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公开(公告)号：CN116526298A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310551421.2
申请日：2023-05-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种电吸收调制激光器及其制备方法，包括：衬底；有源层，形成在衬底上，有源层的表面分为第一区域、第二区域、第三区域和第四区域；其中，第一区域的有源层构成第一调制器，第二区域的有源层构成第二调制器，第三区域的有源层构成第一激光器，第四区域的有源层构成第二激光器；无源层，形成在衬底上，无源层的表面分为第五区域、第六区域以及第七区域；光栅，设置于无源层上；其中，第五区域的无源层和光栅构成第一前光栅，第六区域的无源层和光栅构成第二前光栅，第七区域的无源层和光栅构成后光栅；其中，第一调制器、第一激光器以及第一前光栅与第二调制器、第二激光器以及第二前光栅通过共用后光栅实现双端发射激光。
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公开(公告)号：CN114142339A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111450832.X
申请日：2021-11-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种集成器件及其制备方法，集成器件包括：衬底；调制器区和激光器区，调制器区和激光器区形成在衬底的同一表面并相邻设置；其中，调制器区上设有深脊波导，激光器区上设有浅脊波导；过渡区，形成于调制器区和激光器区之间并与调制器区和激光器区接触；过渡区的宽度沿激光器区指向调制器区方向上逐渐变小，以用于导引激光器区发射的激光进入调制器区。本发明通过激光器和调制器之间采用锥形结构过渡，实现了电吸收调制器的深脊波导用来降低电容，又满足了激光器区的浅脊波导保证激光器的性能，同时过渡区的锥形结构，降低了激光器和调制器的损耗，进而达到了高速率分布反馈激光器与电吸收调制器的单片集成。
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公开(公告)号：CN109326955A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201811120899.5
申请日：2018-09-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/042
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器件高频电极装置及制作方法，该装置制作方法包括：在刻蚀完脊型波导的半导体激光器件上面利用化学气相沉积设备生长二氧化硅；采用反转胶光刻出脊型波导窗口，并采用氢氟酸腐蚀液腐蚀掉窗口的二氧化硅；涂覆聚酰亚胺，氮气环境下固化；采用化学气相沉积生长氮化硅；光刻并结合反应离子刻蚀技术去掉脊型波导窗口上面以及解理条处的聚酰亚胺和氮化硅；溅射金属接触层；光刻电极图形。该装置利用二氧化硅、聚酰亚胺和氮化硅三层作为高频电极的衬底，既防止了二氧化硅直接暴露在大气中吸潮而影响器件的老化寿命，又解决了聚酰亚胺与钛金电极接触不牢靠的问题，大大提升了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN108493768A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810314483.0
申请日：2018-04-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/22
Abstract: 一种脊型波导结构激光器P型电极的制备方法，包括如下制作步骤：步骤1：在衬底上依次生长有源层、第一接触层和第二接触层；步骤2：刻蚀，在有源层上的中间形成激光器的脊型波导结构；步骤3：在脊型波导结构的两侧及有源层上面制备二氧化硅绝缘层；步骤4：采用反转型光刻胶，光刻出激光器的电极图形；步骤5：采用共焦溅射的方法，带胶剥离工艺，依次溅射生长钛/铂/金三层金属薄层；步骤6：在丙酮中浸泡剥离电极图形之外的光刻胶，再采用反转胶光刻出电极需要加厚的图形，并在激光器腔面解理处留下解理间隙；步骤7：采用电镀的方法，电镀出厚金薄膜；步骤8：在丙酮中浸泡去掉光刻胶，完成脊型波导结构半导体激光器电极的制备。
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公开(公告)号：CN103257509B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201310127562.8
申请日：2013-04-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02F2/00
Abstract: 本发明公开了一种选区外延单片集成的波长转换器及其制作方法。该选区外延单片集成的波长转换器报考分布反馈DFB激光器、电吸收调制器EAM、光探测器PD和光放大器SOA四个子器件；其中，所述SOA与PD之间由一段波导连接，组成SOA?PD功能区，该SOA?PD功能区中，所述SOA用于将一定波长的入射光放大，所述PD用于将放大后的入射光转换为光电流信号；所述DFB激光器与EAM之间由一段波导连接，组成电调谐激光器EML功能区；该EML功能区中，所述EAM用于将所述电流信号转换成的电压信号调制在所述DFB激光器提供的激光上，进而实现将一定波长的入射光转成为DFB激光器波长的出射光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119890915A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411883603.0
申请日：2024-12-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种超短光脉冲源芯片和超短光脉冲源设备，涉及半导体光电子集成器件技术领域，超短光脉冲源芯片包括：电吸收调制激光器110、相位调制器120、光脉冲压缩组件130和基片140，相位调制器120分别与电吸收调制激光器110和光脉冲压缩组件130连接，电吸收调制激光器110、相位调制器120与光脉冲压缩组件130置于基片140的同一侧，其中，电吸收调制激光器110，用于产生初级光脉冲；相位调制器120，用于在初级光脉冲中引入啁啾，得到第二光脉冲；光脉冲压缩组件130，用于对第二光脉冲进行压缩和功率放大，得到目标光脉冲。本发明可以得到单片集成、体积小的超短光脉冲源芯片，并利用超短光脉冲源芯片生成高质量的超短光脉冲。
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公开(公告)号：CN118572485A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410759783.5
申请日：2024-06-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种用于电吸收调制器射频线和直流电压线的封装方法，包括：在热沉上的第一电极上焊接出第一压焊点后，从第一压焊点向热沉上的第三电极拉出第一引线后断线，其中，第一引线的末端悬浮在第三电极的上方；在热沉上的第二电极上焊接出第二压焊点后，从第二压焊点向第三电极拉出第二引线，并将第二引线的末端与第一引线的末端共同压焊在第三电极上，形成第三压焊点；其中，第一电极为S电极，第二电极为并联电阻电极，第三电极为P电极，第一引线形成射频线，第二引线形成直流电压线；或第一电极为并联电阻电极，第二电极为S电极，第三电极为P电极，第一引线形成电吸收调制器的直流电压线，第二引线形成电吸收调制器的射频线。
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公开(公告)号：CN116137414A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202111357614.1
申请日：2021-11-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种窄线宽大功率激光器及其制备方法，其中，激光器包括：衬底；激光器区，形成于所述衬底上，所述激光器区两侧为放大器区和波长稳定区；激光区脊型波导，形成于所述激光器区上；放大器区锥形波导，形成于所述放大器区上；波长稳定区脊型波导，形成于所述波长稳定区上；以及所述激光器区、放大器区、波长稳定区及所述激光区脊型波导、放大器区锥形波导、波长稳定区脊型波导之间具有电隔离沟。本发明通过锥形放大器、波长稳定器及各功能区的电隔离沟，能够实现大功率、窄线宽和波长稳定控制的效果，对目前泵浦光源存在的问题提出了一种解决方案。
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公开(公告)号：CN116014561A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310057550.6
申请日：2023-01-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种波长可调谐激光器的制备方法及其制备的激光器，该方法包括：在衬底层上生长增益层；对增益层进行划分，自左向右依次得到第一光栅区、第一增益区、第一相位区、第三光栅区、第二相位区、第二增益区和第二光栅区；刻蚀去除目标区的增益层；利用波导对接生长方法，在目标区生长无源层；在第一光栅区的无源层、第二光栅区的无源层和第三光栅区的无源层制作取样光栅；在无源层的上表面和增益层的上表面均生长包层和电接触层；刻蚀电接触层和包层，得到电隔离沟，并将氦离子注入电隔离沟；在电接触层的上表面制作第一电极，并在衬底层的下表面制作第二电极，得到目标激光器。
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公开(公告)号：CN112670823A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011542742.9
申请日：2020-12-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种电吸收调制激光器的制作方法，包括：在同一衬底上依次生长缓冲层和有源层，有源层包括第一有源层、作为激光器区有源层的第二有源层和作为波长稳定区有源层的第三有源层；刻蚀掉第一有源层，并对接生长调制器区有源层；在作为激光器区有源层的第二有源层内制作光栅；在调制器区有源层上、作为激光器区有源层的第二有源层上和作为波长稳定区有源层的第三有源层上依次生长包层和接触层；刻蚀部分包层和接触层制作脊型波导；刻蚀掉调制器区与激光器区之间、激光器区与波长稳定区之间的接触层，并注入氦离子形成电隔离沟；制作调制器区、激光器区和波长稳定器区的P型电极；对衬底进行背面减薄，并在衬底背面制作大面积N型电极。
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