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公开(公告)号：CN101962752A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN201010524867.9
申请日：2010-10-29
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种真空蒸发法制备太阳能电池ZnS/SnS双层薄膜的方法，属太阳能电池无机薄膜元件制备工艺技术领域。本发明使用P半导体SnS为作为吸收层，使用真空蒸发系统，采用连续分舟蒸发ZnS和SnS薄膜获得双层薄膜的方式。调整样品架本发明中，ITO玻璃衬底温度控制为150℃～160℃，真空压力为2~3×10-3Pa，衬底与蒸发源钼舟间的距离为20cm左右，控制SnS和ZnS的蒸发温度为1000～1200℃；蒸发过程完成后，进入真空管式退火炉进行退火，退火的温度分别选择为300℃，400℃和500℃。本发明方法工艺简单，薄膜制备的效率高，制得的薄膜具有良好的电学和光学性能，适合应用于太阳能电池。
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公开(公告)号：CN1188160A
公开(公告)日：1998-07-22
申请号：CN97106741.4
申请日：1997-11-24
Applicant: 上海大学
Abstract: 金刚石复合膜是属于薄膜技术领域,它是以高频等离子体法制成的类金刚石膜上再以微波等离子体法化学气相沉积而成。涂覆于硅太阳能电池及红外探测器上,具有光学增透效应。本发明解决了此类光电器件的光电转换效应及光透性差的问题,且又有更佳的钝化作用,尤其使硅太阳能电池光谱响应波长范围拉宽,增透率为40%理论值接近,用于红外探测器特别Hgde器件上解决了光透材料,使平均透过率提高。
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公开(公告)号：CN109560199A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811433269.3
申请日：2018-11-28
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明提供了一种基于低压闪蒸晶化的钙钛矿薄膜光电器件的制备方法，属于光电器件领域。本发明在TiO2致密层上旋涂卤化铅，在卤化铅薄膜上滴加卤化甲胺溶液后在低压条件下进行闪蒸晶化，从而得到钙钛矿薄膜。本发明的制备方法通过低压闪蒸诱导晶化，在低压下以更低的沸点将溶剂迅速蒸发干净，然后将钙钛矿的各种反应物以可控的速率析出，再根据奥斯瓦尔德熟化效应使晶粒之间互相吞并生长成大晶粒。与常规的“两步法”相比，本发明提供的制备方法得到的钙钛矿薄膜表面更加均匀平整，整个钙钛矿薄膜层晶化程度更高。
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公开(公告)号：CN105679881B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201610120003.8
申请日：2016-03-03
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种铜铟硫基薄膜太阳能电池的制备方法，该电池结构自下至上依次为：衬底/Ti‑TiN‑Mo背电极/Cu1‑xNaxInS2/CuInS2/Cu1‑xAgxInS2吸收层/Cd1‑xZnxS阻挡层i‑ZnO/Al:ZnO窗口层/Al(Ni)前电极，该方法步骤为：(1)衬底清洗及预处理；(2)在衬底上制备Ti/TiN/Mo背电极；(3)在Ti/TiN/Mo背电极上制备Cu1‑xNaxInS2/CuInS2/Cu1‑xAgxInS2吸收层；(4)在吸收层上制备Cd1‑xZnxS阻挡层；(5)在Cd1‑xZnxS阻挡层上依次淀积i‑ZnO薄膜、Al：ZnO薄膜，制成i‑ZnO/Al:ZnO窗口层；(6)采用真空热蒸法在i‑ZnO/Al:ZnO窗口层上蒸镀Al(Ni) 前电极,获得铜铟硫基薄膜太阳能电池。.本发明制备的铜铟硫基薄膜太阳能电池，该电池的背电极的与玻璃衬底及吸收层薄膜之间粘接的粘附性强，不易剥落，可靠性高，各层之间的串联电阻小，能提高光电能量转换效率。
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公开(公告)号：CN105489699B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201510871286.5
申请日：2015-12-02
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种用于太阳能薄膜电池前电极的AZO/Ag/AZO复合膜的制备方法，用于太阳能电池电极制备技术领域。它利用物理射频磁控溅射法和直流磁控溅射法分别制备AZO层和Ag层，并通过控制快速热处理条件来形成不同大小和尺寸的具有椭圆形状的Ag纳米颗粒。本发明获得了一种具有非球形Ag纳米颗粒的薄膜层的太阳能电池前电极，其中Ag纳米颗粒等离子体在长波靠近红外方向的共振吸收方面有较大潜力，这对应用于硅基太阳能电池上是有利的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105679881A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610120003.8
申请日：2016-03-03
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/0322
Abstract: 本发明公开了一种铜铟硫基薄膜太阳能电池的制备方法，该电池结构自下至上依次为：衬底/Ti-TiN-Mo背电极/Cu1-xNaxInS2/CuInS2/Cu1-xAgxInS2吸收层/Cd1-xZnxS阻挡层i-ZnO/Al:ZnO窗口层/Al(Ni)前电极，该方法步骤为：(1)衬底清洗及预处理；(2)在衬底上制备Ti/TiN/Mo背电极；(3)在Ti/TiN/Mo背电极上制备Cu1-xNaxInS2/CuInS2/Cu1-xAgxInS2吸收层； (4)在吸收层上制备Cd1-xZnxS阻挡层；(5)在Cd1-xZnxS阻挡层上依次淀积i-ZnO薄膜、Al：ZnO薄膜，制成i-ZnO/Al:ZnO窗口层；(6)采用真空热蒸法在i-ZnO/Al:ZnO窗口层上蒸镀Al(Ni) 前电极,获得铜铟硫基薄膜太阳能电池。本发明制备的铜铟硫基薄膜太阳能电池，该电池的背电极的与玻璃衬底及吸收层薄膜之间粘接的粘附性强，不易剥落，可靠性高，各层之间的串联电阻小，能提高光电能量转换效率。
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公开(公告)号：CN104386743B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201410688295.6
申请日：2014-11-26
Applicant: 上海大学
IPC: C01G23/053
Abstract: 本发明属于纳米材料领域，涉及一种锐钛矿型TiO2纳米管的溶剂热制备方法。其制备工艺流程为：以冰乙酸为溶剂，TiF4为钛源，F127（嵌段共聚物，聚氧乙烯-聚氧丙烯-聚氧乙烯）作为表面活性剂，通过溶剂热法制备出无定型的TiO2纳米管，经过热处理后得到锐钛型TiO2纳米管。其中，冰乙酸用量为10-50mL，TiF4用量为50-150mg，F127用量为1-5g，反应温度为160-200℃，保温时间为12-48h，热处理温度为450-550℃，热处理时间为1-3h。本发明所提供的一种锐钛矿型TiO2纳米管的溶剂热制备方法，合成步骤简单，成本较低，不使用强碱溶液，适合大规模合成。
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公开(公告)号：CN105489699A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510871286.5
申请日：2015-12-02
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1884
Abstract: 本发明公开了一种用于太阳能薄膜电池前电极的AZO/Ag/AZO复合膜的制备方法，用于太阳能电池电极制备技术领域。它利用物理射频磁控溅射法和直流磁控溅射法分别制备AZO层和Ag层，并通过控制快速热处理条件来形成不同大小和尺寸的具有椭圆形状的Ag纳米颗粒。本发明获得了一种具有非球形Ag纳米颗粒的薄膜层的太阳能电池前电极，其中Ag纳米颗粒等离子体在长波靠近红外方向的共振吸收方面有较大潜力，这对应用于硅基太阳能电池上是有利的。
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公开(公告)号：CN104386743A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410688295.6
申请日：2014-11-26
Applicant: 上海大学
IPC: C01G23/053
CPC classification number: C01G23/047 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/13
Abstract: 本发明属于纳米材料领域，涉及一种锐钛矿型TiO2纳米管的溶剂热制备方法。其制备工艺流程为：以冰乙酸为溶剂，TiF4为钛源，F127（嵌段共聚物，聚氧乙烯-聚氧丙烯-聚氧乙烯）作为表面活性剂，通过溶剂热法制备出无定型的TiO2纳米管，经过热处理后得到锐钛型TiO2纳米管。其中，冰乙酸用量为10-50mL，TiF4用量为50-150mg，F127用量为1-5g，反应温度为160-200℃，保温时间为12-48h，热处理温度为450-550℃，热处理时间为1-3h。本发明所提供的一种锐钛矿型TiO2纳米管的溶剂热制备方法，合成步骤简单，成本较低，不使用强碱溶液，适合大规模合成。
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公开(公告)号：CN104022023A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410285021.2
申请日：2014-06-24
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/205 , H01L21/30 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02598 , H01L21/0262 , H01L21/02672 , H01L21/02683
Abstract: 本发明涉及准分子激光辅助醋酸镍溶液金属诱导晶化非晶硅薄膜的方法，属于多晶硅薄膜制备工艺技术领域。以载玻片为衬底，用等离子体增强气相沉积法在衬底上沉积非晶硅薄膜；将醋酸镍溶于酒精和甲苯的混合溶液，并加入乙基纤维素，配置成粘稠性溶液；将所配置的溶液旋涂，随后在400℃~450℃退火1~2小时；然后将样品固定在载物台上，通过蝇眼整形后的193nm的ArF准分子激光对整个样品表面进行扫描处理，这样便实现了非晶硅薄膜的诱导晶化。和传统激光晶化法相比，降低了晶化所需的激光功率；和常规金属诱导晶化法相比，减少了残余金属污染物的量，缩短了退火时间，具有制备工艺简单、污染小和成本低等特点。因此本发明制备的多晶硅薄膜可适用于薄膜晶体管、太阳能电池等微电子制造领域。
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