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公开(公告)号：CN105765693B
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201480064208.8
申请日：2014-10-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 肯尼士·H·波什 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 法兰克·辛克莱 , 罗伯特·C·林德柏格 , 约瑟·C·欧尔森
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/3023 , H01J2237/0455 , H01J2237/30483
Abstract: 本发明提供一种离子植入器及其操作方法、在其中进行双模式操作的系统。用于在离子植入器中进行双模式操作的系统可包含活动束挡块，其用以在第一方向上调整离子束的束宽度，所述第一方向垂直于所述离子束的第一局部行进方向。所述系统可还包含：扫描器，其用以当在第一状态中时在垂直于所述离子束的第二局部行进方向的第二方向上扫描所述离子束并且在第二状态中未受扰动地传输所述离子束；以及模式选择器，其用以向所述活动束挡块以及向所述扫描器发送一组信号以便一致调整所述离子束的宽度和所述扫描器的状态。本发明的优点是可在同一基底室中以任何所要顺序提供高电流带状束植入和点状束植入。
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公开(公告)号：CN105793954A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201480064880.7
申请日：2014-10-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 肯尼士·H·波什 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 法兰克·辛克莱 , 罗伯特·C·林德柏格 , 约瑟·C·欧尔森
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/1475 , H01J37/317 , H01J37/3171 , H01J2237/30472
Abstract: 用来控制离子束的装置包括：扫描器，经配置于第一状态以扫描离子束，其中扫描器输出作为发散离子束的离子束；准直器，经配置以沿着准直器的一侧接收发散离子束及输出作为准直离子束的发散离子束；束调整构件，延伸接近准直器的所述侧；以及控制器，在扫描器处于第一状态时经配置以传送第一信号到束调整构件，以将发散离子束的离子轨迹从第一组轨迹调整成第二组轨迹。
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公开(公告)号：CN101578682B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200880001671.2
申请日：2008-01-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 肯尼士·H·波什 , 詹姆士·S·贝福 , 维克多·M·本夫尼斯特
IPC: H01J37/317 , H01J37/141 , H01J37/153
CPC classification number: H01J37/141 , H01J37/153 , H01J37/3171 , H01J2237/1501 , H01J2237/1526 , H01J2237/24528
Abstract: 一种在注入位置降低磁场的技术。在一实施例中，此技术可为在注入位置降低磁场的装置及方法。此装置及方法可包括：校正条总成(400)，其包括一组磁芯构件(402)；沿此组磁芯构件分布的多个线圈(408a、b、c)；以及将此组磁芯构件的末端彼此连接以形成矩形校正条结构的连接元件(404)。校正条总成可位于磁偏转器(101、509)的出口区域以改良具有从磁偏转器输出的多个细光束的带状光束(10)的均匀性，而且矩形校正条结构可提供所需的磁场夹紧作用。
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公开(公告)号：CN102422395B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201080020279.X
申请日：2010-04-01
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/04 , H01J2237/036 , H01J2237/15
Abstract: 离子植入系统包括一静电透镜。静电透镜包括一终端电极、一接地电极及配置于其间的一抑制电极。一离子束通过终端电极而进入静电透镜并通过接地电极而离开静电透镜。这些电极具有相关的静电等电位线。端板配置于抑制电极的顶部及底部及/或接地电极的顶部及底部。为了让离子束通过静电透镜时保持均匀度，各个端板具有对应于与特定电极相关的静电等电位线的一形状。
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公开(公告)号：CN101371327B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200780002657.X
申请日：2007-01-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/147 , H01J37/30
CPC classification number: H01J37/147 , H01J37/3007 , H01J2237/1501 , H01J2237/152 , H01J2237/30477 , H01J2237/31701
Abstract: 本发明是有关一种用于改善带状离子束的均一性的技术。在一特定例示性实施例中，装置可包含第一修正器条总成以及第二修正器条总成，其中第二修正器条总成位于距第一修正器条总成一段预定距离处。第一修正器条总成中的第一多个线圈中的每一个可经个别地激励以使带状离子束中的至少一细离子束偏转，藉此使细离子束以所要空间扩展来到达第二修正器条总成。第二修正器条总成中的第二多个线圈中的每一个可经个别地激励以使带状离子束中的一个或多个细离子束进一步偏转，藉此使细离子束以所要角度离开第二修正器条总成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101578682A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200880001671.2
申请日：2008-01-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 肯尼士·H·波什 , 詹姆士·S·贝福 , 维克多·M·本夫尼斯特
IPC: H01J37/317 , H01J37/141 , H01J37/153
CPC classification number: H01J37/141 , H01J37/153 , H01J37/3171 , H01J2237/1501 , H01J2237/1526 , H01J2237/24528
Abstract: 一种在注入位置降低磁场的技术。在一实施例中，此技术可为在注入位置降低磁场的装置及方法。此装置及方法可包括：校正条总成(400)，其包括一组磁芯构件(402)；沿此组磁芯构件分布的多个线圈(408a、b、c)；以及将此组磁芯构件的末端彼此连接以形成矩形校正条结构的连接元件(404)。校正条总成可位于磁偏转器(101、509)的出口区域以改良具有从磁偏转器输出的多个细光束的带状光束(10)的均匀性，而且矩形校正条结构可提供所需的磁场夹紧作用。
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公开(公告)号：CN105765693A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201480064208.8
申请日：2014-10-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 肯尼士·H·波什 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 法兰克·辛克莱 , 罗伯特·C·林德柏格 , 约瑟·C·欧尔森
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/3023 , H01J2237/0455 , H01J2237/30483
Abstract: 一种用于在离子植入器中进行双模式操作的系统可包含活动束挡块，其用以在第一方向上调整离子束的束宽度，所述第一方向垂直于所述离子束的第一局部行进方向。所述系统可还包含：扫描器，其用以当在第一状态中时在垂直于所述离子束的第二局部行进方向的第二方向上扫描所述离子束并且在第二状态中未受扰动地传输所述离子束；以及模式选择器，其用以向所述活动束挡块以及向所述扫描器发送一组信号以便一致调整所述离子束的宽度和所述扫描器的状态。
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公开(公告)号：CN102422395A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080020279.X
申请日：2010-04-01
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/04 , H01J2237/036 , H01J2237/15
Abstract: 离子植入系统包括一静电透镜。静电透镜包括一终端电极、一接地电极及配置于其间的一抑制电极。一离子束通过终端电极而进入静电透镜并通过接地电极而离开静电透镜。这些电极具有相关的静电等电位线。端板配置于抑制电极的顶部及底部及/或接地电极的顶部及底部。为了让离子束通过静电透镜时保持均匀度，各个端板具有对应于与特定电极相关的静电等电位线的一形状。
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公开(公告)号：CN101322217B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200680045586.7
申请日：2006-11-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 史费特那·B·瑞都凡诺 , 彼德·L·凯勒曼 , 维克多·M·本夫尼斯特 , 罗伯特·C·林德柏格 , 肯尼士·H·波什 , 泰勒·B·洛克威尔 , 詹姆士·史帝夫·贝福 , 安东尼·雷诺
IPC: H01J37/12 , H01J37/30 , H01J37/317
Abstract: 本发明揭示一种缎带状离子束的成形技术。在一特定例示性实施例中，可将该技术实现为用于缎带状离子束的成形装置。装置可包含具有实质上为矩形的用于使缎带状离子束穿过的孔径的静电透镜，其中多个聚焦元件沿孔径的短边缘而定位，且其中每一聚焦元件经各别地偏压且定向以成形缎带状离子束。
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公开(公告)号：CN101371327A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200780002657.X
申请日：2007-01-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/147 , H01J37/30
CPC classification number: H01J37/147 , H01J37/3007 , H01J2237/1501 , H01J2237/152 , H01J2237/30477 , H01J2237/31701
Abstract: 本发明是有关一种用于改善带状离子束的均一性的技术。在一特定例示性实施例中，装置可包含第一修正器条总成以及第二修正器条总成，其中第二修正器条总成位于距第一修正器条总成一段预定距离处。第一修正器条总成中的第一多个线圈中的每一个可经个别地激励以使带状离子束中的至少一细离子束偏转，藉此使细离子束以所要空间扩展来到达第二修正器条总成。第二修正器条总成中的第二多个线圈中的每一个可经个别地激励以使带状离子束中的一个或多个细离子束进一步偏转，藉此使细离子束以所要角度离开第二修正器条总成。
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