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公开(公告)号：CN101095209A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200580045542.X
申请日：2005-11-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/147 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/1475 , H01J37/026 , H01J37/3171 , H01J2237/0041 , H01J2237/0042 , H01J2237/055
Abstract: 本发明揭露一种借由束缚一离子布植机的一磁铁的一磁性区域内的电子，以降低电子损耗且因此改良一低能量射束的输送效率，从而改良邻近该离子布植机的该磁铁的空间电荷中和的方法以及装置。提供一用于一离子布植机的一磁铁的磁极部件，前述磁极部件包括一外表面，其具有形成邻近前述磁极部件的磁场集中区的多个磁场集中部件。遭遇该增强的磁场的电子沿相同磁场线反弹回去而不是经允许而逃逸。本发明亦提供一分析器磁铁以及包括前述磁极的离子布植机，因此实现了一改良一离子布植机中的低能量离子束空间电荷中和的方法。
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公开(公告)号：CN101103432A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200580046588.3
申请日：2005-11-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 安东尼·雷诺 , 唐纳·L·史麦特雷克 , 詹姆士·贝福 , 艾立克·赫尔曼森
IPC: H01J37/317 , H01J37/02
CPC classification number: H01J27/02 , H01J37/026 , H01J37/05 , H01J37/3171 , H01J2237/0041 , H01J2237/055 , H01J2237/057 , H05H7/08
Abstract: 本发明是用一或多个电子源，将电子(18)注入即将在磁铁的磁极片(130，132)之间传送的一离子束(122)。在本发明部分实施例中，该些电子源是位于磁铁的磁极片的其中之一或两者的凹穴(160)中。在本发明其他实施例中，无线电频率或微波等离子流枪是位于磁极片之间，或配置在磁极片的至少其中之一的凹穴中。
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公开(公告)号：CN101095209B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200580045542.X
申请日：2005-11-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/147 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/1475 , H01J37/026 , H01J37/3171 , H01J2237/0041 , H01J2237/0042 , H01J2237/055
Abstract: 本发明揭露一种借由束缚一离子布植机的一磁铁的一磁性区域内的电子，以降低电子损耗且因此改良一低能量射束的输送效率，从而改良邻近该离子布植机的该磁铁的空间电荷中和的方法以及装置。提供一用于一离子布植机的一磁铁的磁极部件，前述磁极部件包括一外表面，其具有形成邻近前述磁极部件的磁场集中区的多个磁场集中部件。遭遇该增强的磁场的电子沿相同磁场线反弹回去而不是经允许而逃逸。本发明亦提供一分析器磁铁以及包括前述磁极的离子布植机，因此实现了一改良一离子布植机中的低能量离子束空间电荷中和的方法。
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公开(公告)号：CN101103432B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200580046588.3
申请日：2005-11-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 安东尼·雷诺 , 唐纳·L·史麦特雷克 , 詹姆士·贝福 , 艾立克·赫尔曼森
IPC: H01J37/317 , H01J37/02
CPC classification number: H01J27/02 , H01J37/026 , H01J37/05 , H01J37/3171 , H01J2237/0041 , H01J2237/055 , H01J2237/057 , H05H7/08
Abstract: 本发明是用一或多个电子源，将电子(18)注入即将在磁铁的磁极片(130，132)之间传送的一离子束(122)。在本发明部分实施例中，该些电子源是位于磁铁的磁极片的其中之一或两者的凹穴(160)中。在本发明其他实施例中，无线电频率或微波等离子流枪是位于磁极片之间，或配置在磁极片的至少其中之一的凹穴中。
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公开(公告)号：CN1830054A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200480021575.6
申请日：2004-06-07
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/1471 , H01J37/3171
Abstract: 本发明涉及一种离子注入机，其包括：一用于生成离子束的离子源；一用于支撑离子注入靶的靶标部位；以及一用于在所述离子源与靶标部位之间界定离子束路径的束线。一方面，将一磁性操纵器配置在所述离子源与靶标部位之间，用于至少部分地修正离子束自离子束路径的有害偏移。磁性操纵器可相对于离子光学元件的入口孔定位离子束。另一方面，所述束线包括一减速台，其用于将离子束从第一传送能量减速到第二传送能量。所述减速台包括两个或两个以上电极，其中至少一个电极为定位在离子束路径中的栅极。
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