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公开(公告)号：CN101950769A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010215805.X
申请日：2010-06-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及的是一种CdTe薄膜太阳能电池欧姆接触背电极的制造方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。该背电极为CuxO/Cu复合电极，电极结构如图所示；电极制备方法是：采用磁控溅射仪在CdTe薄膜上溅射电极，溅射靶材为高纯Cu电极；溅射时先通入氩气和氧气的混合气体，采用直流磁控法溅射Cu靶从而在CdTe薄膜表面形成CuxO电极；溅射一定时间后关闭氧气气源，继续溅射，从而形成CuxO/Cu复合电极；CuxO/Cu复合电极制备后，将薄膜真空高温退火。采用该复合电极及电极制备方法可以使CdTe薄膜太阳能电池的效率得到提高，促进其应用。
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公开(公告)号：CN101692468A
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200910196564.6
申请日：2009-09-27
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/113
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种基于自支撑金刚石薄膜的金属Pb-氰化物SiO2-P型金刚石薄膜半导体场效应晶体管的制备方法，属于光电探测器件制造工艺技术领域。本发明的特点是：(1)利用具有p型导电类型金刚石薄膜作为表面p型沟道层，其是p型金刚石薄膜不是通过掺杂获得，而是采用氢等离子体刻蚀的方法在自支撑金刚石的成核面获得H终端P型金刚石薄膜半导体导电层。(2)去除了一般常用的硅衬底，采用了具有一定厚度的自支撑金刚石薄膜。本发明的金刚石薄膜光敏晶体管可适用于高温、高频、大功率及恶劣环境条件下的应用；并具有较高的稳定性能，响应速度快，抗辐照能力强。
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公开(公告)号：CN100593842C
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200810040004.7
申请日：2008-07-01
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/338
Abstract: 本发明涉及一种纳米晶金刚石薄膜场效应晶体管的制备方法，该方法主要步骤：硅衬底预处理后放入微波等离子体化学气相沉积装置的反应室内作为沉积衬底；在甲烷与氢气的混合反应气体中进行金刚石薄膜生长，然后用进行氢等离子体刻蚀，即得p型纳米晶金刚石薄膜；再采用离子束溅射仪及光刻掩模技术在p型纳米晶金刚石薄膜表面制作场效应晶体管的源、漏和栅电极。本发明不需抛光处理就可以直接进行器件制作，具有制作工艺简便和成本较低，有利于促进金刚石基器件的大规模应用。
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公开(公告)号：CN101325153A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200810040637.8
申请日：2008-07-16
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种半导体基片热沉复合材料的制备方法，该方法主要步骤：钽丝预处理，硅衬底预处理，硅片预处理后放入热丝化学气相沉积装置的反应室内作为沉积衬底；抽真空后通入反应物氢气和丙酮，进行微米晶金刚石薄膜成核；调节丙酮和氢气流量及温度等条件，进行微米晶金刚石薄膜生长；然后进行纳米晶金刚石薄膜生长：调节丙酮和氢气的流量，衬底温度控制在600～650℃，薄膜生长时间3～5小时，由此获得表面比较光滑的金刚石复合薄膜，即为半导体基片热沉的复合材料。本发明设备简单、生长速度快、质量较好、易实现大面积沉积等优点。
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公开(公告)号：CN1900356A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610029242.9
申请日：2006-07-21
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种强磁场下金刚石薄膜的制备方法，它是先对基片进行预处理，然后放入带有超导磁铁线圈的热丝化学气相沉积装置的真空反应室中，通入氢气和丙酮，经过氢等离子体清洗、表面碳化、偏压增强成核和生长四个过程制得高质量高度定向金刚石膜，后两个过程施加1～14T的强磁场。本发明是一种高效制备高质量高度定向CVD金刚石膜的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102629645A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201210124690.2
申请日：2012-04-26
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种新型CdS-CdZnTe薄膜太阳能电池制备方法。本方法通过两步掺Zn法掺入一定量的Zn，可更容易控制薄膜中Zn的含量，并且可得到有利于提高电池性能的Zn分布，使其在背接触附近的薄膜层中具有较高的Zn含量，达到类似过渡层的效果，从而提高了电池的总体效率。
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公开(公告)号：CN101303979A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200810040004.7
申请日：2008-07-01
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/338
Abstract: 本发明涉及一种纳米晶金刚石薄膜场效应晶体管的制备方法，该方法主要步骤：硅衬底预处理后放入微波等离子体化学气相沉积装置的反应室内作为沉积衬底；在甲烷与氢气的混合反应气体中进行金刚石薄膜生长，然后用进行氢等离子体刻蚀，即得p型纳米晶金刚石薄膜；再采用离子束溅射仪及光刻掩模技术在p型纳米晶金刚石薄膜表面制作场效应晶体管的源、漏和栅电极。本发明不需抛光处理就可以直接进行器件制作，具有制作工艺简便和成本较低，有利于促进金刚石基器件的大规模应用。
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公开(公告)号：CN101303973A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200810040045.6
申请日：2008-07-01
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/04
Abstract: 本发明涉及一种n－ZnO/p－自支撑金刚石薄膜异质结的制备方法，该方法主要步骤：硅衬底预处理后放入微波等离子体化学气相沉积装置的反应室内作为沉积衬底；在甲烷与氢气的混合反应气体中进行金刚石薄膜成核、生长，然后用HNO3与HF的混合溶液浸泡腐蚀掉硅衬底形成自支撑金刚石薄膜；自支撑金刚石薄膜p型化处理；用磁控溅射仪及高纯ZnO陶瓷溅射靶材，在氩气气氛中溅射，即得n－ZnO/p－自支撑金刚石薄膜异质结。本发明不需抛光处理就可以直接进行ZnO/金刚石异质结的生长，简化了制作工艺，降低了成本，有利于促进ZnO/金刚石异质结器件的大规模应用。
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公开(公告)号：CN100432287C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200610029242.9
申请日：2006-07-21
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种强磁场下金刚石薄膜的制备方法，它是先对基片进行预处理，然后放入带有超导磁铁线圈的热丝化学气相沉积装置的真空反应室中，通入氢气和丙酮，经过氢等离子体清洗、表面碳化、偏压增强成核和生长四个过程制得高质量高度定向金刚石膜，后两个过程施加1～14T的强磁场。本发明是一种高效制备高质量高度定向CVD金刚石膜的方法。
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公开(公告)号：CN101237009A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810034103.4
申请日：2008-02-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种基于(100)定向金刚石薄膜的共面栅结构紫外光探测器器件的制备方法。属紫外光探测器器件制备工艺技术领域。本发明共面栅紫外光探测器的特点是在金刚石薄膜表面为一对叉指电极，衬底硅背面为一背电极；采用光刻方法制作表面叉指电极；使用磁控溅射法制作背电极；在薄膜表面的叉指电极上镀覆有金薄膜，而背电极为铝金属膜。在工作时，在叉指电极的两半电极上分别加上正的高压和正的低压，背电极则加上负高压，探测信号从阳极读出，因此收集信号都是电子，由于电子迁移率高，所以探测器的灵敏度得到很大提高，而且具有极快的响应时间。
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