一种高效CIS/CIGS太阳能电池的制备方法

    公开(公告)号:CN108231925B

    公开(公告)日:2019-08-09

    申请号:CN201711250322.1

    申请日:2017-12-01

    CPC classification number: H01L31/0322 Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种高效CIS/CIGS太阳能电池的制备方法,以二甲基甲酰胺为溶剂,依次将硫脲、铜的前驱体化合物、铟的化合物或铟与镓的前驱体化合物溶解在DMF中,得到澄清透明的前驱体溶液;将前驱体溶液旋涂在钼玻璃上,进行加热退火生成CuInS2或Cu(In,Ga)S2薄膜;CuInS2或Cu(In,Ga)S2薄膜通过在Se的气氛中加热硒化,然后通过化学浴沉积法沉积CdS、磁控溅射窗口层ZnO/ITO、蒸镀获得Ni/Al电极。本发明中加压硒化获得的样品无需在KCN、(NH4)2S等有毒溶液中浸泡,避免了Cu2‑x Se的生成,避免了由其带来的安全和环境隐患,因此不需要KCN刻蚀即可制备成效率达到10.4%的电池器件,具有广泛的市场应用价值。

    太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN109103281A

    公开(公告)日:2018-12-28

    申请号:CN201810981750.X

    申请日:2018-08-27

    Inventor: 胡居涛 江斌

    Abstract: 本公开提供一种太阳能电池及太阳能电池的制备方法。该太阳能电池包括基板、背电极、第一吸收层、缓冲层、窗口层以及顶电极。所述背电极位于所述基板上。所述第一吸收层位于所述背电极上,且所述第一吸收层的带隙沿远离基板的方向梯度增大。所述缓冲层位于所述第一吸收层上。所述窗口层位于所述缓冲层上。所述顶电极位于所述窗口层上。本公开不仅扩展了第一吸收层的吸收光谱的范围,而且使空穴在靠近基板的方向上更易传输,从而提高了太阳能电池的转换效率。

    铜铟镓硒太阳能电池吸收层的制备方法

    公开(公告)号:CN108123001A

    公开(公告)日:2018-06-05

    申请号:CN201711421161.8

    申请日:2017-12-25

    Inventor: 聂曼

    Abstract: 本发明公开了一种铜铟镓硒太阳能电池吸收层的制备方法,其包括向腔室中同时通入硒化氢气体和惰性气体,在第一功率下和第一时间段内通过磁控溅射工艺向室温下的基板溅射铜镓靶材和铟靶材;提高基板的温度至预设温度,在第二时间段内通过磁控溅射工艺向基板溅射铜镓靶材和铟靶材;将第一功率提升至第二功率,在预设温度条件下以及在第三时间段内通过磁控溅射工艺向基板溅射铜镓靶材和铟靶材。本发明提供的铜铟镓硒太阳能电池吸收层的制备方法,通过在H2Se气氛中同时溅射CuGa靶材和In靶材,使CIGS吸收层仅通过一个步骤即可溅射成型,有效简化了加工工艺,提高了生产效率和控制精度。

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