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公开(公告)号：CN119560889A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411791702.6
申请日：2024-12-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种量子阱激光器及其制备方法，该激光器包括：第一电极；图形化衬底，设置于第一电极的上表面，图形化衬底的上表面刻蚀一沟槽；外延层，生长于沟槽内，并延伸出沟槽，覆盖图形化衬底的上表面的预定区域，预定区域的面积小于图形化衬底的面积；填充层，填充于外延层的侧壁与图形化衬底的上表面之间，填充层的高度大于外延层的高度；第二电极，位于外延层与填充层的上表面。
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公开(公告)号：CN117134196A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311140731.1
申请日：2023-09-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种单模掩埋半导体激光器及其制备方法，可以用于光电子器件领域。该单模掩埋半导体激光器包括：N型电极，设置于单模掩埋半导体激光器的底板上；外延结构层，设置于N型电极上；宽台面结构层，设置于所外延结构层上；以及P型电极，设置于宽台面结构层上；其中，沿激光器结构层生长方向，宽台面结构层包括下波导层、多量子阱层和上波导层，台面两侧由掩埋层包覆；其中，下波导层厚度大于上波导层厚度，以便下拉和扩大近场光斑；其中，外延结构层包括稀释波导层，稀释波导层用于对激发光进行选模，以便单模掩埋半导体激光器生成只包括基模的激光。
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公开(公告)号：CN113644549B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202110922192.1
申请日：2021-08-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种电泵激光器，包括：下金属电极、图形化衬底、倒脊型波导III‑V族亚微米结构、钝化层、苯并环丁烯层和上金属电极；下金属电极，位于图形化衬底的上表面或下表面；图形化衬底，包括图形化硅层和图形化二氧化硅层，图形化衬底上面设置至少一个连通沟槽，连通沟槽包括矩形沟槽和V型沟槽；倒脊型波导III‑V族亚微米结构，设置在连通沟槽内和连通沟槽上；钝化层，设置在连通沟槽上的倒脊型波导III‑V族亚微米结构的两侧和图形化衬底的上表面；苯并环丁烯层，设置在钝化层的一侧；其中，苯并环丁烯层的顶端、钝化层的顶端和倒脊型波导III‑V族亚微米结构的顶端等高；上金属电极，设置在倒脊型波导III‑V族亚微米结构上。
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公开(公告)号：CN111753977A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010616219.X
申请日：2020-06-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种光学神经网络卷积层芯片，应用于人工智能领域，包括依次连接的第一耦合器、第一分束器、多个光子计算模块和卷积求和模块；该第一耦合器，用于将接收到的光信号耦合至第一分束器中；该第一分束器包括多个输出端口，该分束器用于将耦合后的光信号进行分束，得到多束光信号，多束该光信号一一通过各该输出端口输入至各该光子计算模块；该光子计算模块，用于对每束该光信号进行幅度调制和相位调制，以通过每束调制的光信号表示一个输入数据和一个卷积核参数，并将所有调制后的光信号转化为电信号；该卷积求和模块，用于对所有该电信号进行卷积求和，完成所有输入数据和卷积核参数的光子卷积运算。光子具有高速度、高带宽、低功耗的特点，利用光子实现卷积计算，可以大幅度提高计算速度并降低计算能耗。
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公开(公告)号：CN109638648B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201910102887.8
申请日：2019-01-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种电注入硅基III‑V族边发射纳米线激光器的制备方法，包括：在SOI衬底上沉积二氧化硅层，在所述二氧化硅层上刻蚀矩形沟槽；在矩形沟槽下方的所述SOI衬底的顶层硅中腐蚀v形沟槽，与所述矩形沟槽连通形成连通沟槽；在所述连通沟槽中生长硅基III‑V族边发射纳米线激光器的外延结构；在所述硅基III‑V族边发射纳米线激光器上制备金属电极图形。本发明为在SOI衬底上外延的III‑V族纳米线材料提供了实现电注入的工艺方法，同时所制备的电极可以用于测试硅基III‑V族边发射纳米线激光器动态特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110265503A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910519509.X
申请日：2019-06-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 一种硅基III-V族红外光电探测器阵列的制备方法，包括：在SOI衬底上生长二氧化硅，在生长的二氧化硅上刻蚀出周期性的矩形沟槽；腐蚀所述矩形沟槽下方的SOI顶层硅，形成一V形沟槽；在V形沟槽和矩形沟槽中生长III-V族探测器外延结构；在所述外延结构上再沉积一层二氧化硅作为隔离层；在该隔离层上部分区域刻蚀出生长下电极的区域并沉积下电极；在该隔离层的其他区域刻蚀出多个设定尺寸的矩形沟槽；在所述多个设定尺寸的矩形沟槽中生长二氧化硅，在该二氧化硅上制备出上电极区域并沉积上电极。
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公开(公告)号：CN107069427A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710062988.8
申请日：2017-01-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种宽光谱晶闸管激光器的制备方法，涉及半导体器件制备技术领域。本发明公开的制备方法包括：在衬底上制备半导体外延层结构，在半导体外延层结构上形成脊条结构，在脊条结构上制备电极得到所述的宽光谱晶闸管激光器。其中，通过结合传统激光器的PiN结构和传统晶闸管的PNPN结构，引入上N型区，完成具备高输出功率，且有高稳定性和可控性的PNPiN结构宽光谱晶闸管激光器的制备。制备工艺简单可控，成本低廉，易于实现批量生产。
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公开(公告)号：CN106887790A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201710243196.0
申请日：2017-04-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01S5/4025 , H01S5/20
Abstract: 一种多波长硅基混合集成slot激光器阵列及其制备方法，多波长硅基混合集成slot激光器阵列包括硅基波导结构及键合在所述硅基波导结构上的多模半导体增益激光器阵列，其中，所述硅基波导结构包括硅基衬底以及设置在所述硅基衬底上的n条波导通道，每一波导通道包括顺序设置的硅波导部分、taper部分以及slot部分，所述各波导通道的slot部分的宽度均不同，其中n≥2，n为正整数。
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公开(公告)号：CN103177939B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310068749.5
申请日：2013-03-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明公开了一种硅基半绝缘III-V族材料的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底上，生长锗层；步骤2：将生长了锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中，分别生长低温成核砷化镓层和高温砷化镓层；步骤3：停止生长，高温退火30分钟后，在高温砷化镓层上生长半绝缘InGaP层；步骤4：在半绝缘InGaP层上生长薄砷化镓层，完成硅基半绝缘III-V族材料的制备。本发明采用锗层从硅过渡到III-V层，然后通过低温的砷化镓层获得高的晶格质量；本发明还采用掺铁InGaP层，获得高阻的III-V族层。
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公开(公告)号：CN103065973B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201310023622.1
申请日：2013-01-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/336
Abstract: 一种在Si基上制备InP基n-MOS器件的方法，包括以下步骤：在硅衬底上生长二氧化硅层；采用光刻和RIE方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的 方向刻蚀出多个沟槽；分别用piranha、SC2、HF和去离子水清洗，除去沟槽底部剩余的二氧化硅层，露出硅衬底；采用低压MOCVD的方法，在沟槽内依次生长P型InP缓冲层、P型GaInAs缓冲层和GaInAs沟道层；采用化学抛光的方法，将超出沟槽的GaInAs沟道层抛光，抛光至与二氧化硅层齐平；采用离子注入的方法在GaInAs沟道层的两端制备两个N+高掺杂区，并用金属引出两个源极和漏极，形成基片；采用原子束沉积的方法，在基片的上表面覆盖一层Al2O3绝缘层；在源极和漏极之间的Al2O3绝缘层上制备栅极，完成InP基的n-MOS器件的制备。
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