-
公开(公告)号：CN111640868A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010400521.1
申请日：2020-05-13
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于电子辐照改性的钙钛矿薄膜光电器件的制备方法，属于光电器件领域。本发明对钙钛矿薄膜的卤化铅前驱体溶液进行电子辐照后，再旋涂成前驱体薄膜，滴加甲胺碘溶液后，经过反应和退火得到改性后的钙钛矿薄膜并制备器件。本发明制备的钙钛矿薄膜晶粒尺寸大，表面平整光滑，可以钝化界面，有效减少晶界效应，促进光子传化为电子的能力，从而降低器件的串联电阻，增大填充因子和光电转化效率。本发明方法工艺简单便捷，可重复性好，为大规模生产高性能钙钛矿薄膜光电器件提供了可行的方案，对器件性能提升显著。
-
公开(公告)号：CN109560199A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811433269.3
申请日：2018-11-28
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明提供了一种基于低压闪蒸晶化的钙钛矿薄膜光电器件的制备方法，属于光电器件领域。本发明在TiO2致密层上旋涂卤化铅，在卤化铅薄膜上滴加卤化甲胺溶液后在低压条件下进行闪蒸晶化，从而得到钙钛矿薄膜。本发明的制备方法通过低压闪蒸诱导晶化，在低压下以更低的沸点将溶剂迅速蒸发干净，然后将钙钛矿的各种反应物以可控的速率析出，再根据奥斯瓦尔德熟化效应使晶粒之间互相吞并生长成大晶粒。与常规的“两步法”相比，本发明提供的制备方法得到的钙钛矿薄膜表面更加均匀平整，整个钙钛矿薄膜层晶化程度更高。
-
公开(公告)号：CN111640868B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202010400521.1
申请日：2020-05-13
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于电子辐照改性的钙钛矿薄膜光电器件的制备方法，属于光电器件领域。本发明对钙钛矿薄膜的卤化铅前驱体溶液进行电子辐照后，再旋涂成前驱体薄膜，滴加甲胺碘溶液后，经过反应和退火得到改性后的钙钛矿薄膜并制备器件。本发明制备的钙钛矿薄膜晶粒尺寸大，表面平整光滑，可以钝化界面，有效减少晶界效应，促进光子传化为电子的能力，从而降低器件的串联电阻，增大填充因子和光电转化效率。本发明方法工艺简单便捷，可重复性好，为大规模生产高性能钙钛矿薄膜光电器件提供了可行的方案，对器件性能提升显著。
-
-
Search Results
3
records
(took 0.012 seconds)
