-
公开(公告)号：CN119044927A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202410964919.6
申请日：2024-07-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01S7/481 , H01S5/50 , H01S5/125 , G01S7/4911 , G01S17/08 , G01S17/931
Abstract: 本发明提供一种集成激光雷达芯片，涉及集成激光雷达技术领域，该集成激光雷达芯片包括：集成在同一基板上的反射式的半导体放大器、高阶分布式布拉格反射光栅外腔和光束扫描阵列；其中，反射式的半导体放大器作为增益结构，高阶分布式布拉格反射光栅外腔作为反馈结构，反射式的半导体放大器与高阶分布式布拉格反射光栅外腔耦合，以产生单波长窄线宽的调频连续波激光。本发明可以降低调频连续波激光的线宽，高阶分布式布拉格反射光栅外腔在芯片上的占用面积小，结构简单，易于集成，其反射谱的谱峰半高宽小，有利于实现单模单波长稳定较高功率激射，可以大规模应用。
-
公开(公告)号：CN112232487B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202011121100.1
申请日：2020-10-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种光学神经网络芯片及其计算方法，包括：光子权重模块，用于实现多个权重的编码，并基于多个权重的编码，调节输入信号中包括的多个不同波长的光信号的幅值，实现各波长的光信号表示的输入数据分别与多个权重的光学乘加计算；光子偏置模块，用于实现多个偏置的编码；光电探测器阵列，用于探测多个光学乘加计算与多个偏置一一对应的求和计算的结果。该芯片及计算方法利用光子实现神经网络计算，可以大幅度提高计算速度并降低计算能耗，通过波分复用对不同的数据进行表示，提高了芯片的计算性能。
-
公开(公告)号：CN112101540B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202011121099.2
申请日：2020-10-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种光学神经网络芯片及其计算方法，包括：光子权重模块，用于实现多个权重的编码，并基于多个权重的编码，调节输入信号中包括的多个不同波长的光信号的幅值，实现各波长的光信号表示的输入数据分别与多个权重的光学乘加计算；光子偏置模块，用于实现多个偏置的编码；光电探测器阵列，用于探测多个光学乘加计算与多个偏置一一对应的求和计算的结果。该芯片及计算方法利用光子实现神经网络计算，通过波分复用对不同的数据进行表示，提高了计算并行度，通过两次编码实现光学神经网络芯片的正负值计算，提高了光学神经网络芯片的计算性能。
-
公开(公告)号：CN112101540A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202011121099.2
申请日：2020-10-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种光学神经网络芯片及其计算方法，包括：光子权重模块，用于实现多个权重的编码，并基于多个权重的编码，调节输入信号中包括的多个不同波长的光信号的幅值，实现各波长的光信号表示的输入数据分别与多个权重的光学乘加计算；光子偏置模块，用于实现多个偏置的编码；光电探测器阵列，用于探测多个光学乘加计算与多个偏置一一对应的求和计算的结果。该芯片及计算方法利用光子实现神经网络计算，通过波分复用对不同的数据进行表示，提高了计算并行度，通过两次编码实现光学神经网络芯片的正负值计算，提高了光学神经网络芯片的计算性能。
-
公开(公告)号：CN108988124B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201710402079.4
申请日：2017-05-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于微波振荡源的单片集成隧道结激光器，涉及半导体光电子器件技术领域。本发明提出的用于微波振荡源的单片集成隧道结激光器主要包括：N电极、N型InP衬底、N型InP缓冲层、下限制层、量子阱有源区、上限制层、光栅层、N型InP层、隧道结、P型InP盖层、P型接触层、P电极。本发明利用隧道结正偏时的微分负阻特性，在器件内部进行振荡调制，使激光器能直接发射光载微波，在降低相位噪声、减小功率损耗、简化器件结构的同时，实现高速调制。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108736314A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810600079.X
申请日：2018-06-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种电注入硅基III-V族纳米激光器阵列的制备方法，包括：在SOI衬底上沉积二氧化硅，在二氧化硅上刻蚀出周期性的矩形沟槽；腐蚀SOI衬底，在矩形沟槽的下方腐蚀出V形沟槽；在V形沟槽和矩形沟槽中生长III-V族激光器外延结构并将顶部抛光；刻蚀III-V族激光器外延结构和矩形沟槽两边的二氧化硅，形成FP腔；沉积二氧化硅隔离层，刻蚀掉FP腔端面以外的二氧化硅隔离层，使二氧化硅隔离层覆盖在FP腔端面上；制备P电极金属图形和N电极金属图形；在FP腔上表面、P电极金属图形和二氧化硅隔离层之间的III-V族激光器外延结构上制备二阶耦合光栅。本公开电注入硅基III-V族纳米激光器阵列的制备方法，工艺简单，易于实现，制造成本低。
-
公开(公告)号：CN107069430A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710255128.6
申请日：2017-04-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/323
CPC classification number: H01S5/323
Abstract: 一种硅基电注入激光器及其制备方法，该制备方法包括：在绝缘硅衬底的上表面生长SiO2层，并在SiO2层的中间位置刻蚀出贯穿SiO2层的第一矩形槽；腐蚀绝缘硅衬底，在与第一矩形槽相对应的位置，形成与第一矩形槽等宽的V型槽；在V型槽和第一矩形槽内生长形成N型位错限制层、N型缓冲层和外延结构；腐蚀去除SiO2层的剩余部分，完成硅基电注入激光器的制备。本发明由于直接外延采用选区V型槽工艺，不易产生缺陷及反相畴，并可大大降低缓冲层的厚度，因此器件的总体厚度小，降低了硅基光电集成中其余器件工艺实施的难度。
-
公开(公告)号：CN119805410A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411647601.1
申请日：2024-11-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01S7/481 , G01S17/931
Abstract: 本发明涉及激光雷达技术领域，尤其涉及一种集成激光雷达芯片及激光雷达装置，集成激光雷达芯片包括输入耦合器、选通开关阵列、层间耦合器、移相器、分束器和光学天线阵列，集成在同一芯片上，并由波导链接形成波导链路。由输入耦合器接收激光器产生的探测光，通过选通开关阵列选择通道，可以实现一个方向上的扫描，当选通扫描确定扫描方向后，通过移相器调节各通道探测光相位，即可实现另一方向上的扫描，通过层间相位的调节结合通道选择，最后由光学天线阵列端面发射焦平面阵列至透镜进行二维扫描，本发明通过层间相位的调节结合通道选择就可以实现二维扫描，无需机械结构辅助转动透镜，能够实现全固态化端面发射焦平面阵列，有利于大规模应用。
-
公开(公告)号：CN107069430B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201710255128.6
申请日：2017-04-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/323
Abstract: 一种硅基电注入激光器及其制备方法，该制备方法包括：在绝缘硅衬底的上表面生长SiO2层，并在SiO2层的中间位置刻蚀出贯穿SiO2层的第一矩形槽；腐蚀绝缘硅衬底，在与第一矩形槽相对应的位置，形成与第一矩形槽等宽的V型槽；在V型槽和第一矩形槽内生长形成N型位错限制层、N型缓冲层和外延结构；腐蚀去除SiO2层的剩余部分，完成硅基电注入激光器的制备。本发明由于直接外延采用选区V型槽工艺，不易产生缺陷及反相畴，并可大大降低缓冲层的厚度，因此器件的总体厚度小，降低了硅基光电集成中其余器件工艺实施的难度。
-
公开(公告)号：CN108988124A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201710402079.4
申请日：2017-05-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于微波振荡源的单片集成隧道结激光器，涉及半导体光电子器件技术领域。本发明提出的用于微波振荡源的单片集成隧道结激光器主要包括：N电极、N型InP衬底、N型InP缓冲层、下限制层、量子阱有源区、上限制层、光栅层、N型InP层、隧道结、P型InP盖层、P型接触层、P电极。本发明利用隧道结正偏时的微分负阻特性，在器件内部进行振荡调制，使激光器能直接发射光载微波，在降低相位噪声、减小功率损耗、简化器件结构的同时，实现高速调制。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
20
records
(took 0.033 seconds)
