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公开(公告)号：CN101971350B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200980109094.3
申请日：2009-04-08
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L23/52
CPC classification number: H01L23/53238 , C23C14/0057 , C23C14/185 , H01L21/2855 , H01L21/76841 , H01L23/53233 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种即使暴露于氢等离子体中也不发生剥离的金属布线膜。由紧贴层(51)和金属低电阻层(52)构成金属布线膜(20a)，该紧贴层(51)在铜中添加有添加金属而成，该金属低电阻层(52)配置在紧贴层(51)上，由纯铜构成。紧贴层(51)中包括含有由Ti、Zr或Cr中的至少一种构成的添加金属和氧的铜合金，当构成与硅层紧贴的源极电极和漏极电极时，即使暴露于氢等离子体中，紧贴层(51)和硅层的界面也不析出铜，在紧贴层(51)和硅层之间不发生剥离。当添加金属变多时，紧贴层(51)不会被用于对金属低电阻层(52)进行蚀刻的蚀刻液蚀刻，所以，能够蚀刻的最大的添加量成为上限。
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公开(公告)号：CN101529567A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200780040499.7
申请日：2007-12-26
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3205 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01L21/285 , H01L21/336 , H01L23/52 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/2855 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K3/16 , H05K3/388 , H01L2924/00
Abstract: 形成密接性优良、低电阻的布线膜。在配置有成膜对象物(21)的真空槽(2)中导入氧气，对纯铜靶(11)进行溅射，在成膜对象物(21)的表面上形成以铜为主要成分且含有氧的阻挡膜(22)之后，停止氧气的导入，对纯铜靶(11)进行溅射，形成纯铜的低电阻膜(23)。因为阻挡膜(22)和低电阻膜(23)以铜为主要成分，所以能够一次进行溅射。由于低电阻膜(23)与阻挡膜(22)相比是低电阻，所以，布线膜(25)整体成为低电阻。由于阻挡膜(22)针对玻璃或硅的密接性高，所以，布线膜(25)整体的密接性也高。
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公开(公告)号：CN102203947B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN200980142083.5
申请日：2009-10-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/336 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/66765 , C23C14/0036 , C23C14/185 , C23C14/5826 , H01L21/2855 , H01L23/53233 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管的制造方法以及薄膜晶体管，提供一种即使暴露在氢等离子体中也不会剥离的金属布线膜。由含有铜、Ca、氧的紧贴层（51）、电阻比紧贴层（51）低的金属低电阻层（52）（铜合金或者纯铜的层）构成金属布线膜（20a）。在紧贴层（51）中含有包含Ca和氧的铜合金，当构成与欧姆接触层（18）紧贴的源极电极膜（27）和漏极电极膜（28）时，即使暴露在氢等离子体中，在紧贴层（51）和欧姆接触层（18）的界面形成的含有Cu氧化物也不被还原，在紧贴层（51）和硅层之间不会发生剥离。
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公开(公告)号：CN102804341A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201080025725.6
申请日：2010-06-07
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/28 , C22C9/00 , G02F1/1343 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/52 , H01L23/522 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786
CPC classification number: H01L23/53238 , C22C9/00 , G02F2001/136295 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种不使导电性布线膜的电阻率上升的技术。在高温下暴露于在化学结构中具有Si原子的气体中的导电性布线膜(9a、9b)的表面，设置以0.3原子%以上的含有率含有Ca的导电层(52)。在导电层(52)的表面形成含有Si的栅极绝缘层或保护膜时，即使导电层(52)暴露于在化学结构中具有Si的原料气体中，Si原子也不扩散到导电层(52)的内部，所以，电阻值不上升。为了防止来自玻璃基板或硅半导体的Si扩散，也能够形成CuCaO层作为紧贴层。
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公开(公告)号：CN101501820B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200780029519.0
申请日：2007-08-08
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/285 , G02F1/1345 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/41733 , C23C14/185 , C23C14/3407 , C23C14/5806 , H01L21/2855 , H01L21/76843 , H01L21/76877 , H01L23/53238 , H01L27/124 , H01L29/42384 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明形成密合性高且电阻率低的导电膜。在导入了氧化气体的真空气氛中溅镀以铜为主成分的靶，形成以铜为主成分且含有Ti或Zr等添加金属的导电膜25。这种导电膜25对硅层23或玻璃基板22的密合性高且难以从基板22剥离。而且，电阻率低且对透明导电膜的接触电阻也低，因此，即便用于电极膜的场合也不会恶化电气特性。因而，通过本发明形成的导电膜25特别适合TFT或半导体元件的电极膜或障壁膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101529567B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200780040499.7
申请日：2007-12-26
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3205 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01L21/285 , H01L21/336 , H01L23/52 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/2855 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K3/16 , H05K3/388 , H01L2924/00
Abstract: 形成密接性优良、低电阻的布线膜。在配置有成膜对象物(21)的真空槽(2)中导入氧气，对纯铜靶(11)进行溅射，在成膜对象物(21)的表面上形成以铜为主要成分且含有氧的阻挡膜(22)之后，停止氧气的导入，对纯铜靶(11)进行溅射，形成纯铜的低电阻膜(23)。因为阻挡膜(22)和低电阻膜(23)以铜为主要成分，所以能够一次进行溅射。由于低电阻膜(23)与阻挡膜22相比是低电阻，所以，布线膜(25)整体成为低电阻。由于阻挡膜(22)针对玻璃或硅的密接性高，所以，布线膜(25)整体的密接性也高。
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公开(公告)号：CN101529566A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200780040402.2
申请日：2007-12-26
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3205 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01L21/285 , H01L21/336 , H01L23/52 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/2855 , H01L23/53233 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K3/16 , H05K3/388 , H01L2924/00
Abstract: 形成密合性和阻挡(barrier)性优异、电阻值低的布线膜。向配置了成膜对象物21的真空槽2导入氧气，在包含氧的真空气氛中，溅镀以铜为主成分并含有从Mg、Al、Si、Be、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb和Dy所形成添加元素群选择的至少一种添加元素的溅镀靶11，在成膜对象物21表面形成第一金属膜23，然后在停止导入氧气的状态下，对溅镀靶11进行溅镀，在第一金属膜23表面形成第二金属膜24之后，蚀刻第一、第二金属膜23、24而形成布线膜。
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公开(公告)号：CN101133181A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200680006500.X
申请日：2006-03-03
Applicant: 株式会社爱发科 , 爱发科材料股份有限公司
IPC: C23C14/34 , H01L21/285 , C22C1/02
CPC classification number: C22C1/026 , C23C14/3414
Abstract: 本发明安全添加在大气中易于起火的添加物来便宜地制作靶。在低氧环境气体中，往主材料中添加添加物，形成熔融状态的一次合金13，在大气环境中往熔融状态的一次合金13中添加主材料进行增量，制作二次合金。熔融或固体状态的一次合金13、18是稳定的，因此在大气中不起火。一次合金13、18比二次合金量少，因此用于形成一次环境气体的真空槽11为小型的即可。
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公开(公告)号：CN102203947A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200980142083.5
申请日：2009-10-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/336 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/66765 , C23C14/0036 , C23C14/185 , C23C14/5826 , H01L21/2855 , H01L23/53233 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管的制造方法以及薄膜晶体管，提供一种即使暴露在氢等离子体中也不会剥离的金属布线膜。由含有铜、Ca、氧的紧贴层（51）、电阻比紧贴层（51）低的金属低电阻层（52）（铜合金或者纯铜的层）构成金属布线膜（20a）。在紧贴层（51）中含有包含Ca和氧的铜合金，当构成与欧姆接触层（18）紧贴的源极电极膜（27）和漏极电极膜（28）时，即使暴露在氢等离子体中，在紧贴层（51）和欧姆接触层（18）的界面形成的含有Cu氧化物也不被还原，在紧贴层（51）和硅层之间不会发生剥离。
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公开(公告)号：CN102097472A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010535877.2
申请日：2007-12-26
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L29/78 , H01L29/786 , H01L23/532 , H01L21/285
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/2855 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K3/16 , H05K3/388 , H01L2924/00
Abstract: 形成密接性优良、低电阻的布线膜。在配置有成膜对象物(21)的真空槽(2)中导入氧气，对纯铜靶(11)进行溅射，在成膜对象物(21)的表面上形成以铜为主要成分且含有氧的阻挡膜(22)之后，停止氧气的导入，对纯铜靶(11)进行溅射，形成纯铜的低电阻膜(23)。因为阻挡膜(22)和低电阻膜(23)以铜为主要成分，所以能够一次进行溅射。由于低电阻膜(23)与阻挡膜22相比是低电阻，所以，布线膜(25)整体成为低电阻。由于阻挡膜(22)针对玻璃或硅的密接性高，所以，布线膜(25)整体的密接性也高。
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