光掩模坯、光掩模以及光掩模制造方法

    公开(公告)号:CN102033417B

    公开(公告)日:2014-11-26

    申请号:CN201010298454.3

    申请日:2010-09-29

    Abstract: 本发明提供一种不附着颗粒的光掩模及其制造方法。在相移层(11)上层叠粘接层(12)、刻蚀停止层(13)、遮光层(14),在利用刻蚀液部分地对遮光层(14)进行刻蚀时,利用刻蚀停止层(13)阻止刻蚀的进行,然后,利用氧等离子体除去在遮光层(14)上形成的开口底面的刻蚀停止层。用抗蚀剂覆盖成为相移区域的开口(24),利用刻蚀液除去成为透光区域的开口底面的相移区域(11)。由残留有遮光层(14)的部分形成遮光区域,得到光掩模。将各层(11)~(14)全部形成之后,进行使用了刻蚀液的刻蚀,所以,不存在颗粒的附着。

    溅射用靶
    58.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102121092A

    公开(公告)日:2011-07-13

    申请号:CN201110083662.6

    申请日:2007-07-26

    CPC classification number: C23C14/3414 C23C14/086 C23C14/5806

    Abstract: 提供电阻率低的透明导电膜。本发明的成膜方法中,将以ZnO为主成分、添加有Al2O3和TiO2的靶(11)在真空氛围中进行溅射,在基板(21)表面上形成透明导电膜后,对该透明导电膜在250℃~400℃的温度下进行加热进行退火处理。得到的透明导电膜通过以ZnO为主成分、添加了Al和Ti,电阻率降低。通过本发明成膜的透明导电膜适于FDP等的透明电极。

    溅射装置
    59.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1667155B

    公开(公告)日:2010-05-26

    申请号:CN200510052718.6

    申请日:2005-03-10

    Abstract: 本发明的目的在于,提供一种可以减少异常放电和非腐蚀部,并能够形成膜厚分布均匀的膜的成膜装置。本发明的成膜装置(1)具有多个靶(31a~31f),对不同的靶(31a~31f)施加极性不同的交流电压。当一方的靶(31a~31f)置于负电位时,另一方的靶(31a~31f)置于正电位,并作为阳极起作用,所以,相邻靶(31a~31f)之间不必配置阳极。因相邻的靶(31a~31f)之间什么都不配置,故可以缩短靶(31a~31f)间的距离s,由于在配置了靶(31a~31f)的区域内不放射溅射粒子的面积的比例减小,故溅射粒子均匀地到达衬底(5),从而使膜厚分布变得均匀。

    溅射装置和溅射方法
    60.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1904133B

    公开(公告)日:2010-05-12

    申请号:CN200610107628.7

    申请日:2006-07-28

    Abstract: 本发明的课题是提供在靶上不留下非侵蚀区域而且在进行反应性溅射的情况下能形成均匀的膜质的膜的溅射装置。本发明的溅射装置(2)的其特征在于:具备在真空室(21)内隔开一定的间隔并列地设置的至少3片的靶(241)和对各靶(241)交替地施加负电位和正电位或接地电位的交流电源(E1~E3),使来自交流电源(E1~E3)的至少一个输出分支,连接到至少2片的靶(241)上,在连接到该分支了的输出上的各靶(241)之间设置了作为切换从交流电源施加电位的靶的切换单元的开关(SW1~SW3)。

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