基于多模干涉器结构的外调制型少模光通信发射芯片

    公开(公告)号:CN104503023B

    公开(公告)日:2018-09-11

    申请号:CN201410809706.2

    申请日:2014-12-23

    Abstract: 本发明公开了一种基于多模干涉器结构的外调制型少模光通信发射芯片,涉及少模光通信领域,该芯片包括:单纵模激光器单元、多模干涉器模式复用器组合单元、调制器阵列和光波导单元,其中:单纵模激光器单元用于产生基模光信号;多模干涉器模式复用器组合单元用于将单纵模激光器单元产生的基模光信号转化为基模信号和高阶模信号;光波导单元用于将基模信号和高阶模信号传输至调制器阵列;调制器阵列包括多个调制器,分别对于接收到的基模信号和高阶模信号并进行。本发明结构紧凑,器件体积减小,相对于分立器件,缩小了电互连距离,稳定性好,为进一步提高通信容量打下了基础。

    一种单片集成平衡探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN106684104A

    公开(公告)日:2017-05-17

    申请号:CN201611241397.9

    申请日:2016-12-29

    CPC classification number: H01L27/1443 H01L21/8252

    Abstract: 本发明公开了一种MMI输出波导与波导型探测器共下波导的单片集成平衡探测器及其制备方法。该单片集成平衡探测器包括:衬底,其左、中、右三区域分别作为MMI区域、PD区域和共面电极CPW区域;MMI输出波导,呈条状,位于衬底上的所述MMI区域;波导型探测器,呈条状,形成于衬底上PD区域的MMI与PD公用下波导芯层的上方;MMI与PD公用下波导芯层同时作为PD的下接触层,其上用于制作探测器的N电极;PD接触层上用于制作探测器的P电极;金属共面电极,其由两部分组成:接触电极部分,与波导型探测器的PD接触层和MMI与PD公用下波导芯层相连接。本发明实现了MMI与波导型探测器的集成,解决了分立的光学器件过多的耦合损耗并提高了接收机系统的稳定性。

    InP基波分-模分复用少模光通信光子集成发射芯片

    公开(公告)号:CN105068189A

    公开(公告)日:2015-11-18

    申请号:CN201510547137.3

    申请日:2015-08-31

    CPC classification number: G02B6/2938 G02B6/29346

    Abstract: 一种InP基波分一模分复用少模光通信光子集成发射芯片,包括多个不同波长的单模半导体激光器作为光源;多个不同功能的多模干涉耦合器(MMI)用于实现光功率分配、模式转换以及多波长多模式复用;多个可以对基模信号进行调制的调制器结构,各器件之间使用直波导或者弯曲波导连接。多模干涉耦合器具有较大的设计和工艺容差,较大的光学带宽,偏振不敏感以及尺寸较小等优良特性。本发明首次提出利用多模干涉耦合器作为多波长多模耦合器,将波分复用与模分复用技术相结合,从而进一步提高光纤传输容量。

    单纵模且波长可调谐的多段式FP激光器

    公开(公告)号:CN105428997B

    公开(公告)日:2020-02-18

    申请号:CN201511019962.2

    申请日:2015-12-30

    Abstract: 一种单纵模且波长可调谐的多段式FP激光器,包括:衬底和沿着所述衬底外延方向依次制作的外延层,其中在所述外延层的部分区域从p型接触层向下刻蚀至p型盖层,形成一中间高、两边低的脊型波导结构,所述脊型波导中的p型接触层上形成有一隔离沟;TiAu电极制作于所述脊型波导上方,覆盖整个凸起的脊型波导,该TiAu电极在所述隔离沟处整体断开,分为两段电极。本发明的多段式FP激光器采用复合腔选模机制,无需光栅制作就可实现单纵模且波长可调谐的激光输出,降低了工艺的复杂性,同时保证了成品率和出光功率。

    InP基波分-模分复用少模光通信光子集成发射芯片

    公开(公告)号:CN105068189B

    公开(公告)日:2018-04-20

    申请号:CN201510547137.3

    申请日:2015-08-31

    Abstract: 一种InP基波分‑模分复用少模光通信光子集成发射芯片,包括多个不同波长的单模半导体激光器作为光源;多个不同功能的多模干涉耦合器(MMI)用于实现光功率分配、模式转换以及多波长多模式复用;多个可以对基模信号进行调制的调制器结构,各器件之间使用直波导或者弯曲波导连接。多模干涉耦合器具有较大的设计和工艺容差,较大的光学带宽,偏振不敏感以及尺寸较小等优良特性。本发明首次提出利用多模干涉耦合器作为多波长多模耦合器,将波分复用与模分复用技术相结合,从而进一步提高光纤传输容量。

    基于多模干涉器结构的外调制型少模光通信发射芯片

    公开(公告)号:CN104503023A

    公开(公告)日:2015-04-08

    申请号:CN201410809706.2

    申请日:2014-12-23

    CPC classification number: G02B6/29344

    Abstract: 本发明公开了一种基于多模干涉器结构的外调制型少模光通信发射芯片,涉及少模光通信领域,该芯片包括:单纵模激光器单元、多模干涉器模式复用器组合单元、调制器阵列和光波导单元,其中:单纵模激光器单元用于产生基模光信号;多模干涉器模式复用器组合单元用于将单纵模激光器单元产生的基模光信号转化为基模信号和高阶模信号;光波导单元用于将基模信号和高阶模信号传输至调制器阵列;调制器阵列包括多个调制器,分别对于接收到的基模信号和高阶模信号并进行。本发明结构紧凑,器件体积减小,相对于分立器件,缩小了电互连距离,稳定性好,为进一步提高通信容量打下了基础。

    四段式放大反馈混沌光发射激光器结构

    公开(公告)号:CN104953468A

    公开(公告)日:2015-09-30

    申请号:CN201410130717.8

    申请日:2014-03-25

    Abstract: 一种四段式放大反馈混沌光发射激光器结构,包括:一衬底;一n-InP缓冲层制作在衬底上;一InGaAsP下限制层制作在n-InP缓冲层上;一多量子阱增益层制作在InGaAsP下限制层上;一InGaAsP上限制层制作在多量子阱有源层上;一p-InP盖层制作于InGaAsP上限制层上方,其上有一凸起的脊形;一p-InGaAs接触层制作于p-InP盖层的上方;一TiAu金属电极制作于p-InGaAs接触层的上方;一AuGeNi金属电极制作于衬底的下方,形成四段式放大反馈混动光发射激光器结构;该四段式放大反馈混动光发射激光器结构分为激光器区、相区、放大反馈区和透明区。本发明具有可单片集成、结构紧凑、稳定性好、制作工艺简单的优点。

    一种单片集成平衡探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN106684104B

    公开(公告)日:2019-05-17

    申请号:CN201611241397.9

    申请日:2016-12-29

    Abstract: 本发明公开了一种MMI输出波导与波导型探测器共下波导的单片集成平衡探测器及其制备方法。该单片集成平衡探测器包括:衬底,其左、中、右三区域分别作为MMI区域、PD区域和共面电极CPW区域;MMI输出波导,呈条状,位于衬底上的所述MMI区域;波导型探测器,呈条状,形成于衬底上PD区域的MMI与PD公用下波导芯层的上方;MMI与PD公用下波导芯层同时作为PD的下接触层,其上用于制作探测器的N电极;PD接触层上用于制作探测器的P电极;金属共面电极,其由两部分组成:接触电极部分,与波导型探测器的PD接触层和MMI与PD公用下波导芯层相连接。本发明实现了MMI与波导型探测器的集成,解决了分立的光学器件过多的耦合损耗并提高了接收机系统的稳定性。

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