公开(公告)号：CN101076875A

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200580033847.9

申请日：2005-10-07

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 张升吾 ,  安东尼勒·可雀帝 ,  约瑟·P·迪宰桔雷斯契 ,  葛列格里·R·吉本雷洛 ,  罗扎里欧·马雷卡 ,  葛桔·A·洛里斯 ,  约瑟·C·欧尔森 ,  马黎耶·J·威尔旭

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J2237/24542 ,  H01J2237/30461 ,  H01J2237/31703

Abstract: 本发明揭露一种用来调校离子植入装置系统的离子束调校方法、系统以及程序产品。本发明通过例如横过植入室内的成形器扫描该离子束获得该离子束轮廓；并基于该离子束轮廓调校该离子植入装置系统使估计的植入电流最大化以同时使总离子束电流与离子束点宽最优化，从而使植入电流最大化。另外，调校也可基于该点束中心回馈将该离子束放置在其最佳路径上，这在每一离子束的很多设定过程中减少了离子束设定时间并提供可重复的束角性能，因而改善了离子植入装置系统的生产效率与性能。

公开(公告)号：CN101076875B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200580033847.9

申请日：2005-10-07

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 张升吾 ,  安东尼勒·可雀帝 ,  约瑟·P·迪宰桔雷斯契 ,  葛列格里·R·吉本雷洛 ,  罗扎里欧·马雷卡 ,  葛桔·A·洛里斯 ,  约瑟·C·欧尔森 ,  马黎耶·J·威尔旭

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J2237/24542 ,  H01J2237/30461 ,  H01J2237/31703

Abstract: 本发明揭露一种用来调校离子植入装置系统的离子束调校方法、系统以及程序产品。本发明通过例如横过植入室内的成形器扫描该离子束获得该离子束轮廓；并基于该离子束轮廓调校该离子植入装置系统使估计的植入电流最大化以同时使总离子束电流与离子束点宽最优化，从而使植入电流最大化。另外，调校也可基于该点束中心回馈将该离子束放置在其最佳路径上，这在每一离子束的很多设定过程中减少了离子束设定时间并提供可重复的束角性能，因而改善了离子植入装置系统的生产效率与性能。