子照射周期，其中每个离子照射周期包括：以约为五度或大于五度的倾斜角提供离子到第一侧壁；以及以约为五度或大于五度的倾斜角提供离子到第二侧壁。藉由执行多个离子照射周期，中频线宽粗糙度和低频线宽粗糙度减少。
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