-
公开(公告)号：CN109560199A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811433269.3
申请日：2018-11-28
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明提供了一种基于低压闪蒸晶化的钙钛矿薄膜光电器件的制备方法，属于光电器件领域。本发明在TiO2致密层上旋涂卤化铅，在卤化铅薄膜上滴加卤化甲胺溶液后在低压条件下进行闪蒸晶化，从而得到钙钛矿薄膜。本发明的制备方法通过低压闪蒸诱导晶化，在低压下以更低的沸点将溶剂迅速蒸发干净，然后将钙钛矿的各种反应物以可控的速率析出，再根据奥斯瓦尔德熟化效应使晶粒之间互相吞并生长成大晶粒。与常规的“两步法”相比，本发明提供的制备方法得到的钙钛矿薄膜表面更加均匀平整，整个钙钛矿薄膜层晶化程度更高。
Search Results
1
records
(took 0.017 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
