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公开(公告)号：CN115411610A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210940474.9
申请日：2022-08-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及半导体光电子技术领域，提供一种锁模激光器及其驱动方法，该锁模激光器包括：饱和吸收体、输入端波导区、多模干涉耦合器以及多个不同长度的反射臂，每个反射臂包括依次排列的输出端波导区、相位控制区以及多模干涉反射镜；其中，饱和吸收体设置于输入端波导区的一侧，输入端波导区的另一侧设置于多模干涉耦合器的输入端，多个不同长度的输出端波导区分别设置于多模干涉耦合器的多个输出端，多个不同长度的反射臂分别与饱和吸收体的端面构成多个不同腔长的子谐振腔，不同腔长的子谐振腔对应不同的锁模脉冲重复频率。本发明可以有效减小脉冲演化过程中的非线性效应，实现多种重复频率可切换的的大功率锁模脉冲输出。
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公开(公告)号：CN111082311A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911422971.4
申请日：2019-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种单片光子集成器件整片制作结构，其中包括多列相邻设置的集成器件单元组，每列集成器件单元组包括多个集成器件单元，每个集成器件单元包括两个光器件和刻蚀凹槽，所述两个光器件通过脊型波导串联；每列集成器件单元组中的集成器件单元与相邻列交错设置，使得在横向，一列集成器件单元的脊型波导与相邻列集成器件单元的刻蚀凹槽相对，或一列集成器件单元的刻蚀凹槽与相邻列集成器件单元的脊型波导相对。所述整片制作结构摒弃了传统的巴条解理、装架镀膜和再解理测试的繁杂步骤，实现了光子集成器件的整片镀膜和测试筛选，大大降低了光子集成器件的制作和测试成本；减少了集成器件单元的底面和端面反射光对在线测试数据的干扰。
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公开(公告)号：CN104914506B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201510348841.6
申请日：2015-06-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B6/28
Abstract: 本发明涉及一种基于多模干涉耦合器的InP基模分复用/解复用器结构，该结构主要包括三个部分：基于多模干涉耦合器的模式转换分离结构、π/2相移结构和基于多模干涉耦合器的3dB耦合器结构。在所述的π/2相移结构中，通过调谐波导芯层厚度，使在波导中传输模式的相移发生变化，当波导的长度为某一特定值时，其相移变化达到π/2。该模式复用/解复用器结构具有结构紧凑、器件尺寸小、信道带宽较大、插入损耗较低、通道串扰较低的优势，且其工艺制作简单，制作容差较大，非常适合于与半导体激光器、调制器、放大器、探测器等器件的单片集成，是研究基于模分复用技术的单片集成少模光通信收发模块的关键器件。
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公开(公告)号：CN106067651A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201610561580.0
申请日：2016-07-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S1/02
CPC classification number: H01S1/02
Abstract: 一种基于分布布拉格反射激光器的啁啾微波产生装置包括任意波形发生器，用于提供随时间变化的电信号；分布布拉格反射激光器，与所述波形发生器电性连接，用于依据所述随时间变化的电信号产生啁啾激光；可调谐单模激光器，用于产生可调谐单模激光；耦合器，与所述分布布拉格反射激光器、所述可调谐单模激光器连接，用于将所述分布布拉格反射激光器发出的啁啾激光与所述可调谐单模激光器发出的可调谐单模激光耦合；以及光电探测器，接收耦合后的激光，并生成啁啾微波，该啁啾微波产生装置可以产生形状、周期和带宽可调的以及具有超高的时间带宽积和压缩比的啁啾微波。
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公开(公告)号：CN104617486A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201410613588.8
申请日：2014-11-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/065
Abstract: 本发明公开了一种单片集成式多波长半导体锁模激光器的设计方案。该方案通过干法刻蚀工艺在同一半导体衬底上集成一组半导体光放大器(SOA)有源阵列，相位调制器(PM)阵列、相位延迟波导阵列(Delay Lines)、阵列波导光栅(AWG)和饱和吸收体(SA)。其中，SOA有源阵列分别为各个波长通道提供增益，通过控制注入SOA的电流控制激射波长的输出功率；AWG主要起到选模及复用不同波长的功能；SA实现被动锁模或者混合锁模。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119890915A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411883603.0
申请日：2024-12-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种超短光脉冲源芯片和超短光脉冲源设备，涉及半导体光电子集成器件技术领域，超短光脉冲源芯片包括：电吸收调制激光器110、相位调制器120、光脉冲压缩组件130和基片140，相位调制器120分别与电吸收调制激光器110和光脉冲压缩组件130连接，电吸收调制激光器110、相位调制器120与光脉冲压缩组件130置于基片140的同一侧，其中，电吸收调制激光器110，用于产生初级光脉冲；相位调制器120，用于在初级光脉冲中引入啁啾，得到第二光脉冲；光脉冲压缩组件130，用于对第二光脉冲进行压缩和功率放大，得到目标光脉冲。本发明可以得到单片集成、体积小的超短光脉冲源芯片，并利用超短光脉冲源芯片生成高质量的超短光脉冲。
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公开(公告)号：CN116470385A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310254345.9
申请日：2023-03-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种放大反馈激光器及其制备方法，涉及光电子技术领域，避免了现有技术中放大反馈激光器因简并双模影响光生微波的纯净度的问题，从而大幅提升器件性能。该放大反馈激光器包括：激光器区、相位控制区和放大反馈区；所述相位控制区设置在所述激光器区和所述相位控制区之间、且分别与所述激光器区和所述放大反馈区相连；所述激光器区、所述相位控制区和所述放大反馈区均分别包括多层生长结构；所述多层生长结构包括光栅层，所述激光器区的光栅层包括光栅区和非光栅区，所述光栅区包括光栅。
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公开(公告)号：CN104617486B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201410613588.8
申请日：2014-11-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/065
Abstract: 本发明公开了一种单片集成式多波长半导体锁模激光器的设计方案。该方案通过干法刻蚀工艺在同一半导体衬底上集成一组半导体光放大器(SOA)有源阵列，相位调制器(PM)阵列、相位延迟波导阵列(Delay Lines)、阵列波导光栅(AWG)和饱和吸收体(SA)。其中，SOA有源阵列分别为各个波长通道提供增益，通过控制注入SOA的电流控制激射波长的输出功率；AWG主要起到选模及复用不同波长的功能；SA实现被动锁模或者混合锁模。
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公开(公告)号：CN106058638A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610384022.1
申请日：2016-06-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/065
CPC classification number: H01S5/0657
Abstract: 本发明提供了一种用于输出飞秒脉冲的锁模激光器，包括在两解理面之间通过无源脊波导依次连接的半导体饱和吸收体、半导体光放大器、多通道阵列波导光栅和相位延迟波导阵列。本发明提供的锁模激光器无需利用外部脉冲压缩技术即可获得飞秒脉冲输出，具有制作工艺简单、结构紧凑、成本低廉、易于大规模生产等优点。
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公开(公告)号：CN115411610B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202210940474.9
申请日：2022-08-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及半导体光电子技术领域，提供一种锁模激光器及其驱动方法，该锁模激光器包括：饱和吸收体、输入端波导区、多模干涉耦合器以及多个不同长度的反射臂，每个反射臂包括依次排列的输出端波导区、相位控制区以及多模干涉反射镜；其中，饱和吸收体设置于输入端波导区的一侧，输入端波导区的另一侧设置于多模干涉耦合器的输入端，多个不同长度的输出端波导区分别设置于多模干涉耦合器的多个输出端，多个不同长度的反射臂分别与饱和吸收体的端面构成多个不同腔长的子谐振腔，不同腔长的子谐振腔对应不同的锁模脉冲重复频率。本发明可以有效减小脉冲演化过程中的非线性效应，实现多种重复频率可切换的的大功率锁模脉冲输出。
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