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公开(公告)号：CN119978997A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510146360.0
申请日：2025-02-10
Applicant: 上海大学
IPC: C09D183/04 , E04G23/02 , E04G23/03 , E04H9/16 , C09D7/61
Abstract: 本发明涉及一种古建筑砖瓦抗冻融保护材料及其制备方法和应用。所述保护材料通过溶胶‑凝胶法制备而成，原料包括正硅酸四乙酯和端羟基聚二甲基硅氧烷，溶剂为乙醇，水解剂为去离子水，催化剂为草酸二水合物；其中正硅酸四乙酯:去离子水:草酸二水合物的摩尔比为1:4:0.17，所述端羟基聚二甲基硅氧烷占所述保护材料中的总固含量的1‑4wt％。本发明得到的保护材料通过端羟基聚二甲基硅氧烷和疏水型气相纳米二氧化硅颗粒的引入有效的减少了正硅酸四乙酯凝胶网络的开裂，并增强了材料在寒冷气候下的稳定性。该材料的良好渗透性和疏水性有效提升了古建筑砖瓦的抗冻融能力，保持了文物的透气性和结构完整性，适用于寒冷地区的长效保护。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103993355B
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201410193673.3
申请日：2014-05-09
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种CuInS2单晶体的制备方法，把高纯原料粉末Cu、In、S均匀混合，真空封装入反应器，并用单一温区摇摆炉混晶的方法制备了CuInS2多晶锭，作后续籽晶和单晶生长的原料，然后用布里奇曼法制备小的CuInS2单晶块作籽晶，最后用磁场和籽晶辅助的移动加热法生长大的CuInS2单晶，本发明还公开了一种CuInS2单晶体制备装置，由反应容器、垂直炉和外加磁场系统组成。本发明改善了常规移动加热法制备CuInS2晶体时，生长速度较慢的问题，同时提高了晶体的生长速度和晶体的利用率，有效解决大直径单晶CuInS2的制备工艺问题，并为制备性能优越的CuInS2薄膜太阳电池提供理论和实践的基础。
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公开(公告)号：CN118624817A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202310228328.8
申请日：2023-03-10
Applicant: 上海大学
Abstract: 一种测试植物根系吸水特性的实验装置和方法，包括用于模拟大气降雨的降雨模块，降雨模块为上下开口的盒体，内部设有上层出水面板和下层出水面板，上层出水面板和下层出水面板设有多个出水孔；种植模块，种植模块为上下开口的盒体，种植模块的下方开口处设有底板，底板设有多个出水孔且填充有土壤，降雨模块的下方开口连接于种植模块的上方开口；水回收模块，包括底架和回收盒，底架为上方开口的盒体，回收盒设于底架内，种植模块的下方开口连接于底架的上方开口；湿度监测装置，包括主体和与主体连接的湿度传感器，湿度传感器设于土壤内。本发明能够通过模拟不同降雨量条件下植物的生长，从而测试植物根系在不同环境下的吸水特性。
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公开(公告)号：CN105679881B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201610120003.8
申请日：2016-03-03
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种铜铟硫基薄膜太阳能电池的制备方法，该电池结构自下至上依次为：衬底/Ti‑TiN‑Mo背电极/Cu1‑xNaxInS2/CuInS2/Cu1‑xAgxInS2吸收层/Cd1‑xZnxS阻挡层i‑ZnO/Al:ZnO窗口层/Al(Ni)前电极，该方法步骤为：(1)衬底清洗及预处理；(2)在衬底上制备Ti/TiN/Mo背电极；(3)在Ti/TiN/Mo背电极上制备Cu1‑xNaxInS2/CuInS2/Cu1‑xAgxInS2吸收层；(4)在吸收层上制备Cd1‑xZnxS阻挡层；(5)在Cd1‑xZnxS阻挡层上依次淀积i‑ZnO薄膜、Al：ZnO薄膜，制成i‑ZnO/Al:ZnO窗口层；(6)采用真空热蒸法在i‑ZnO/Al:ZnO窗口层上蒸镀Al(Ni) 前电极,获得铜铟硫基薄膜太阳能电池。.本发明制备的铜铟硫基薄膜太阳能电池，该电池的背电极的与玻璃衬底及吸收层薄膜之间粘接的粘附性强，不易剥落，可靠性高，各层之间的串联电阻小，能提高光电能量转换效率。
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公开(公告)号：CN105679881A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610120003.8
申请日：2016-03-03
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/0322
Abstract: 本发明公开了一种铜铟硫基薄膜太阳能电池的制备方法，该电池结构自下至上依次为：衬底/Ti-TiN-Mo背电极/Cu1-xNaxInS2/CuInS2/Cu1-xAgxInS2吸收层/Cd1-xZnxS阻挡层i-ZnO/Al:ZnO窗口层/Al(Ni)前电极，该方法步骤为：(1)衬底清洗及预处理；(2)在衬底上制备Ti/TiN/Mo背电极；(3)在Ti/TiN/Mo背电极上制备Cu1-xNaxInS2/CuInS2/Cu1-xAgxInS2吸收层； (4)在吸收层上制备Cd1-xZnxS阻挡层；(5)在Cd1-xZnxS阻挡层上依次淀积i-ZnO薄膜、Al：ZnO薄膜，制成i-ZnO/Al:ZnO窗口层；(6)采用真空热蒸法在i-ZnO/Al:ZnO窗口层上蒸镀Al(Ni) 前电极,获得铜铟硫基薄膜太阳能电池。本发明制备的铜铟硫基薄膜太阳能电池，该电池的背电极的与玻璃衬底及吸收层薄膜之间粘接的粘附性强，不易剥落，可靠性高，各层之间的串联电阻小，能提高光电能量转换效率。
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公开(公告)号：CN103993355A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410193673.3
申请日：2014-05-09
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种CuInS2单晶体的制备方法，把高纯原料粉末Cu、In、S均匀混合，真空封装入反应器，并用单一温区摇摆炉混晶的方法制备了CuInS2多晶锭，作后续籽晶和单晶生长的原料，然后用布里奇曼法制备小的CuInS2单晶块作籽晶，最后用磁场和籽晶辅助的移动加热法生长大的CuInS2单晶，本发明还公开了一种CuInS2单晶体制备装置，由反应容器、垂直炉和外加磁场系统组成。本发明改善了常规移动加热法制备CuInS2晶体时，生长速度较慢的问题，同时提高了晶体的生长速度和晶体的利用率，有效解决大直径单晶CuInS2的制备工艺问题，并为制备性能优越的CuInS2薄膜太阳电池提供理论和实践的基础。
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