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公开(公告)号：CN115051239B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202210670789.6
申请日：2022-06-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种可调谐电吸收调制激光器，包括：位于同一衬底、等高且依次贴合的第一调制器区、第一前光栅区、第一增益区、第一相位区、后光栅区、第二相位区、第二增益区、第二前光栅区和第二调制器区，其中，第一增益区和第二增益区，按照预设顺序均包括第一下波导层、第一有源层和第一上波导层，第一下波导层形成于衬底上；第一调制器区和第二调制器区，按照预设顺序均包括第二下波导层、第二有源层和第二上波导层，第二下波导层形成于衬底上；第一前光栅区、第二前光栅区、后光栅区、第一相位区和第二相位区，均包括无源层，无源层形成于衬底上，第一前光栅区、第二前光栅区和后光栅区在无源层上形成有光栅结构，光栅结构包括取样光栅。
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公开(公告)号：CN115411610A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210940474.9
申请日：2022-08-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及半导体光电子技术领域，提供一种锁模激光器及其驱动方法，该锁模激光器包括：饱和吸收体、输入端波导区、多模干涉耦合器以及多个不同长度的反射臂，每个反射臂包括依次排列的输出端波导区、相位控制区以及多模干涉反射镜；其中，饱和吸收体设置于输入端波导区的一侧，输入端波导区的另一侧设置于多模干涉耦合器的输入端，多个不同长度的输出端波导区分别设置于多模干涉耦合器的多个输出端，多个不同长度的反射臂分别与饱和吸收体的端面构成多个不同腔长的子谐振腔，不同腔长的子谐振腔对应不同的锁模脉冲重复频率。本发明可以有效减小脉冲演化过程中的非线性效应，实现多种重复频率可切换的的大功率锁模脉冲输出。
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公开(公告)号：CN115051239A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210670789.6
申请日：2022-06-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种可调谐电吸收调制激光器，包括：位于同一衬底、等高且依次贴合的第一调制器区、第一前光栅区、第一增益区、第一相位区、后光栅区、第二相位区、第二增益区、第二前光栅区和第二调制器区，其中，第一增益区和第二增益区，按照预设顺序均包括第一下波导层、第一有源层和第一上波导层，第一下波导层形成于衬底上；第一调制器区和第二调制器区，按照预设顺序均包括第二下波导层、第二有源层和第二上波导层，第二下波导层形成于衬底上；第一前光栅区、第二前光栅区、后光栅区、第一相位区和第二相位区，均包括无源层，无源层形成于衬底上，第一前光栅区、第二前光栅区和后光栅区在无源层上形成有光栅结构，光栅结构包括取样光栅。
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公开(公告)号：CN113737145A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111035728.4
申请日：2021-09-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种反射率可调节的半导体激光器腔面膜的制备方法，包括：S1，将多个半导体激光器放置于真空环境中，并对多个半导体激光器的衬底进行加热处理后保持恒温；S2，采用磁控溅射设备在预置参数下对经过S1步骤处理后的每个半导体激光器的两端腔面上分别生长增透膜和高反膜，增透膜为氮化硅层，高反膜由二氧化硅层和氮化硅层交替生长形成；其中，预置参数包括单材料硅靶源的溅射功率为50W～200W，氮化硅层的生长条件：氮气流量为5sccm～200sccm、压强为0.05Pa～10.00Pa，二氧化硅层的生长条件：氧气流量为5sccm～200sccm、压强为0.05Pa～10.00Pa；通过调节氮气流量的大小以使生成不同折射率的氮化硅层，得到反射率可调节的增透膜和高反膜。
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公开(公告)号：CN112821197A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011642713.X
申请日：2020-12-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种光发射芯片的制作方法，包括：在磷化铟衬底上依次生长N型磷化铟缓冲层、下光限制层、多量子阱有源区、上光限制层和二氧化硅掩蔽层，腐蚀掉该磷化铟衬底任意一端的预设面积的二氧化硅掩蔽层、上光限制层、多量子阱有源区和下光限制层，得到无源区，在上光限制层上靠近无源区的一端制作预设长度的光栅，得到光栅层，在该光栅层和无源区上生长电接触层，在该电接触层上刻蚀出与无源区长度相同的多模干涉反射镜，在该电接触层上制作分布反馈激光器和电吸收调制器。本公开可以使芯片结构更加紧凑，性能更加稳定，提高芯片制作地成品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109402606B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201811514009.9
申请日：2018-12-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器不同折射率腔面膜的制备方法，该方法包括以下步骤：将半导体激光器解理、装夹、平放入化学气相沉积设备中并抽至高真空，开始膜层沉积过程；衬底加热并控温在300℃；分别设定二氧化硅和氮化硅需要的气体比例、膜厚和层数，在计算机控制下完成反射膜的制备；把镀膜夹具反面，设定氮化硅需要的气体比例和膜厚，在计算机控制下完成透射膜的制备。本发明半导体激光器不同折射率腔面膜的制备方法可以实现在不改变膜系设计、膜系内每层的厚度和薄膜材料的基础上，可实现不同激射波长、不同等效折射率的半导体激光器的不同的反射率和透射率的制备，制备工艺简单，膜层的质量稳定可靠。
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公开(公告)号：CN109600168B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201811538968.4
申请日：2018-12-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种基于光子集成芯片的多功能信号源及操作方法，该基于光子集成芯片的多功能信号源包括：光子集成芯片、光反馈环路、光电振荡环路以及任意波形发生器；其中该光子集成芯片包括：放大反馈激光器和探测器。本公开提供的基于光子集成芯片的多功能信号源及操作方法，在光子集成芯片上，探测器在芯片上将放大反馈激光器产生的高质量光载微波信号、啁啾激光信号和宽带混沌信号直接转换成电域信号输出，将光电振荡器系统中所需的有源光子器件集成在同一芯片上，具有结构紧凑、稳定性好、便于封装以及进一步降低成本等优点。
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公开(公告)号：CN107508143B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201710795032.9
申请日：2017-09-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 可调谐激光器及其制备方法，可调谐激光器包括位于同一衬底上、等高且依次贴合的增益区、相位区和光栅区，其中：增益区，自下而上依次包括：下波导层、有源层及上波导层，有源层为多量子阱结构，该多量子阱结构包括交替叠置的阱层和垒层，阱层和垒层的主体材料均为InGaAlAs四元化合物；下波导层、有源区及上波导层的靠近相位区的侧面腐蚀形成为斜面；相位区和光栅区，均包括无源层，光栅区的无源层形成有光栅结构；相位区靠近所述斜面的侧面与斜面相吻合，以使增益区和相位区相贴合。增益区的侧壁腐蚀形成有斜面，能够有效防止相位区和光栅区在对接生长无源层材料时在对接界面形成的材料堆积，从而减小光的损耗和界面处的光反射。
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公开(公告)号：CN109402606A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811514009.9
申请日：2018-12-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器不同折射率腔面膜的制备方法，该方法包括以下步骤：将半导体激光器解理、装夹、平放入化学气相沉积设备中并抽至高真空，开始膜层沉积过程；衬底加热并控温在300℃；分别设定二氧化硅和氮化硅需要的气体比例、膜厚和层数，在计算机控制下完成反射膜的制备；把镀膜夹具反面，设定氮化硅需要的气体比例和膜厚，在计算机控制下完成透射膜的制备。本发明半导体激光器不同折射率腔面膜的制备方法可以实现在不改变膜系设计、膜系内每层的厚度和薄膜材料的基础上，可实现不同激射波长、不同等效折射率的半导体激光器的不同的反射率和透射率的制备，制备工艺简单，膜层的质量稳定可靠。
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公开(公告)号：CN104503023B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201410809706.2
申请日：2014-12-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于多模干涉器结构的外调制型少模光通信发射芯片，涉及少模光通信领域，该芯片包括：单纵模激光器单元、多模干涉器模式复用器组合单元、调制器阵列和光波导单元，其中：单纵模激光器单元用于产生基模光信号；多模干涉器模式复用器组合单元用于将单纵模激光器单元产生的基模光信号转化为基模信号和高阶模信号；光波导单元用于将基模信号和高阶模信号传输至调制器阵列；调制器阵列包括多个调制器，分别对于接收到的基模信号和高阶模信号并进行。本发明结构紧凑，器件体积减小，相对于分立器件，缩小了电互连距离，稳定性好，为进一步提高通信容量打下了基础。
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