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公开(公告)号：CN103289683A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310167245.9
申请日：2013-05-09
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及用溶胶凝胶过程，制备SiO2包覆的CdS量子点纳米复合薄膜，属半导体纳米复合薄膜制备技术领域。主要解决了包覆后CdS量子点，具良好的分散性，改善发光效率及耐腐蚀性等。具体步骤是以硝酸镉，硫化钠，TGA为主要原料，采用化学水浴法，制备高浓度的CdS量子点溶液；又以TEOS（正硅酸乙酯），无水乙醇，浓盐酸，去离子水为原料，获SiO2溶胶；然后，溶胶与量子点按一定摩尔比混合，并旋涂成膜，为SiO2包覆的CdS量子点纳米复合薄膜；再将此薄膜样品干燥，放入管式退火炉中，在N2气氛中进行退火，获取了SiO2包覆的CdS量子点纳米复合薄膜。CdS纳米颗粒与其他基质复合，有助于提高CdS光电性能，拓展了CdS材料的应用领域。
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公开(公告)号：CN103305790A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310167243.X
申请日：2013-05-09
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明采用CdS/SiO2共溅射法，射频磁控溅射制备CdS量子点纳米复合薄膜，属于半导体纳米复合薄膜材料制备技术领域。溅射法与化学水浴法等比较，具有快速、低温，以功率及时间控制复合薄膜密度、厚度等优势。溅射制备CdS量子点纳米薄膜采用两步法：先在超高真空磁控溅射设备上，射频溅射沉积非晶CdS/SiO2复合薄膜；沉积完的非晶薄膜与硫在N2中进行退火处理成多晶膜。SiO2具有硅羟基，且又有很高的透射率及很低的散射率，适用纳米复合薄膜材料的表面修饰，在CdS/SiO2纳米复合薄膜中，起到保护CdS量子点、提高发光效率的作用，此类复合薄膜，作为在荧光太阳能聚光器下的转换层等，在光电技术中有广泛的运用前景。
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公开(公告)号：CN101962752A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN201010524867.9
申请日：2010-10-29
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种真空蒸发法制备太阳能电池ZnS/SnS双层薄膜的方法，属太阳能电池无机薄膜元件制备工艺技术领域。本发明使用P半导体SnS为作为吸收层，使用真空蒸发系统，采用连续分舟蒸发ZnS和SnS薄膜获得双层薄膜的方式。调整样品架本发明中，ITO玻璃衬底温度控制为150℃～160℃，真空压力为2~3×10-3Pa，衬底与蒸发源钼舟间的距离为20cm左右，控制SnS和ZnS的蒸发温度为1000～1200℃；蒸发过程完成后，进入真空管式退火炉进行退火，退火的温度分别选择为300℃，400℃和500℃。本发明方法工艺简单，薄膜制备的效率高，制得的薄膜具有良好的电学和光学性能，适合应用于太阳能电池。
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公开(公告)号：CN101979704A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN201010527964.3
申请日：2010-11-02
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种真空蒸发法制备太阳能电池ZnS/SnS双层薄膜的方法，属太阳能电池无机薄膜元件制备工艺技术领域。本发明使用P半导体SnS为作为吸收层，使用真空蒸发系统，采用连续分舟蒸发ZnS和SnS薄膜获得双层薄膜的方式。调整样品架本发明中，ITO玻璃衬底温度控制为150℃～160℃，真空压力为2~3×10-3Pa，衬底与蒸发源钼舟间的距离为20cm左右，控制SnS和ZnS的蒸发温度为1000～1200℃；蒸发过程完成后，进入真空管式退火炉进行退火，退火的温度分别选择为300℃，400℃和500℃。本发明方法工艺简单，薄膜制备的效率高，制得的薄膜具有良好的电学和光学性能，适合应用于太阳能电池。
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