公开(公告)号：CN103236466A

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN201310117598.8

申请日：2013-04-07

Applicant: 上海大学

Inventor： 李季戎 ,  史伟民 ,  廖阳 ,  钱隽 ,  王国华 ,  杨伟光 ,  沈心蔚 ,  沈介圣 ,  何玲玲 ,  沈忠文

IPC: H01L31/18 ,  C03C17/22

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种铜锌锡硫太阳电池窗口层的制备方法，属太阳能电池薄膜器件制备工艺技术领域。利用磁控溅射法制备ZnO晶种、利用水热法生长ZnO纳米阵列以及利用水热法硫化生长ZnS壳层结构的制备方法。水热法制备的ZnO@ZnS纳米阵列核壳结构与衬底的附着强度较高，具有高透过率、良好的电学特性，能够作为CZTS太阳能电池的窗口层，与后续电池的制备工艺具有良好的衔接。

公开(公告)号：CN105679881B

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201610120003.8

申请日：2016-03-03

Applicant: 上海大学

Inventor： 赵岳 ,  刘洋 ,  冯月 ,  沈介圣 ,  王林军 ,  梁小燕 ,  闵嘉华 ,  史伟民

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种铜铟硫基薄膜太阳能电池的制备方法，该电池结构自下至上依次为：衬底/Ti‑TiN‑Mo背电极/Cu1‑xNaxInS2/CuInS2/Cu1‑xAgxInS2吸收层/Cd1‑xZnxS阻挡层i‑ZnO/Al:ZnO窗口层/Al(Ni)前电极，该方法步骤为：(1)衬底清洗及预处理；(2)在衬底上制备Ti/TiN/Mo背电极；(3)在Ti/TiN/Mo背电极上制备Cu1‑xNaxInS2/CuInS2/Cu1‑xAgxInS2吸收层；(4)在吸收层上制备Cd1‑xZnxS阻挡层；(5)在Cd1‑xZnxS阻挡层上依次淀积i‑ZnO薄膜、Al：ZnO薄膜，制成i‑ZnO/Al:ZnO窗口层；(6)采用真空热蒸法在i‑ZnO/Al:ZnO窗口层上蒸镀Al(Ni) 前电极,获得铜铟硫基薄膜太阳能电池。.本发明制备的铜铟硫基薄膜太阳能电池，该电池的背电极的与玻璃衬底及吸收层薄膜之间粘接的粘附性强，不易剥落，可靠性高，各层之间的串联电阻小，能提高光电能量转换效率。

公开(公告)号：CN105679881A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610120003.8

申请日：2016-03-03

Applicant: 上海大学

Inventor： 赵岳 ,  刘洋 ,  冯月 ,  沈介圣 ,  王林军 ,  梁小燕 ,  闵嘉华 ,  史伟民

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/0322

Abstract: 本发明公开了一种铜铟硫基薄膜太阳能电池的制备方法，该电池结构自下至上依次为：衬底/Ti-TiN-Mo背电极/Cu1-xNaxInS2/CuInS2/Cu1-xAgxInS2吸收层/Cd1-xZnxS阻挡层i-ZnO/Al:ZnO窗口层/Al(Ni)前电极，该方法步骤为：(1)衬底清洗及预处理；(2)在衬底上制备Ti/TiN/Mo背电极；(3)在Ti/TiN/Mo背电极上制备Cu1-xNaxInS2/CuInS2/Cu1-xAgxInS2吸收层； (4)在吸收层上制备Cd1-xZnxS阻挡层；(5)在Cd1-xZnxS阻挡层上依次淀积i-ZnO薄膜、Al：ZnO薄膜，制成i-ZnO/Al:ZnO窗口层；(6)采用真空热蒸法在i-ZnO/Al:ZnO窗口层上蒸镀Al(Ni) 前电极,获得铜铟硫基薄膜太阳能电池。本发明制备的铜铟硫基薄膜太阳能电池，该电池的背电极的与玻璃衬底及吸收层薄膜之间粘接的粘附性强，不易剥落，可靠性高，各层之间的串联电阻小，能提高光电能量转换效率。