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公开(公告)号：CN104914506B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201510348841.6
申请日：2015-06-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B6/28
Abstract: 本发明涉及一种基于多模干涉耦合器的InP基模分复用/解复用器结构，该结构主要包括三个部分：基于多模干涉耦合器的模式转换分离结构、π/2相移结构和基于多模干涉耦合器的3dB耦合器结构。在所述的π/2相移结构中，通过调谐波导芯层厚度，使在波导中传输模式的相移发生变化，当波导的长度为某一特定值时，其相移变化达到π/2。该模式复用/解复用器结构具有结构紧凑、器件尺寸小、信道带宽较大、插入损耗较低、通道串扰较低的优势，且其工艺制作简单，制作容差较大，非常适合于与半导体激光器、调制器、放大器、探测器等器件的单片集成，是研究基于模分复用技术的单片集成少模光通信收发模块的关键器件。
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公开(公告)号：CN103532014B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201310529374.8
申请日：2013-10-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种分布布拉格反馈可调谐激光器及其制作方法，方法包括如下步骤：在一衬底上依次生长下波导层、多量子阱有源区、上波导层；获得分布布拉格反馈区及相位区材料，其带隙波长小于激光器发光波长；在反馈区制作光栅；在整个管芯表面生长包层和电接触层材料；在反馈区、相位区及增益区的包层及电接触层上制作倒台浅脊波导结构，其波导侧壁为(111)A晶面；在电接触层上刻蚀电隔离沟，同时对隔离沟进行离子注入，在增益区和相区、相位区和反馈区之间实现电隔离。本发明在提高注入载流子浓度的同时保证反馈区具有较低的串联电阻，有利于增大器件波长调谐范围及提高波长调谐灵敏度。
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公开(公告)号：CN104617486A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201410613588.8
申请日：2014-11-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/065
Abstract: 本发明公开了一种单片集成式多波长半导体锁模激光器的设计方案。该方案通过干法刻蚀工艺在同一半导体衬底上集成一组半导体光放大器(SOA)有源阵列，相位调制器(PM)阵列、相位延迟波导阵列(Delay Lines)、阵列波导光栅(AWG)和饱和吸收体(SA)。其中，SOA有源阵列分别为各个波长通道提供增益，通过控制注入SOA的电流控制激射波长的输出功率；AWG主要起到选模及复用不同波长的功能；SA实现被动锁模或者混合锁模。
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公开(公告)号：CN103779785A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410027833.7
申请日：2014-01-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种可实现波长宽调谐的分布反射布拉格激光器及其制作方法。激光器包括管芯，管芯依次包括衬底、下波导层、有源区层、上波导层、光栅盖层、包层、电接触层，在垂直于各层的叠置方向的水平面的第一方向上延伸有一个脊波导，在该脊波导之外的区域不具有光栅盖层、包层和电接触层；管芯按照在第一方向上的位置分为依次紧邻的光栅区、相区和增益区；在光栅区的脊波导之外的区域，还不具有下波导层、有源区层和上波导层；在光栅区的上波导层的表层具有布拉格光栅。本发明能将波长调谐范围可增大至12nm，既降低了制作工艺的复杂性，同时还能保证产品的成品率和出光功率。
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公开(公告)号：CN104377544B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201410709708.4
申请日：2014-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于放大反馈实现直调带宽扩展的单片集成激光器芯片，包括：一下限制层；一有源层，其制作在下限制层上；一上限制层，其制作在有源层上；一波导层，为条状，其纵向制作在上限制层上面的中间；一P+电极层，其是用隔离沟将其分为三段，其制作在波导层上；一N+电极层，其制作在下限制层的背面；其中分为三段的P+电极层分别对应为DFB激光器区、无源相位调节区和有源放大反馈区，该DFB激光器区对应的上限制层部分制作有分布反馈Bragg光栅层；该无源相位调节区对应的有源层与DFB激光器区和有源放大反馈区对应的有源层的增益峰存在90nm蓝移。本发明可以突破普通激光器芯片的直调带宽限制，用一种巧妙、有效且成本低的方法实现激光器直调带宽的扩展。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104914506A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510348841.6
申请日：2015-06-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B6/28
CPC classification number: G02B6/2813
Abstract: 本发明涉及一种基于多模干涉耦合器的InP基模分复用/解复用器结构，该结构主要包括三个部分：基于多模干涉耦合器的模式转换分离结构、π/2相移结构和基于多模干涉耦合器的3dB耦合器结构。在所述的π/2相移结构中，通过调谐波导芯层厚度，使在波导中传输模式的相移发生变化，当波导的长度为某一特定值时，其相移变化达到π/2。该模式复用/解复用器结构具有结构紧凑、器件尺寸小、信道带宽较大、插入损耗较低、通道串扰较低的优势，且其工艺制作简单，制作容差较大，非常适合于与半导体激光器、调制器、放大器、探测器等器件的单片集成，是研究基于模分复用技术的单片集成少模光通信收发模块的关键器件。
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公开(公告)号：CN109167251A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201811178879.3
申请日：2018-10-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种集成有源反馈腔的半导体激光器芯片，包括：直调激光器，设置于所述激光器芯片的一端，用于提供光输出以及模式选择；有源反馈腔，设置于所述激光器芯片的另一端，用于提供光反馈以增加激光器芯片的直调带宽；以及电隔离区，设置于所述直调激光器与有源反馈腔之间，用于实现所述直调激光器与有源反馈腔之间的电隔离；所述集成有源反馈腔的半导体激光器芯片通过直调激光器与有源反馈腔中载流子和光子的相互作用，可以在提高激光器本身弛豫振荡频率的同时利用光-光共振效应扩展激光器的调制带宽，以一种实用方便的结构实现超高的直调带宽。
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公开(公告)号：CN104918145B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201510270790.X
申请日：2015-05-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种单片集成式多波长偏振复用/解复用器，其是由阵列波导光栅和多模干涉耦合器组成，包括：一输入波导；一第一自由光谱传输区，其输入端与输入波导连接；一阵列波导，其一端与第一自由光谱传输区的输出端连接；一第二自由光谱传输区，其输入端与阵列波导的另一端连接；多个输出波导，其一端与第二自由光谱传输区的输出端连接；多个多模干涉耦合器，其输入端与输出波导的另一端连接。本发明可实现多波长偏振的复用与解复用功能，可与半导体激光器、调制器等光器件单片集成。
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公开(公告)号：CN104617486B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201410613588.8
申请日：2014-11-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/065
Abstract: 本发明公开了一种单片集成式多波长半导体锁模激光器的设计方案。该方案通过干法刻蚀工艺在同一半导体衬底上集成一组半导体光放大器(SOA)有源阵列，相位调制器(PM)阵列、相位延迟波导阵列(Delay Lines)、阵列波导光栅(AWG)和饱和吸收体(SA)。其中，SOA有源阵列分别为各个波长通道提供增益，通过控制注入SOA的电流控制激射波长的输出功率；AWG主要起到选模及复用不同波长的功能；SA实现被动锁模或者混合锁模。
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公开(公告)号：CN106058638A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610384022.1
申请日：2016-06-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/065
CPC classification number: H01S5/0657
Abstract: 本发明提供了一种用于输出飞秒脉冲的锁模激光器，包括在两解理面之间通过无源脊波导依次连接的半导体饱和吸收体、半导体光放大器、多通道阵列波导光栅和相位延迟波导阵列。本发明提供的锁模激光器无需利用外部脉冲压缩技术即可获得飞秒脉冲输出，具有制作工艺简单、结构紧凑、成本低廉、易于大规模生产等优点。
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