公开(公告)号：CN112101540A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202011121099.2

申请日：2020-10-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王瑞廷 ,  王鹏飞 ,  罗光振 ,  张冶金 ,  周旭亮 ,  于红艳 ,  王梦琦 ,  潘教青 ,  王圩

IPC: G06N3/067 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08

Abstract: 本公开提供了一种光学神经网络芯片及其计算方法，包括：光子权重模块，用于实现多个权重的编码，并基于多个权重的编码，调节输入信号中包括的多个不同波长的光信号的幅值，实现各波长的光信号表示的输入数据分别与多个权重的光学乘加计算；光子偏置模块，用于实现多个偏置的编码；光电探测器阵列，用于探测多个光学乘加计算与多个偏置一一对应的求和计算的结果。该芯片及计算方法利用光子实现神经网络计算，通过波分复用对不同的数据进行表示，提高了计算并行度，通过两次编码实现光学神经网络芯片的正负值计算，提高了光学神经网络芯片的计算性能。

公开(公告)号：CN108493768A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201810314483.0

申请日：2018-04-10

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 周代兵 ,  赵玲娟 ,  梁松 ,  王圩

IPC: H01S5/22

Abstract: 一种脊型波导结构激光器P型电极的制备方法，包括如下制作步骤：步骤1：在衬底上依次生长有源层、第一接触层和第二接触层；步骤2：刻蚀，在有源层上的中间形成激光器的脊型波导结构；步骤3：在脊型波导结构的两侧及有源层上面制备二氧化硅绝缘层；步骤4：采用反转型光刻胶，光刻出激光器的电极图形；步骤5：采用共焦溅射的方法，带胶剥离工艺，依次溅射生长钛/铂/金三层金属薄层；步骤6：在丙酮中浸泡剥离电极图形之外的光刻胶，再采用反转胶光刻出电极需要加厚的图形，并在激光器腔面解理处留下解理间隙；步骤7：采用电镀的方法，电镀出厚金薄膜；步骤8：在丙酮中浸泡去掉光刻胶，完成脊型波导结构半导体激光器电极的制备。

公开(公告)号：CN106356716A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610973949.9

申请日：2016-11-04

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘震 ,  王嘉琪 ,  于红艳 ,  周旭亮 ,  李召松 ,  王圩 ,  潘教青

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01S5/343

Abstract: 本发明公开了一种GaAs基带栅电极的宽光谱晶闸管激光器，涉及半导体光电子器件技术领域。本发明结合了传统激光器的PiN结构和传统晶闸管的PNPN结构，提出了以GaAs基的新型PNPiN结构晶闸管激光器，包括：量子阱有源区层、p型栅电极、GaAs隧道结等，通过在GaAs隧道结中引入超薄的重掺杂n型层与重掺杂p型层，结合量子阱有源区层结构，在保证器件稳定性获得高功率的同时实现了宽光谱的激射；同时，引入p型栅电极，更进一步增强了器件的可控性。

公开(公告)号：CN103257509B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201310127562.8

申请日：2013-04-12

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 牛斌 ,  周代兵 ,  王保军 ,  边静 ,  赵玲娟 ,  王圩

IPC: G02F2/00

Abstract: 本发明公开了一种选区外延单片集成的波长转换器及其制作方法。该选区外延单片集成的波长转换器报考分布反馈DFB激光器、电吸收调制器EAM、光探测器PD和光放大器SOA四个子器件；其中，所述SOA与PD之间由一段波导连接，组成SOA?PD功能区，该SOA?PD功能区中，所述SOA用于将一定波长的入射光放大，所述PD用于将放大后的入射光转换为光电流信号；所述DFB激光器与EAM之间由一段波导连接，组成电调谐激光器EML功能区；该EML功能区中，所述EAM用于将所述电流信号转换成的电压信号调制在所述DFB激光器提供的激光上，进而实现将一定波长的入射光转成为DFB激光器波长的出射光。

公开(公告)号：CN103579902B

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201310510520.2

申请日：2013-10-25

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 周旭亮 ,  于红艳 ,  李梦珂 ,  潘教青 ,  王圩

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/10

Abstract: 本发明公开了一种硅基微腔激光器的制作方法，包括以下步骤:在硅衬底正面，采用超高真空化学气相沉积方法外延锗层;将外延有锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中，并先后分别生长低温成核砷化镓层和高温砷化镓层;将高温砷化镓层表面抛光后外延激光器结构;在激光器结构上干法刻蚀形成微腔和输出波导;在形成微腔和输出波导后沉积二氧化硅层，在微腔上方开出电极窗口;在二氧化硅层和电极窗口上表面制作正电极，并做电极隔离;在硅衬底背面制作背电极，完成器件的制作。本发明提出的上述方法利用超高真空化学气相外延与MOCVD结合实现高质量的III?V族层，抛光和清洗实现清洁平整表面;干法刻蚀与湿法腐蚀实现光滑的微腔侧壁，减少激光器损耗。

公开(公告)号：CN104914506A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201510348841.6

申请日：2015-06-23

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 郭菲 ,  陆丹 ,  张瑞康 ,  王会涛 ,  王圩 ,  吉晨

IPC: G02B6/28

CPC classification number: G02B6/2813

Abstract: 本发明涉及一种基于多模干涉耦合器的InP基模分复用/解复用器结构，该结构主要包括三个部分：基于多模干涉耦合器的模式转换分离结构、π/2相移结构和基于多模干涉耦合器的3dB耦合器结构。在所述的π/2相移结构中，通过调谐波导芯层厚度，使在波导中传输模式的相移发生变化，当波导的长度为某一特定值时，其相移变化达到π/2。该模式复用/解复用器结构具有结构紧凑、器件尺寸小、信道带宽较大、插入损耗较低、通道串扰较低的优势，且其工艺制作简单，制作容差较大，非常适合于与半导体激光器、调制器、放大器、探测器等器件的单片集成，是研究基于模分复用技术的单片集成少模光通信收发模块的关键器件。

公开(公告)号：CN103107096B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201310068781.3

申请日：2013-03-05

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 周旭亮 ,  于红艳 ,  李梦珂 ,  潘教青 ,  王圩

IPC: H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底上，生长锗层；步骤2：将生长了锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中，分别生长低温成核砷化镓层和高温砷化镓层；步骤3：停止生长，更换衬底舟和反应室内管，高温退火30分钟后，在高温砷化镓层上生长半绝缘InGaP层；步骤4：在半绝缘InGaP层上生长薄砷化镓层以及砷化镓基nMOS结构；步骤5：制作栅氧化物、源极、栅极和漏极，完成硅基III-V族nMOS器件的制备。

公开(公告)号：CN104503023A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201410809706.2

申请日：2014-12-23

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张莉萌 ,  陆丹 ,  赵玲娟 ,  余力强 ,  潘碧玮 ,  王圩

IPC: G02B6/125 ,  G02B6/293

CPC classification number: G02B6/29344

Abstract: 本发明公开了一种基于多模干涉器结构的外调制型少模光通信发射芯片，涉及少模光通信领域，该芯片包括：单纵模激光器单元、多模干涉器模式复用器组合单元、调制器阵列和光波导单元，其中：单纵模激光器单元用于产生基模光信号；多模干涉器模式复用器组合单元用于将单纵模激光器单元产生的基模光信号转化为基模信号和高阶模信号；光波导单元用于将基模信号和高阶模信号传输至调制器阵列；调制器阵列包括多个调制器，分别对于接收到的基模信号和高阶模信号并进行。本发明结构紧凑，器件体积减小，相对于分立器件，缩小了电互连距离，稳定性好，为进一步提高通信容量打下了基础。

公开(公告)号：CN103258796B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201310176286.4

申请日：2013-05-14

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 周旭亮 ,  于红艳 ,  李士颜 ,  潘教青 ,  王圩

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 一种硅基高迁移率沟道CMOS的制备方法，包括：在硅衬底上生长锗层；将其放入MOCVD反应室中，进行第一次退火；在锗层上依次生长低温砷化镓成核层和高温砷化镓层，形成样品；将样品进行抛光，同时清洗MOCVD反应室和样品舟；再将样品放入MOCVD反应室，进行第二次退火；在高温砷化镓层上生长砷化镓缓冲层和InGaP半绝缘层；在InGaP半绝缘层上生长nMOSFET结构；在nMOSFET结构上采用PECVD技术生长二氧化硅层；从二氧化硅层的上表面选区向下刻蚀，刻蚀深度到达锗层内，形成台面，未刻蚀的区域为III-V族区，台面部分为锗区；在III-V族区和锗区之间以及同一区不同器件区域之间制作隔离绝缘墙；在nMOSFET结构上以及锗层的台面上进行源、栅和漏工艺，完成CMOS的制备。

公开(公告)号：CN103545711A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201310498595.3

申请日：2013-10-22

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王火雷 ,  米俊萍 ,  于红艳 ,  丁颖 ,  王宝军 ,  边静 ,  王圩 ,  潘教青

IPC: H01S5/12 ,  H01S5/125

Abstract: 本发明提供了一种分布反馈式激光器及其制备方法。该分布反馈式激光器包括：N型GaAs衬底；以及依次沉积于N型GaAs衬底上的N型GaAs缓冲层、N型AlGaAs下限制层、有源区、P型AlGaAs上限制层。其中，P型AlGaAs上限制层经刻蚀形成其至少一侧具有边墙光栅的脊形波导。本发明分布反馈式激光器中，由于将光栅刻蚀在脊形波导的侧面，从而可以一次性外延所有层，AlGaAs材料不会暴露在空气中，从而不会产生Al氧化问题，进而可有效提高激光器的功率和寿命。