用于处理主体,特别是EUV反射镜的反射镜主体的方法、装置和计算机程序产品

    公开(公告)号:CN119948593A

    公开(公告)日:2025-05-06

    申请号:CN202380069424.0

    申请日:2023-09-13

    Inventor: M·卢本

    Abstract: 本发明涉及一种用于处理主体(20)、特别是EUV反射镜的反射镜主体的方法,其中将离子束(18)引导至主体(20)的待处理表面(21),以便从主体(20)的表面(21)去除材料。离子束(18)沿着表面(21)上的路径(22、23、24、25)被引导,其中路径(22、23、24、25)包括第一部分路径(22)和时间上位于第一部分路径(22)之后的第二部分路径(23),其中离子束(18)在第一部分路径(22)期间扫过整个表面(21),并且其中离子束在第二部分路径(23)期间扫过整个表面(21)。本发明还涉及一种用于处理主体的装置和计算机程序产品。

    考虑射束功率输入的晶片温度控制

    公开(公告)号:CN111052295B

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN201880055598.0

    申请日:2018-09-18

    Abstract: 本发明提供一种在离子注入系统中注入离子期间维持工件温度的系统和方法,其中使用一组预定的参数集来表征离子注入系统。在第一温度下设置受热夹盘,其将工件加热到第一温度。在加热的同时将离子注入到工件中,并通过离子注入将热能施加到工件中。通过选择性在受热夹盘上将工件加热到第二温度,在离子注入期间将工件的期望温度维持在期望精度内。至少部分地基于离子注入系统的表征来维持期望温度。通过在第二温度下选择性在受热夹盘上加热工件,减少从注入施加到工件中的热能。

    一种具有双加载互锁模块的多离子源植入系统及植入方法

    公开(公告)号:CN116246922A

    公开(公告)日:2023-06-09

    申请号:CN202310375253.6

    申请日:2023-04-10

    Inventor: 陈维

    Abstract: 本发明提供一种具有双加载互锁模块的多离子源植入系统及植入方法,其中系统包括有依次相连接的离子束形成模块、植入模块、加载互锁模块和大气传输模块;离子束形成模块和植入模块之间设置有可控制开启和密封关闭的植入门阀,在离子束形成模块靠近植入门阀的位置设置有束流检测装置;加载互锁模块包括有并排设置的第一加载互锁模块和第二加载互锁模块,第一加载互锁模块和第二加载互锁模块用于交替进行平板玻璃的上载和下载工作。本方案在实现超大面积平板玻璃的离子植入的同时,进一步保证了进行植入的离子束品质,并提高了工艺处理效率。

    一种基于聚焦离子束的半导体加工方法、装置以及设备

    公开(公告)号:CN115132557A

    公开(公告)日:2022-09-30

    申请号:CN202211062998.9

    申请日:2022-08-31

    Inventor: 韩娜 赵高锋

    Abstract: 本发明涉及半导体制造领域,公开了一种基于聚焦离子束的半导体加工方法、装置、设备及计算机可读存储介质,将二值图像输入生成器生成铣削后的SEM图像;将生成的SEM图像和实际铣削产生的SEM图像输入判别器,交替训练至模型稳定,损失函数收敛,得到训练完成的生成对抗网络,预测待加工图像对应的SEM图像。本发明还将离子束参数的颜色特征编码为图像特征信息作为附加信息引入条件生成对抗网络,以预测不同离子束参数下铣削的SEM图像。且本发明在模型训练时,不仅引入极小极大值博弈,考虑图像之间的损失差值,还考虑到图像在编码过程中的特征向量之间的损失差值,得到满足约束的生成器,避免生成器中的噪音影响,提高鲁棒性。

    一种基于空间电势限域的3D微纳结构直写系统

    公开(公告)号:CN115101398A

    公开(公告)日:2022-09-23

    申请号:CN202210704210.3

    申请日:2022-06-21

    Applicant: 河南大学

    Abstract: 本发明涉及微纳米技术领域,特别是涉及一种基于空间电势限域的3D微纳结构直写系统,包括:模型构建模块,基于待构筑微纳结构的形态和特点,构建3D结构模型,并生成数字控制信号及直写过程中电子束的驻留时间和扫描速率;数模转换模块,对数字控制信号进行数模转换和放大,得到模拟控制信号;工作台模块,用于承载待写材料,并调整待写材料的角度;电子束模块,用于发射电子束并聚焦在待写材料的上方,并控制电子束的焦点按照设定路径进行扫描,对待写材料进行直写,得到待构筑微纳结构;束闸模块,进行打开和关闭,以控制电子束是否聚焦在待写材料的上方。本发明能够灵活便捷、低成本地实现微纳结构及纳米器件的直写构筑,材料普适性宽。

    一种基于频域参数调节的可控脉冲离子束修形方法

    公开(公告)号:CN114724908A

    公开(公告)日:2022-07-08

    申请号:CN202210284063.9

    申请日:2022-03-22

    Abstract: 本发明公开了一种基于频域参数调节的可控脉冲离子束修形方法。本发明包括获取元件的被修形表面的加工量;将元件的被修形表面网格化,根据加工量计算被修形表面每一个网格的初始的占空比矩阵及面形残差,并进行迭代优化占空比矩阵;根据得到的迭代优化后的占空比矩阵控制脉冲离子束的占空比对元件的被修形表面进行修形。本发明改变了传统保持离子束去除函数加工过程中稳定不变的模式,动态调控去除函数的去除效率,在无需材料去除的区域将占空比置零,避免了基于驻留时间调节带来的额外去除层,提高了修形的收敛比,在保留传统离子束抛光优点的同时,提高了抛光效率,且通过控制单发脉冲去除,提高了离子束修形的最高分辨率。

    一种多线圈电流控制的均匀性调节方法

    公开(公告)号:CN110718434B

    公开(公告)日:2022-04-29

    申请号:CN201810754665.X

    申请日:2018-07-11

    Inventor: 王锦喆 李冠稼

    Abstract: 本发明阐述了一种多线圈电流控制的均匀性调节方法,其特征在于调节9个通电线圈的电流值改变磁场分布,来调节束流整体的均匀性。本方法包括:测量线圈未通电的束流base值(1)、9个线圈分别加相同的电流测量每一的次束流值(2)、根据测量结果算出线圈的影响范围和电流影响的幅度关系(3)、根据束流均值反解出每个线圈电流值(4)、上机验证调节效果(5)。

    用于展示显微图像的显微镜和方法以及计算机程序产品

    公开(公告)号:CN112748559A

    公开(公告)日:2021-05-04

    申请号:CN202011184461.0

    申请日:2020-10-29

    Inventor: J.博尔

    Abstract: 本发明涉及展示至少一个数字显微图像的方法。在该方法的一个步骤中记录样品的第一显微图像,第一显微图像由图像点的矩阵形成并且被逐行记录。逐个获得这些图像点。在记录第一显微图像的同时从第一显微图像确定图像金字塔。图像金字塔由具有逐渐降低的分辨率的至少两个图像层级形成。待记录的第一显微图像形成这些图像层级中的第一图像层级。分别通过如下方式确定这些图像层级中的第二图像层级的图像点:将第一滤波器应用于第一图像层级的最新获得的图像点中的多个图像点并且应用于第一图像层级的与这些图像点相邻的多个图像点。根据用户的选择来显示至少部分确定这些图像层级之一的至少一个局部。另外,本发明涉及显微镜和计算机程序产品。

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