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公开(公告)号：CN102498543B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201080040495.0
申请日：2010-08-20
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: G03C5/00 , H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L21/32139 , G03F7/40 , G03F7/405 , H01L21/0273 , H01L21/0337
Abstract: 一种图案化基底的方法，包括：提供抗蚀剂特征阵列，抗蚀剂特征阵列由相邻抗蚀剂特征之间的第一间距及第一间隙宽度界定。将粒子引入至抗蚀剂特征阵列中，其中抗蚀剂特征阵列变得硬化。引入粒子可引起抗蚀剂特征的关键尺寸减小。在硬化的抗蚀剂特征的侧部部分上提供侧壁。在形成侧壁之后，移除硬化的抗蚀剂特征，从而留下配置于基底上的分离的侧壁阵列。所述侧壁阵列提供遮罩，以对配置于侧壁下方的基底层中的特征进行双图案化，其中形成于基底中的特征阵列具有第二间距，第二间距等于第一间距的一半。
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公开(公告)号：CN103155099B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201180047420.X
申请日：2011-09-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/40 , H01J37/32
CPC classification number: C23C16/50 , G03F7/405 , G03F7/427 , G03F7/7045 , G03F7/70875 , H01J37/32357 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01L21/0273
Abstract: 减少配置于基板上的光阻特征的表面粗糙度的方法包含产生有等离子体鞘和该等离子体鞘内的离子的等离子体。而在等离子体鞘和等离子体之间的边界外形可通过等离子体鞘调节器调整，使得面向于基板的部份边界不平行于基板所定义的平面。于第一次曝光期间，光阻特征曝露于拥有所欲波长的电磁辐射，而且离子穿越已调整过的边界外形在一角度范围内朝向光阻特征加速。
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公开(公告)号：CN103155099A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180047420.X
申请日：2011-09-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/40 , H01J37/32
CPC classification number: C23C16/50 , G03F7/405 , G03F7/427 , G03F7/7045 , G03F7/70875 , H01J37/32357 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01L21/0273
Abstract: 减少配置于基板上的光阻特征的表面粗糙度的方法包含产生有等离子体鞘和该等离子体鞘内的离子的等离子体。而在等离子体鞘和等离子体之间的边界外形可通过等离子体鞘调节器调整，使得面向于基板的部份边界不平行于基板所定义的平面。于第一次曝光期间，光阻特征曝露于拥有所欲波长的电磁辐射，而且离子穿越已调整过的边界外形在一角度范围内朝向光阻特征加速。
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公开(公告)号：CN103620730A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201280027207.7
申请日：2012-04-26
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卢多维克·葛特 , 约瑟·欧尔森 , 克里斯多夫·J·里维特 , 派崔克·M·马汀
IPC: H01J37/32
CPC classification number: G03F7/20 , G03F7/2024 , G03F7/40 , H01J37/3023 , H01J37/3053 , H01J2237/3174 , H01L21/0273
Abstract: 本发明提供一种处理具有初始线粗糙度和初始临界尺寸的光致抗蚀剂凸纹特征(402)的方法。所述方法可包含在第一暴露中以第一角范围和第一剂量率朝向光致抗蚀剂引导离子(404)，所述第一剂量率用以将初始线粗糙度减小到第二线粗糙度。所述方法还可包含在第二暴露中以大于第一剂量率的第二离子剂量率朝向光致抗蚀剂凸纹特征引导离子，其中所述第二离子剂量率用以使光致抗蚀剂凸纹特征膨胀。
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公开(公告)号：CN103380494A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201280009549.6
申请日：2012-02-22
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/768 , C23C14/22
CPC classification number: H01L21/76814 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/3105 , H01L21/31155 , H01L21/76826 , H01L21/76831
Abstract: 控制等离子与等离子壳层之间的边界，以使得形状的一部分不平行于由面对等离子的工件的前表面所界定的平面。将等离子中的离子导向工件。这些离子可密封工件上的结构中的孔洞或者清洁工件上的结构中的材料。此结构可例如是具有多个侧壁。可进行清洁结构中的材料以及密封结构中的孔洞两者皆进行的工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103620730B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201280027207.7
申请日：2012-04-26
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卢多维克·葛特 , 约瑟·欧尔森 , 克里斯多夫·J·里维特 , 派崔克·M·马汀
IPC: H01J37/32
CPC classification number: G03F7/20 , G03F7/2024 , G03F7/40 , H01J37/3023 , H01J37/3053 , H01J2237/3174 , H01L21/0273
Abstract: 本发明提供一种处理具有初始线粗糙度和初始临界尺寸的光致抗蚀剂凸纹特征(402)的方法。所述方法可包含在第一暴露中以第一角范围和第一剂量率朝向光致抗蚀剂引导离子(404)，所述第一剂量率用以将初始线粗糙度减小到第二线粗糙度。所述方法还可包含在第二暴露中以大于第一剂量率的第二离子剂量率朝向光致抗蚀剂凸纹特征引导离子，其中所述第二离子剂量率用以使光致抗蚀剂凸纹特征膨胀。
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公开(公告)号：CN102498543A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201080040495.0
申请日：2010-08-20
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L21/32139 , G03F7/40 , G03F7/405 , H01L21/0273 , H01L21/0337
Abstract: 一种图案化基底的方法，包括：提供抗蚀剂特征阵列，抗蚀剂特征阵列由相邻抗蚀剂特征之间的第一间距及第一间隙宽度界定。将粒子引入至抗蚀剂特征阵列中，其中抗蚀剂特征阵列变得硬化。引入粒子可引起抗蚀剂特征的关键尺寸减小。在硬化的抗蚀剂特征的侧部部分上提供侧壁。在形成侧壁之后，移除硬化的抗蚀剂特征，从而留下配置于基底上的分离的侧壁阵列。所述侧壁阵列提供遮罩，以对配置于侧壁下方的基底层中的特征进行双图案化，其中形成于基底中的特征阵列具有第二间距，第二间距等于第一间距的一半。
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公开(公告)号：CN103155090B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201180047008.8
申请日：2011-09-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/305
CPC classification number: H01J37/317 , H01J37/3056 , H01J2237/31796 , H01L21/26586 , H01L21/266
Abstract: 一种使用多阶离子植入将图案化光阻改质的方法及其系统。使多个图案化光阻特征的粗糙度轮廓减少的方法包括以下步骤。每个图案化光阻特征包括第一侧壁和位于第一侧壁对面的第二侧壁，其中每个图案化光阻特征包括中频线宽粗糙度和低频线宽粗糙度。执行多个离子照射周期，其中每个离子照射周期包括：以约为五度或大于五度的倾斜角提供离子到第一侧壁；以及以约为五度或大于五度的倾斜角提供离子到第二侧壁。藉由执行多个离子照射周期，中频线宽粗糙度和低频线宽粗糙度减少。
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公开(公告)号：CN103155090A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180047008.8
申请日：2011-09-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/305
CPC classification number: H01J37/317 , H01J37/3056 , H01J2237/31796 , H01L21/26586 , H01L21/266
Abstract: 一种使多个图案化光阻特征的粗糙度轮廓减少的方法。每个图案化光阻特征包括第一侧壁和位于第一侧壁对面的第二侧壁，其中每个图案化光阻特征包括中频线宽粗糙度和低频线宽粗糙度。执行多个离子照射周期，其中每个离子照射周期包括：以约为五度或大于五度的倾斜角提供离子到第一侧壁；以及以约为五度或大于五度的倾斜角提供离子到第二侧壁。藉由执行多个离子照射周期，中频线宽粗糙度和低频线宽粗糙度减少。
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公开(公告)号：CN103003914A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201180023911.0
申请日：2011-03-16
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H01J37/317 , G03F7/40 , H01J37/3171 , H01J37/3174 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/32623 , H01L21/0273 , H01L21/2236 , H01L21/263 , H01L21/265 , H01L29/66787
Abstract: 一种处理光刻胶特征的方法，包括在制程腔室(302)中定位具有一组图案化光刻胶特征(114a)的衬底(112)，此图案化光刻胶特征在衬底的第一面上；在具有等离子体鞘(308b)的制程腔室中邻近于衬底的第一面产生等离子体(306)。此方法可以还包含以等离子体鞘修改器(312)修改介于等离子体(306)和等离子体鞘(308b)之间的边界的形状，使得部分边界的形状不平行于由面对等离子体的衬底(112)的前表面所定义的平面，其中来自等离子体的离子(310)于第一曝露时以广角度范围撞击到图案化光刻胶特征(114a)上。
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