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公开(公告)号：CN102484137B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201080038623.8
申请日：2010-08-24
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/417
CPC classification number: H01L23/53238 , G02F1/1368 , G02F2201/501 , G02F2202/28 , H01L27/1225 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供不从氧化物半导体或氧化物薄膜剥离，此外铜原子不扩散至氧化物半导体或氧化物薄膜中的电极膜。以Cu-Mg-Al薄膜的高密接性阻挡膜(37)和铜薄膜(38)构成电极层，使高密接性阻挡膜(37)与氧化物半导体或氧化物薄膜接触。高密接性阻挡膜(37)中，在铜、镁、及铝的合计原子数为100at％时，含有镁0.5at％以上5at％以下，含有铝5at％以上15at％以下，在此范围内可兼顾密接性与阻挡性。源极电极层(51)和漏极电极层(52)与氧化物半导体层(34)接触，所以该电极层为合适的，还能将由氧化物构成的停止层(36)配置在电极层的下层。
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公开(公告)号：CN104103730A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410134682.5
申请日：2014-04-04
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L33/40
Abstract: 本发明涉及具有接触电阻小、透射率提高的辅助电极的半导体装置。为了将p型半导体层（17）与正电极（21）电连接，在p型半导体层（17）与正电极（21）之间设有辅助电极层（10）。该辅助电极层（10）由与p型半导体层（17）接触的透明的Ag层（18）和透明的金属氧化物层（19）构成，使接触电阻比未设置Ag层（18）时降低而使透射率提高。多重量子阱层（16）的发光光通过辅助电极层（10）放出到外部。
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公开(公告)号：CN102484138B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201080039374.4
申请日：2010-08-19
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , C22C9/01 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01B5/14 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/423 , H01L29/49
CPC classification number: H01L27/124 , C22C9/00 , C22C9/01 , H01L21/32051 , H01L23/53238 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供不从玻璃基板剥离的电极层或布线层。以形成在玻璃基板(31)表面上的Cu-Mg-Al薄膜的密接膜(37)、和形成在密接膜(37)表面上的铜薄膜(38)构成布线层(30)、栅极电极层(32)。在铜、镁以及铝的合计原子数为100at％时，若含镁范围为0.5at％以上5at％以下、含铝的范围为5at％以上15at％以下，则密接膜(37)对玻璃基板(31)的密接性变高，铜薄膜(38)不会从玻璃基板(31)剥离。布线层(30)与液晶显示装置(2)的像素电极(82)电连接。
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公开(公告)号：CN101971350B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200980109094.3
申请日：2009-04-08
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L23/52
CPC classification number: H01L23/53238 , C23C14/0057 , C23C14/185 , H01L21/2855 , H01L21/76841 , H01L23/53233 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种即使暴露于氢等离子体中也不发生剥离的金属布线膜。由紧贴层(51)和金属低电阻层(52)构成金属布线膜(20a)，该紧贴层(51)在铜中添加有添加金属而成，该金属低电阻层(52)配置在紧贴层(51)上，由纯铜构成。紧贴层(51)中包括含有由Ti、Zr或Cr中的至少一种构成的添加金属和氧的铜合金，当构成与硅层紧贴的源极电极和漏极电极时，即使暴露于氢等离子体中，紧贴层(51)和硅层的界面也不析出铜，在紧贴层(51)和硅层之间不发生剥离。当添加金属变多时，紧贴层(51)不会被用于对金属低电阻层(52)进行蚀刻的蚀刻液蚀刻，所以，能够蚀刻的最大的添加量成为上限。
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公开(公告)号：CN101184864B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200680019034.9
申请日：2006-10-05
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3408 , H01J37/3417 , H01J37/345 , H01J37/3452 , H01J37/347 , H01J37/3482 , H01L51/5203 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种靶的使用效率高的溅射装置。本发明的溅射装置(1)具有：第一、第二环状磁铁(23a、23b)；和在第一、第二环状磁铁(23a、23b)的环的内侧配置的第一、第二磁铁部件(24a、24b)；第一、第二环状磁铁(23a、23b)和第一、第二磁铁部件(24a、24b)其相同磁性的磁极朝向第一、第二靶(21a、21b)背面。因此，相同极性的磁极邻接配置在第一、第二靶(21a、21b)的背面，由于在第一、第二靶(21a、21b)的表面形成的水平磁场分量的强度其绝对值小、且其强度分布窄，垂直磁场分量的强度1均匀，所以，不会在第一、第二靶(21a、21b)上产生非腐蚀部分。
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公开(公告)号：CN101681932A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880018891.6
申请日：2008-06-02
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/49
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L27/124 , H01L29/458
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管制造方法、液晶显示装置制造方法以及电极形成方法。防止电极从基板或硅层发生剥离。将以铜为主要成分的第一铜薄膜(13)暴露在氨气中进行表面处理后，在配置有处理对象物(10)的环境中产生含有硅烷气体和氨气的原料气体的等离子体，在第一铜薄膜(13)的表面形成氮化硅膜。在氨气中预先进行表面处理，从而防止硅烷气体扩散到第一铜薄膜(13)，因此由被进行了表面处理的第一铜薄膜(13)构成的电极不从玻璃基板(11)或硅层剥离，并且电阻值也不变高。
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公开(公告)号：CN101529567A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200780040499.7
申请日：2007-12-26
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3205 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01L21/285 , H01L21/336 , H01L23/52 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/2855 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K3/16 , H05K3/388 , H01L2924/00
Abstract: 形成密接性优良、低电阻的布线膜。在配置有成膜对象物(21)的真空槽(2)中导入氧气，对纯铜靶(11)进行溅射，在成膜对象物(21)的表面上形成以铜为主要成分且含有氧的阻挡膜(22)之后，停止氧气的导入，对纯铜靶(11)进行溅射，形成纯铜的低电阻膜(23)。因为阻挡膜(22)和低电阻膜(23)以铜为主要成分，所以能够一次进行溅射。由于低电阻膜(23)与阻挡膜(22)相比是低电阻，所以，布线膜(25)整体成为低电阻。由于阻挡膜(22)针对玻璃或硅的密接性高，所以，布线膜(25)整体的密接性也高。
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公开(公告)号：CN101180417A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200680018096.8
申请日：2006-10-05
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/086 , C23C14/568 , H01J37/3266 , H01J37/32752 , H01J37/34 , H01J37/3408 , H01J37/347
Abstract: 本发明提供一种靶的使用效率高的溅射装置。本发明的溅射装置(1)具有移动部件(28a、28b)，移动部件(28a、28b)可使第一、第二磁铁部件(23a、23b)在与第一、第二靶(21a、21b)的表面平行的面内移动。如果第一、第二磁铁部件(23a、23b)移动，则磁力线也移动，第一、第二靶(21a、21b)表面的高侵蚀区域也移动，因此第一、第二靶(21a、21b)表面的广泛区域可被溅射。
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公开(公告)号：CN107109635A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201680004797.X
申请日：2016-09-21
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供不发生电弧放电，而可在树脂基板上形成不剥落的导电膜的溅射靶。在具有由树脂构成的基体的加工基板32上形成有合金薄膜的溅射靶55中，相对于含有多于50原子%的Cu、以5原子%以上且40原子%以下的范围含有Ni、且以3原子%以上且10原子%以下的范围含有Al的100原子%的基材，以0.01原子%以上的含有率含有由Zn和Mn中的任一种或两种构成的添加物。由于得到无孔隙的溅射靶，所以不发生电弧放电。
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