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公开(公告)号:CN101076875B
公开(公告)日:2010-09-01
申请号:CN200580033847.9
申请日:2005-10-07
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor: 张升吾 , 安东尼勒·可雀帝 , 约瑟·P·迪宰桔雷斯契 , 葛列格里·R·吉本雷洛 , 罗扎里欧·马雷卡 , 葛桔·A·洛里斯 , 约瑟·C·欧尔森 , 马黎耶·J·威尔旭
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J2237/24542 , H01J2237/30461 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明揭露一种用来调校离子植入装置系统的离子束调校方法、系统以及程序产品。本发明通过例如横过植入室内的成形器扫描该离子束获得该离子束轮廓;并基于该离子束轮廓调校该离子植入装置系统使估计的植入电流最大化以同时使总离子束电流与离子束点宽最优化,从而使植入电流最大化。另外,调校也可基于该点束中心回馈将该离子束放置在其最佳路径上,这在每一离子束的很多设定过程中减少了离子束设定时间并提供可重复的束角性能,因而改善了离子植入装置系统的生产效率与性能。
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公开(公告)号:CN107548514B
公开(公告)日:2019-09-10
申请号:CN201680024013.X
申请日:2016-04-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor: 乔治·M·葛梅尔 , 摩根·D·艾文斯 , 斯坦尼斯拉夫·S·托多罗夫 , 诺曼·E·赫西 , 葛列格里·R·吉本雷洛
IPC: H01J37/08 , H01J37/304 , H01J37/317 , C23C14/48 , C23C14/54
Abstract: 揭示一种控制植入工艺的装置及一种离子植入机。所述控制植入工艺的装置包括:束扫描器,在非均匀扫描模式期间施加多个不同波形,以产生离子束沿扫描方向的扫描,其中给定波形包括多个扫描区段,其中第一扫描区段包括第一扫描速率且第二扫描区段包括不同于所述第一扫描速率的第二扫描速率;电流探测器,拦截位于基板区之外的所述离子束并记录所述离子束对于给定波形的经测量积分电流;以及扫描调整组件,耦合至所述束扫描器且包括逻辑以用于确定:所述离子束沿所述扫描方向的束宽度何时超过阈值;以及基于所述离子束对于所述多个波形中的至少两个不同波形的所述经测量积分电流来确定多个电流比率。
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公开(公告)号:CN107548514A
公开(公告)日:2018-01-05
申请号:CN201680024013.X
申请日:2016-04-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor: 乔治·M·葛梅尔 , 摩根·D·艾文斯 , 斯坦尼斯拉夫·S·托多罗夫 , 诺曼·E·赫西 , 葛列格里·R·吉本雷洛
IPC: H01J37/08 , H01J37/304 , H01J37/317 , C23C14/48 , C23C14/54
Abstract: 一种装置包括:束扫描器,在非均匀扫描模式期间施加多个不同波形,以产生离子束沿扫描方向的扫描,其中给定波形包括多个扫描区段,其中第一扫描区段包括第一扫描速率且第二扫描区段包括不同于所述第一扫描速率的第二扫描速率;电流探测器,拦截位于基板区之外的所述离子束并记录所述离子束对于给定波形的经测量积分电流;以及扫描调整组件,耦合至所述束扫描器且包括逻辑以用于确定:所述离子束沿所述扫描方向的束宽度何时超过阈值;以及基于所述离子束对于所述多个波形中的至少两个不同波形的所述经测量积分电流来确定多个电流比率。
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公开(公告)号:CN101076875A
公开(公告)日:2007-11-21
申请号:CN200580033847.9
申请日:2005-10-07
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor: 张升吾 , 安东尼勒·可雀帝 , 约瑟·P·迪宰桔雷斯契 , 葛列格里·R·吉本雷洛 , 罗扎里欧·马雷卡 , 葛桔·A·洛里斯 , 约瑟·C·欧尔森 , 马黎耶·J·威尔旭
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J2237/24542 , H01J2237/30461 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明揭露一种用来调校离子植入装置系统的离子束调校方法、系统以及程序产品。本发明通过例如横过植入室内的成形器扫描该离子束获得该离子束轮廓;并基于该离子束轮廓调校该离子植入装置系统使估计的植入电流最大化以同时使总离子束电流与离子束点宽最优化,从而使植入电流最大化。另外,调校也可基于该点束中心回馈将该离子束放置在其最佳路径上,这在每一离子束的很多设定过程中减少了离子束设定时间并提供可重复的束角性能,因而改善了离子植入装置系统的生产效率与性能。
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