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公开(公告)号：CN119905892A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411725613.1
申请日：2024-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种单片集成式半导体主振荡功率放大器激光器，涉及半导体光电子技术领域，该激光器包括：采用标准半导体同一有源区工艺集成在同一衬底上的主振荡区和功率放大器区；功率放大器区采用有源1×1多模干涉耦合器结构；该激光器采用单片集成式结构。本发明可以改善光斑扁平问题，从而有利于与光纤或波导器件的耦合，简化系统耦合过程，易于大规模生产应用。
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公开(公告)号：CN115102033B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202210848840.8
申请日：2022-07-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种半导体锁模激光器，包括：衬底；形成在衬底上的第一外延层，配置为响应于外加泵浦电流而产生激光；非对称Y形脊波导，形成在第一外延层上，包括：饱和吸收区，位于非对称Y形脊波导的合束端；多模干涉反射镜，位于非对称Y形脊波导的第一分束端；增益区，设置在饱和吸收区与多模干涉反射镜之间，且位于第一分束端；第一反射膜层，位于饱和吸收区的远离增益区的一端面，其中，饱和吸收区、增益区、多模干涉反射镜与第一反射膜层构成谐振腔，谐振腔适用于产生锁模脉冲；锥形功率放大区，位于非对称Y形脊波导的第二分束端，适用于放大锁模脉冲；以及第二反射膜层，设置在锥形放大区的输出端面，适用于输出放大后的锁模脉冲。
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公开(公告)号：CN105428997B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201511019962.2
申请日：2015-12-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种单纵模且波长可调谐的多段式FP激光器，包括：衬底和沿着所述衬底外延方向依次制作的外延层，其中在所述外延层的部分区域从p型接触层向下刻蚀至p型盖层，形成一中间高、两边低的脊型波导结构，所述脊型波导中的p型接触层上形成有一隔离沟；TiAu电极制作于所述脊型波导上方，覆盖整个凸起的脊型波导，该TiAu电极在所述隔离沟处整体断开，分为两段电极。本发明的多段式FP激光器采用复合腔选模机制，无需光栅制作就可实现单纵模且波长可调谐的激光输出，降低了工艺的复杂性，同时保证了成品率和出光功率。
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公开(公告)号：CN109116371A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810811386.2
申请日：2018-07-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01S17/58
Abstract: 本发明公开了一种基于双波长半导体激光器的多普勒测速雷达，属于多普勒测速雷达领域，该测速雷达包括：放大反馈激光器，光纤放大器，三端口环形器，光纤连接器，光学收发天线，光电探测器，数据采集器，射频信号源。本发明利用放大反馈激光器产生的双波长光信号来检测移动目标的速度，将对激光器线宽的要求转移到对双模拍频微波信号线宽上来，降低了多普勒雷达系统对激光器线宽的要求，提高了测量精度，降低了系统的成本；此外，本发明利用光纤端面的反射光作为参考光，参考光与信号光在同一段光纤路径中传输，光纤扰动带来的共模噪声可以通过平衡探测的方式去除，与采用不同光纤路径的相干接收方式相比，具有更好的抗干扰性和稳定性。
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公开(公告)号：CN105068189B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201510547137.3
申请日：2015-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B6/293
Abstract: 一种InP基波分‑模分复用少模光通信光子集成发射芯片，包括多个不同波长的单模半导体激光器作为光源；多个不同功能的多模干涉耦合器(MMI)用于实现光功率分配、模式转换以及多波长多模式复用；多个可以对基模信号进行调制的调制器结构，各器件之间使用直波导或者弯曲波导连接。多模干涉耦合器具有较大的设计和工艺容差，较大的光学带宽，偏振不敏感以及尺寸较小等优良特性。本发明首次提出利用多模干涉耦合器作为多波长多模耦合器，将波分复用与模分复用技术相结合，从而进一步提高光纤传输容量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105388564B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201510882626.4
申请日：2015-12-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于MMI耦合器的少模光子集成发射芯片。该少模光子集成发射芯片包括：激光器，用于产生单纵模基横模的激光；功率分配器，位于所述激光器的光路后端，用于将激光器产生的激光分为两路；调制器组，位于所述功率分配器的光路后端，包括两调制器，用于分别对功率分配器分出的两路激光进行调制；模式转换‑复用器，位于所述调制器组的光路后端，用于实现调制后的两路激光的模式转换和复用；其中，所述功率分配器和模式转换‑复用器基于MMI耦合器实现。本发明使用1×1MMI耦合器作为模式转换‑复用器中的π/2相移器，相移器的设计和制作都较为简单，易于实现，同时增加了集成度并降低了设计和工艺制作难度。
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公开(公告)号：CN107727365A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710880114.3
申请日：2017-09-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种利用反射谱精细度测量光波导损耗的系统，测量系统包括：一可调谐激光器，用于产生波长可调谐的激光；一光路环形装置，将可调谐激光器输出的光信号导入耦合装置并将耦合装置所收集的反射光导入光电探测器；一耦合装置，用于实现环形装置和待测波导之间的耦合；一光电探测器，将收集到的光功率转换成光电流，并输出至计算机。一控制计算机，用于控制可调谐激光器的波长变化，并采集来自光电探测器的光电流信号；一待测波导，用于进行损耗测量。本测量方法通过测量波导F-P干涉反射谱的精细度，进而计算获得波导的实际损耗，系统结构简单，操作简便，精度高，可广泛应用于集成光学领域。
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公开(公告)号：CN104377544B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201410709708.4
申请日：2014-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于放大反馈实现直调带宽扩展的单片集成激光器芯片，包括：一下限制层；一有源层，其制作在下限制层上；一上限制层，其制作在有源层上；一波导层，为条状，其纵向制作在上限制层上面的中间；一P+电极层，其是用隔离沟将其分为三段，其制作在波导层上；一N+电极层，其制作在下限制层的背面；其中分为三段的P+电极层分别对应为DFB激光器区、无源相位调节区和有源放大反馈区，该DFB激光器区对应的上限制层部分制作有分布反馈Bragg光栅层；该无源相位调节区对应的有源层与DFB激光器区和有源放大反馈区对应的有源层的增益峰存在90nm蓝移。本发明可以突破普通激光器芯片的直调带宽限制，用一种巧妙、有效且成本低的方法实现激光器直调带宽的扩展。
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公开(公告)号：CN104914506A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510348841.6
申请日：2015-06-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B6/28
CPC classification number: G02B6/2813
Abstract: 本发明涉及一种基于多模干涉耦合器的InP基模分复用/解复用器结构，该结构主要包括三个部分：基于多模干涉耦合器的模式转换分离结构、π/2相移结构和基于多模干涉耦合器的3dB耦合器结构。在所述的π/2相移结构中，通过调谐波导芯层厚度，使在波导中传输模式的相移发生变化，当波导的长度为某一特定值时，其相移变化达到π/2。该模式复用/解复用器结构具有结构紧凑、器件尺寸小、信道带宽较大、插入损耗较低、通道串扰较低的优势，且其工艺制作简单，制作容差较大，非常适合于与半导体激光器、调制器、放大器、探测器等器件的单片集成，是研究基于模分复用技术的单片集成少模光通信收发模块的关键器件。
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公开(公告)号：CN104600560A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510028646.5
申请日：2015-01-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/06
Abstract: 一种基于集成外腔半导体激光器的宽带混沌光发射器，包括：一集成外腔半导体激光器；一三端口光环形器，其端口2与集成外腔半导体激光器连接，用于接收反馈回路的光信号传递给集成外腔半导体激光器，同时接收集成外腔半导体激光器产生的光信号送入反馈回路，且保证反馈回路中的光信号单行传输；一光耦合器，其端口1与三端口光环形器的输出端口3连接，用于将集成外腔半导体激光器输出经由端口光环形器的光信号按照预设的功率比一部分送入反馈回路，一部分输出，该光耦合器的端口2与三端口光环形器的端口1连接，形成反馈回路，该光耦合器的端口3为混沌光信号输出端口。
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