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公开(公告)号：CN104953468A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201410130717.8
申请日：2014-03-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种四段式放大反馈混沌光发射激光器结构，包括：一衬底；一n-InP缓冲层制作在衬底上；一InGaAsP下限制层制作在n-InP缓冲层上；一多量子阱增益层制作在InGaAsP下限制层上；一InGaAsP上限制层制作在多量子阱有源层上；一p-InP盖层制作于InGaAsP上限制层上方，其上有一凸起的脊形；一p-InGaAs接触层制作于p-InP盖层的上方；一TiAu金属电极制作于p-InGaAs接触层的上方；一AuGeNi金属电极制作于衬底的下方，形成四段式放大反馈混动光发射激光器结构；该四段式放大反馈混动光发射激光器结构分为激光器区、相区、放大反馈区和透明区。本发明具有可单片集成、结构紧凑、稳定性好、制作工艺简单的优点。
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公开(公告)号：CN104503023B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201410809706.2
申请日：2014-12-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于多模干涉器结构的外调制型少模光通信发射芯片，涉及少模光通信领域，该芯片包括：单纵模激光器单元、多模干涉器模式复用器组合单元、调制器阵列和光波导单元，其中：单纵模激光器单元用于产生基模光信号；多模干涉器模式复用器组合单元用于将单纵模激光器单元产生的基模光信号转化为基模信号和高阶模信号；光波导单元用于将基模信号和高阶模信号传输至调制器阵列；调制器阵列包括多个调制器，分别对于接收到的基模信号和高阶模信号并进行。本发明结构紧凑，器件体积减小，相对于分立器件，缩小了电互连距离，稳定性好，为进一步提高通信容量打下了基础。
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公开(公告)号：CN104600560B
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201510028646.5
申请日：2015-01-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/06
Abstract: 一种基于集成外腔半导体激光器的宽带混沌光发射器，包括：一集成外腔半导体激光器；一三端口光环形器，其第二端口与集成外腔半导体激光器连接，用于接收反馈回路的光信号传递给集成外腔半导体激光器，同时接收集成外腔半导体激光器产生的光信号送入反馈回路，且保证反馈回路中的光信号单行传输；一光耦合器，其第四端口与三端口光环形器的输出第三端口连接，用于将集成外腔半导体激光器输出经由端口光环形器的光信号按照预设的功率比一部分送入反馈回路，一部分输出，该光耦合器的第五端口与三端口光环形器的第一端口连接，形成反馈回路，该光耦合器的第六端口为混沌光信号输出端口。
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公开(公告)号：CN104143757A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201410386617.1
申请日：2014-08-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于分布布拉格反射激光器的波长可调谐窄线宽光源。该光源中，将单片集成的分布布拉格反射半导体激光器(Distributed Bragg Reflector semiconductor laser)激射的光作为种子光，通过外部的两个并列的、不同长度的光纤环，对DBR激光器进行自注入反馈实现线宽的压缩。最后充分利用DBR激光器的波长可调谐特性实现一种输出波长可调谐的窄线宽光源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105428997B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201511019962.2
申请日：2015-12-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种单纵模且波长可调谐的多段式FP激光器，包括：衬底和沿着所述衬底外延方向依次制作的外延层，其中在所述外延层的部分区域从p型接触层向下刻蚀至p型盖层，形成一中间高、两边低的脊型波导结构，所述脊型波导中的p型接触层上形成有一隔离沟；TiAu电极制作于所述脊型波导上方，覆盖整个凸起的脊型波导，该TiAu电极在所述隔离沟处整体断开，分为两段电极。本发明的多段式FP激光器采用复合腔选模机制，无需光栅制作就可实现单纵模且波长可调谐的激光输出，降低了工艺的复杂性，同时保证了成品率和出光功率。
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公开(公告)号：CN104600560A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510028646.5
申请日：2015-01-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/06
Abstract: 一种基于集成外腔半导体激光器的宽带混沌光发射器，包括：一集成外腔半导体激光器；一三端口光环形器，其端口2与集成外腔半导体激光器连接，用于接收反馈回路的光信号传递给集成外腔半导体激光器，同时接收集成外腔半导体激光器产生的光信号送入反馈回路，且保证反馈回路中的光信号单行传输；一光耦合器，其端口1与三端口光环形器的输出端口3连接，用于将集成外腔半导体激光器输出经由端口光环形器的光信号按照预设的功率比一部分送入反馈回路，一部分输出，该光耦合器的端口2与三端口光环形器的端口1连接，形成反馈回路，该光耦合器的端口3为混沌光信号输出端口。
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公开(公告)号：CN104503023A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410809706.2
申请日：2014-12-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: G02B6/29344
Abstract: 本发明公开了一种基于多模干涉器结构的外调制型少模光通信发射芯片，涉及少模光通信领域，该芯片包括：单纵模激光器单元、多模干涉器模式复用器组合单元、调制器阵列和光波导单元，其中：单纵模激光器单元用于产生基模光信号；多模干涉器模式复用器组合单元用于将单纵模激光器单元产生的基模光信号转化为基模信号和高阶模信号；光波导单元用于将基模信号和高阶模信号传输至调制器阵列；调制器阵列包括多个调制器，分别对于接收到的基模信号和高阶模信号并进行。本发明结构紧凑，器件体积减小，相对于分立器件，缩小了电互连距离，稳定性好，为进一步提高通信容量打下了基础。
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公开(公告)号：CN104143757B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201410386617.1
申请日：2014-08-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于分布布拉格反射激光器的波长可调谐窄线宽光源。该光源中，将单片集成的分布布拉格反射半导体激光器(Distributed Bragg Reflector semiconductor laser)激射的光作为种子光，通过外部的两个并列的、不同长度的光纤环，对DBR激光器进行自注入反馈实现线宽的压缩。最后充分利用DBR激光器的波长可调谐特性实现一种输出波长可调谐的窄线宽光源。
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