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公开(公告)号：CN116526298A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310551421.2
申请日：2023-05-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种电吸收调制激光器及其制备方法，包括：衬底；有源层，形成在衬底上，有源层的表面分为第一区域、第二区域、第三区域和第四区域；其中，第一区域的有源层构成第一调制器，第二区域的有源层构成第二调制器，第三区域的有源层构成第一激光器，第四区域的有源层构成第二激光器；无源层，形成在衬底上，无源层的表面分为第五区域、第六区域以及第七区域；光栅，设置于无源层上；其中，第五区域的无源层和光栅构成第一前光栅，第六区域的无源层和光栅构成第二前光栅，第七区域的无源层和光栅构成后光栅；其中，第一调制器、第一激光器以及第一前光栅与第二调制器、第二激光器以及第二前光栅通过共用后光栅实现双端发射激光。
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公开(公告)号：CN115986560A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211724247.9
申请日：2022-12-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种双光栅半导体激光器，包括分布反射镜区和分布反馈区。其中，分布反射镜区包括：第一N电极，形成于第一衬底的下表面；第一衬底；第一量子阱材料层，形成于第一衬底的上表面；第一光栅，形成于第一量子阱材料层之上；第一包层材料，形成于第一光栅之上；分布反馈区包括：第二N电极，形成于第二衬底的下表面；第二衬底；第二量子阱材料层，形成于第二衬底的上表面；第二光栅，形成于第二量子阱材料层之上；第二包层材料，形成于第二光栅之上；第一P电极，形成于第二包层材料之上；其中，第一光栅的高度大于第二光栅的高度，且第二光栅的高度为5～200nm。
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公开(公告)号：CN115459050A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211219223.8
申请日：2022-09-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/042
Abstract: 本公开提供一种掩埋结构半导体激光器及其制备方法，方法包括：在衬底上依次叠设生长有源层和盖层；在盖层上制作介质掩模；根据介质掩模在盖层上覆盖的掩模图形，刻蚀掩模图形以外区域的盖层和有源层至衬底，暴露部分衬底并形成一固定结构；在固定结构相对两侧暴露部分衬底的区域生长掩埋结构；去除部分介质掩模，暴露部分盖层；在掩埋结构和暴露的盖层上生长接触层，以使接触层包围剩余的介质掩模形成凹陷部。该制备方法通过普通的接触光刻工艺制作，有效降低了半导体激光器的工艺复杂度，同时减少了半导体激光器的制作成本。
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公开(公告)号：CN115149399A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210876197.X
申请日：2022-07-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/12
Abstract: 一种光栅激光器及制备方法，该光栅激光器包括：InP衬底；InP缓冲层，形成于InP衬底的一侧；下限制层，形成于InP缓冲层上；多量子阱层，形成于下限制层上；上限制层，形成于多量子阱层上；InP间隔层，形成于上限制层上；刻蚀停止层，形成于InP间隔层上；三个间隔设置的腐蚀层，每个腐蚀层包括：InP层，形成于刻蚀停止层上；InGaAs层，形成于InP层上；其中，三个腐蚀层沿着预设方向延伸，相邻的两个腐蚀层与两个腐蚀层之间的刻蚀停止层形成矩形槽结构；氧化硅钝化牺牲层，形成于矩形槽结构的侧壁和底部；多个光栅填充层，多个光栅填充层沿着预设方向依次排布在矩形槽结构中，多个光栅填充层形成布拉格光栅结构。
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公开(公告)号：CN112072470B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202010964578.4
申请日：2020-09-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种多波长激光器阵列及其制作方法，其中，该多波长激光器阵列，包括至少三个激光器设置于同一衬底上，其中，每个激光器包括：在所述衬底上依次生长的下脊波导层、中间有源层和上脊波导层；其中，至少三个激光器的中间有源层的有源材料的发光波长不同。本发明提供的该多波长激光器阵列及其制作方法，采用对接生长技术获得具有不同发光波长的增益材料，有利于提高激光器阵列光电性能的一致性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114284865A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111595855.X
申请日：2021-12-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种有源反馈DFB的制作方法，包括：在衬底上形成两个掩膜条、位于两个掩膜条中间的生长窗口，每个掩膜条包括有源区掩膜和反馈区掩膜，有源区掩膜的宽度大于反馈区掩膜的宽度；在生长窗口上依次形成缓冲层、有源层、光栅层、光栅覆盖层；由光栅层形成横向延伸的均匀光栅；在光栅覆盖层上依次形成包层、电接触层；由包层形成纵向延伸的倒台型脊波导、以及位于倒台型脊波导两侧的沟槽；在倒台型脊波导上形成电隔离区；在电接触层上形成电隔离层，在电隔离层、倒台型脊波导和沟槽上形成BCB覆层；刻蚀BCB覆层，使BCB覆层仅存在于方形掩膜，和倒台型脊波导两侧的沟槽内；在方形掩膜上制备Pad电极。本发明还提供一种利用上述方法制作的DFB激光器。
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公开(公告)号：CN111711074B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202010606637.0
申请日：2020-06-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种激光器及其制作方法，其激光器包括：衬底和双台脊波导；其中，双台脊波导，包括下台脊波导和上台脊波导；其中，下台脊波导，形成于所述衬底上，由下至上依次包括光斑放大层、第一间隔层、光栅层、第二间隔层和有源层；上台脊波导，形成于所述下台脊波导上，由下至上包括包层和盖层；所述上台脊波导包括两段楔形波导和一段直波导，所述两段楔形波导分别分布于所述直波导的两端。本发明实现大功率激光器的同时提高激光器与光纤的耦合效率，有效降低功耗和成本。
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公开(公告)号：CN114142339A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111450832.X
申请日：2021-11-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种集成器件及其制备方法，集成器件包括：衬底；调制器区和激光器区，调制器区和激光器区形成在衬底的同一表面并相邻设置；其中，调制器区上设有深脊波导，激光器区上设有浅脊波导；过渡区，形成于调制器区和激光器区之间并与调制器区和激光器区接触；过渡区的宽度沿激光器区指向调制器区方向上逐渐变小，以用于导引激光器区发射的激光进入调制器区。本发明通过激光器和调制器之间采用锥形结构过渡，实现了电吸收调制器的深脊波导用来降低电容，又满足了激光器区的浅脊波导保证激光器的性能，同时过渡区的锥形结构，降低了激光器和调制器的损耗，进而达到了高速率分布反馈激光器与电吸收调制器的单片集成。
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公开(公告)号：CN111244751B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202010061790.X
申请日：2020-01-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/026 , H01S5/00 , H01L31/0232 , H01L31/12 , H01L31/153 , H01L31/173 , H04B10/40
Abstract: 一种集成激光器和光电探测器的光通信收发结构，至少包括一多模干涉耦合器、一激光器以及一光电探测器，激光器和光电探测器分别连接于所述多模干涉耦合器同侧的发射端和接收端，其中：激光器以及光电探测器由下至上均依次包括：衬底(1)、n‑InP缓冲层(2)、AlInAs限制层(3)、AlGaInAs下限制层(4)、多量子阱有源层(5)、AlGaInAs上限制层(6)、AlInAs限制层(7)、InGaAsP光栅层(8)、p‑InP层(9)、p‑InGaAsP刻蚀阻止层(10)、上p‑InP盖层(11)、第一p‑InGaAs欧姆接触层(12)、金属电极层(13)；多模干涉耦合器由下至上依次包括：衬底(1)、n‑InP缓冲层(2)、InGaAsP波导芯层(14)、p‑InGaAsP刻蚀阻止层(10)、上p‑InP盖层(11)以及第二p‑InGaAs欧姆接触层(15)。
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公开(公告)号：CN109149322B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201710499946.0
申请日：2017-06-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种THz天线制作方法，包括：在衬底上依次生长缓冲层、波导层及间隔层；选择性去除衬底上增益区的间隔层后生长量子阱材料层；选择性去除衬底上增益区外的量子阱材料层；选择性去除衬底上混频器区的间隔层材料后生长混频器材料层；选择性去除衬底上混频器区外的混频器材料层，并选择性去除衬底上相位区内的间隔层后生长接触层，制备THz天线材料；利用所制备的THz天线材料制作所述THz天线。本发明还提供了一种THz天线。本发明THz天线及其制作方法，将多种功能光电子器件制作于同一衬底之上，有效提高了整个系统性能。
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