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公开(公告)号：CN120028991A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202311559472.6
申请日：2023-11-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种光学相控阵波束处理方法，该方法包括将激光光源经过耦合器耦合至光学相控阵芯片中；利用N级分束器对耦合器输出的激光光源进行分束处理，得到2N束光束；将2N束光束一一对应输入至2N个移相器，并利用随机并行梯度下降算法对2N个移相器的工作电压分别进行调整，得到相位改变后的2N束光束；将相位改变后的2N束光束一一对应输入至2N个发射阵元，得到聚焦光束。本公开还提供了一种光学相控阵芯片。
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公开(公告)号：CN111753977B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202010616219.X
申请日：2020-06-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种光学神经网络卷积层芯片，应用于人工智能领域，包括依次连接的第一耦合器、第一分束器、多个光子计算模块和卷积求和模块；该第一耦合器，用于将接收到的光信号耦合至第一分束器中；该第一分束器包括多个输出端口，该分束器用于将耦合后的光信号进行分束，得到多束光信号，多束该光信号一一通过各该输出端口输入至各该光子计算模块；该光子计算模块，用于对每束该光信号进行幅度调制和相位调制，以通过每束调制的光信号表示一个输入数据和一个卷积核参数，并将所有调制后的光信号转化为电信号；该卷积求和模块，用于对所有该电信号进行卷积求和，完成所有输入数据和卷积核参数的光子卷积运算。光子具有高速度、高带宽、低功耗的特点，利用光子实现卷积计算，可以大幅度提高计算速度并降低计算能耗。
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公开(公告)号：CN117317802A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311364186.4
申请日：2023-10-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种多波长半导体激光器，由下至上依次包括：N面电极层、衬底层、缓冲层、下波导层、多量子阱有源层、上波导层、多波长光栅层、刻蚀自停止层、包层、欧姆接触层、P面电极层；其中，从所述欧姆接触层表面指向所述衬底层的方向刻蚀有平行的第一沟道和第二沟道，所述第一沟道与所述第二沟道之间形成脊波导，所述第一沟道与所述第二沟道的尺寸相同。同时，本公开还提供一种基于上述多波长半导体激光器的激光产生方法。
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公开(公告)号：CN112232487A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011121100.1
申请日：2020-10-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种光学神经网络芯片及其计算方法，包括：光子权重模块，用于实现多个权重的编码，并基于多个权重的编码，调节输入信号中包括的多个不同波长的光信号的幅值，实现各波长的光信号表示的输入数据分别与多个权重的光学乘加计算；光子偏置模块，用于实现多个偏置的编码；光电探测器阵列，用于探测多个光学乘加计算与多个偏置一一对应的求和计算的结果。该芯片及计算方法利用光子实现神经网络计算，可以大幅度提高计算速度并降低计算能耗，通过波分复用对不同的数据进行表示，提高了芯片的计算性能。
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公开(公告)号：CN105405793A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510896680.4
申请日：2015-12-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67011
Abstract: 本发明公开了一种均匀轴向力承片装置，包括：一片状下施力盖板(10)；一片状下承接托(11)，上表面沿以下承接托(11)的中心为圆心的圆周均匀分布有多个孔，并位于下施力盖板(10)之上；一片状上施力托(14)，与下承接拖(11)的所述多个孔相对应地分布有多个孔，并位于下承接托之上；其中在下承接托(11)和上施力托(14)之间通过多个定向柱(15)插置在相对应的孔中实现连接，在下承接托(11)和上施力托(14)之间还设置有一对上下叠置的保护陪片(16)；一平凸透镜(17)，其平面与上施力托相对地位于上施力托(14)之上；以及一上施力盖板(18)，上施力盖板(18)为片状，位于平凸透镜(17)之上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103825194A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201410083323.1
申请日：2014-03-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种单模光子晶体边发射半导体激光器，包括一叠层结构，所述叠层结构包括：一下电极；一N型衬底制作在该下电极上；一N型限制层制作在该N型衬底上；一有源层制作在该N型限制层上；一P型限制层，其中间为沿纵向凸起的三段式波导，该三段式波导的两侧为相对的锥形波导，之间为光子晶体波导，其制作在该有源层之上；一P型盖层，其制作在该P型限制层上的三段式波导的上面；一SiO2绝缘层，其制作在P型限制层上的三段式波导的侧壁上，并覆盖P型限制层的上面，形成基片；以及一上电极，其制作在基片除了侧壁的上面。本发明通过光子晶体波导选择激光器的纵模和侧模，并利用对称双锥形结构放大激光功率，实现高功率、单模、低水平发散角激光输出的目的。
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公开(公告)号：CN102684069B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201210174309.3
申请日：2012-05-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于倏逝场耦合及周期微结构选频混合硅单模激光器，包括：一硅衬底，该硅衬底为单晶硅材料；一二氧化硅层，该二氧化硅层制作在硅衬底之上；一硅波导层，该波导层制作在二氧化硅层之上，该波导层的纵向开有两条空气沟道，两条空气沟道之间为带有周期微结构的脊形条；一键合缓冲层，其制作在硅波导层上的中间，该键合缓冲层的宽度小于硅波导层的宽度，形成脊形条状，该键合缓冲层的两侧形成台面；两条状N型电极，制作在键合缓冲层两侧的台面上；一N型接触层，其制作在键合缓冲层之上；一量子阱有源区，其制作在N型接触层之上；一P型接触层，其制作在量子阱有源区之上；一P型盖层，其制作在P型接触层之上；一条状P型电极制作在P型盖层之上。
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公开(公告)号：CN101976801A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010277684.1
申请日：2010-09-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明公开了一种横磁偏振光子晶体慢光效应半导体光放大器，该半导体光放大器包括纵向结构和横向结构，其中纵向结构为纵向弱限制结构或空气桥结构，横向结构采用蜂窝晶格结构，并引入线缺陷作为导光区。本发明采用蜂窝晶格引入线缺陷的光子晶体结构能够实现高群折射率，达到50或更高，且是横磁偏振工作模式，与多量子阱有源区结合实现横磁模式的放大，慢光效应增强了光和增益介质作用，大幅度缩短腔长。
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公开(公告)号：CN120033527A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202311567876.X
申请日：2023-11-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种半导体激光器，包括：增益芯片，所述增益芯片的第一侧面沿第一方向出射第一激光束，所述增益芯片的第二侧面沿第二方向出射第二激光束；外腔激光器主体，相对所述增益芯片的所述第一侧面设置，用于对所述第一激光束谐振、聚焦及射出；光电二极管组，相对所述增益芯片的所述第二侧面设置，所述光电二极管组包括多个光电二极管，所述多个光电二极管相对所述第二侧面呈扇形排列，且具有色散差异。本发明还提供一种应用于所述半导体激光器的输出波长实时反馈方法。
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