公开(公告)号：CN1693531B

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN200510068427.6

申请日：2005-04-29

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 新井真 ,  石桥晓 ,  小松孝 ,  谷典明 ,  清田淳也 ,  太田淳 ,  杉浦功 ,  中村久三

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/35

CPC classification number: H01J37/3423 ,  C23C14/3407 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3426

Abstract: 溅射靶及使用该靶的溅射方法。在现有技术的溅射靶构型下，在通过施加负DC电压或者高频电压到靶上产生等离子体期间，会导致电流从靶流向接地护罩。因此会产生一个问题，即由于靶的外周表面上不产生等离子体使靶外周的非腐蚀区域保留下来而不被溅射。这会由于充电诱发不正常放电，或者通过在非腐蚀区域上重沉积膜而在基片表面上形成颗粒，其对膜形成的重现性产生影响，减少靶的服务效能。这种问题能够通过本发明加以解决，其中在靶(T)体的溅射表面(Ts)和外周表面(Tc)彼此交叉的区域上形成围绕靶(T)体的倾斜表面(T2)。

公开(公告)号：CN101563737B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN200780047143.6

申请日：2007-12-19

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 永田浩 ,  中村久三 ,  加藤丈夫 ,  中塚笃 ,  向江一郎 ,  伊藤正美 ,  吉泉良 ,  新垣良宪

IPC: H01F41/02 ,  C01B35/04 ,  H01F1/053 ,  H01F1/08

CPC classification number: H01F1/0577 ,  H01F41/0293

Abstract: 能够以高生产效率及低成本制造出永磁铁，其使Dy、Tb附着到规定形状的铁-硼-稀土类系的烧结磁铁表面，并扩散到其晶界相中后形成。在处理室内配置铁-硼-稀土类系的烧结磁铁，加热到规定温度的同时，使配置在同一或另一处理室内的至少含有Dy及Tb中的一种的氟化物构成的蒸发材料V蒸发，使该蒸发的蒸发材料附着到烧结磁铁表面，使该附着的蒸发材料的Dy、Tb的金属原子在烧结磁铁表面上形成由蒸发材料构成的薄膜之前扩散到烧结磁铁的晶界相中。

公开(公告)号：CN101933155B

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN200980103617.3

申请日：2009-03-27

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 山室和弘 ,  佐藤诚一 ,  矢作充 ,  汤山纯平 ,  中村久三

IPC: H01L31/04 ,  G01R31/00

CPC classification number: H01L31/208 ,  H01L31/046 ,  H02S50/10 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种太阳能电池的制造方法，形成包含多个分区单元(21、21s)、彼此相邻的所述分区单元(21、21s)之间被电连接的光电转换体(12)，确定所述光电转换体(12)之中具有结构缺陷的分区单元(21s)，根据在彼此相邻的分区单元(21、21s)之间测量多个位置的电阻值而获得的电阻值的分布，来确定缺陷部位，从而限定在所述分区单元(21s)内存在所述结构缺陷(R、A1、A2、A3)的部位，对存在所述结构缺陷(R、A1、A2、A3)的部位施加偏置电压来去除所述结构缺陷(R、A1、A2、A3)。

公开(公告)号：CN101568998B

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN200880001266.0

申请日：2008-10-29

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 植田昌久 ,  栗本孝志 ,  中村久三 ,  邹弘纲 ,  余吾锐哉 ,  小松一茂 ,  橘信介

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02068 ,  G03F7/427 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32477 ,  H01L21/31138

Abstract: 一种防止处理效率随时间下降的灰化装置。所述灰化装置对基底(W)上的有机材料进行灰化，所述基底包括在处理室(11)中曝露的金属。所述灰化装置包括形成在所述处理室(11)中的路径，活性物种通过所述路径供给至所述腔室(11)。通过所述活性物种而从所述基底(W)散射之金属可聚集于其上的表面(11a；31a；33a；33b)界定出所述路径，所述表面形成为所曝露的金属与从所述基底曝露之金属种类相同。

公开(公告)号：CN101568980B

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN200780047801.1

申请日：2007-12-19

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 永田浩 ,  中村久三 ,  加藤丈夫 ,  中塚笃 ,  向江一郎 ,  伊藤正美 ,  吉泉良 ,  新垣良宪

IPC: H01F41/02 ,  B22F3/00 ,  B22F3/02 ,  B22F3/24 ,  C01B35/04 ,  H01F1/053 ,  H01F1/08

CPC classification number: C22C33/0242 ,  B22F2998/00 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  C22C2202/02 ,  H01F41/0273 ,  H01F41/0293 ,  C22C33/0278 ,  B22F3/12 ,  B22F2201/40 ,  B22F2201/10 ,  B22F2201/20

Abstract: 本发明提供一种以高生产效率制造具有极高顽磁力、高磁特性的永磁铁的制造方法。其包括实施：第1工序，其至少使Dy、Tb中的一种附着到铁一硼一稀土类系烧结磁铁表面的至少一部分上；第2工序，通过在规定温度下实施热处理，使附着在烧结磁铁表面上的Dy、Tb中的至少一种扩散到烧结磁铁的晶界相中；作为烧结磁铁，使用的是将主相合金(主要由R2T14B相构成，R是以Nd为主的至少1种稀土类元素，T是以Fe为主的过渡金属)和液相合金(与R2T14B相比，R的含量更高，主要由R富相构成)的各种粉末按规定混合比混合，将得到的混合粉末在磁场中加压成形，将该成形体在真空或非活性气体气氛中烧结后形成。

公开(公告)号：CN102132418A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200980133228.5

申请日：2009-08-28

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 内田宽人 ,  藤长徹志 ,  植喜信 ,  齐藤一也 ,  中村久三

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/077 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 该光电转换装置的制造方法中，在减压气氛内连续形成构成第一光电转换单元(3)的第一p型半导体层(31)、第一i型半导体层(32)和第一n型半导体层(33)以及由结晶质的硅系薄膜形成的、构成第二光电转换单元(4)的第二p型半导体层(41)，将所述第二p型半导体层(41)暴露在大气气氛中，将构成所述第二光电转换单元(4)的第二i型半导体层(42)和第二n型半导体层(43)形成在暴露在大气气氛中的所述第二光电转换单元(4)的所述p型半导体层(41)上。

公开(公告)号：CN101933155A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200980103617.3

申请日：2009-03-27

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 山室和弘 ,  佐藤诚一 ,  矢作充 ,  汤山纯平 ,  中村久三

IPC: H01L31/04 ,  G01R31/00

CPC classification number: H01L31/208 ,  H01L31/046 ,  H02S50/10 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种太阳能电池的制造方法，形成包含多个分区单元(21、21s)、彼此相邻的所述分区单元(21、21s)之间被电连接的光电转换体(12)，确定所述光电转换体(12)之中具有结构缺陷的分区单元(21s)，根据在彼此相邻的分区单元(21、21s)之间测量多个位置的电阻值而获得的电阻值的分布，来确定缺陷部位，从而限定在所述分区单元(21s)内存在所述结构缺陷(R、A1、A2、A3)的部位，对存在所述结构缺陷(R、A1、A2、A3)的部位施加偏置电压来去除所述结构缺陷(R、A1、A2、A3)。

公开(公告)号：CN101680714A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880019864.0

申请日：2008-06-11

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 小方诚司 ,  中村久三 ,  伊藤胜彦 ,  花本隆史 ,  伊藤薰树

IPC: F26B5/06 ,  F26B17/10

CPC classification number: F26B5/065

Abstract: 本发明提供可快速干燥的冷冻真空干燥装置。使配置在干燥室11内的干燥用冷阱21达到-70℃以下的低温，以冷冻颗粒7不熔融的程度向传送带16上的冷冻颗粒7供给热。从冷冻颗粒7中气化的液体成分量增加，入射到冷冻颗粒7中的液体成分量减少，因此冷冻颗粒7的干燥时间缩短。

公开(公告)号：CN101568980A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200780047801.1

申请日：2007-12-19

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 永田浩 ,  中村久三 ,  加藤丈夫 ,  中塚笃 ,  向江一郎 ,  伊藤正美 ,  吉泉良 ,  新垣良宪

IPC: H01F41/02 ,  B22F3/00 ,  B22F3/02 ,  B22F3/24 ,  C01B35/04 ,  H01F1/053 ,  H01F1/08

CPC classification number: C22C33/0242 ,  B22F2998/00 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  C22C2202/02 ,  H01F41/0273 ,  H01F41/0293 ,  C22C33/0278 ,  B22F3/12 ,  B22F2201/40 ,  B22F2201/10 ,  B22F2201/20

Abstract: 本发明提供一种以高生产效率制造具有极高顽磁力、高磁特性的永磁铁的制造方法。其包括实施：第1工序，其至少使Dy、Tb中的一种附着到铁一硼一稀土类系烧结磁铁表面的至少一部分上；第2工序，通过在规定温度下实施热处理，使附着在烧结磁铁表面上的Dy、Tb中的至少一种扩散到烧结磁铁的晶界相中；作为烧结磁铁，使用的是将主相合金(主要由R2T14B相构成，R是以Nd为主的至少1种稀土类元素，T是以Fe为主的过渡金属)和液相合金(与R2T14B相比，R的含量更高，主要由R富相构成)的各种粉末按规定混合比混合，将得到的混合粉末在磁场中加压成形，将该成形体在真空或非活性气体气氛中烧结后形成。

公开(公告)号：CN101512038A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200780032826.4

申请日：2007-08-29

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 小林大士 ,  小松孝 ,  中村久三 ,  堀下芳邦 ,  依田英德 ,  佐藤重光 ,  中岛利夫

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3464 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3444

Abstract: 提供一种薄膜形成方法以及实施该薄膜形成方法的薄膜形成装置，其并联设置了多个与交流电源连接的电极对，比较该并联设置的电极对中与不同的交流电源连接的彼此相邻电极间的输出，当输出电位差超过规定值的情况下，通过调整上述交流电源的输出，使输出电位差收敛到上述规定值以下。