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公开(公告)号：CN115051239B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202210670789.6
申请日：2022-06-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种可调谐电吸收调制激光器，包括：位于同一衬底、等高且依次贴合的第一调制器区、第一前光栅区、第一增益区、第一相位区、后光栅区、第二相位区、第二增益区、第二前光栅区和第二调制器区，其中，第一增益区和第二增益区，按照预设顺序均包括第一下波导层、第一有源层和第一上波导层，第一下波导层形成于衬底上；第一调制器区和第二调制器区，按照预设顺序均包括第二下波导层、第二有源层和第二上波导层，第二下波导层形成于衬底上；第一前光栅区、第二前光栅区、后光栅区、第一相位区和第二相位区，均包括无源层，无源层形成于衬底上，第一前光栅区、第二前光栅区和后光栅区在无源层上形成有光栅结构，光栅结构包括取样光栅。
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公开(公告)号：CN115051239A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210670789.6
申请日：2022-06-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种可调谐电吸收调制激光器，包括：位于同一衬底、等高且依次贴合的第一调制器区、第一前光栅区、第一增益区、第一相位区、后光栅区、第二相位区、第二增益区、第二前光栅区和第二调制器区，其中，第一增益区和第二增益区，按照预设顺序均包括第一下波导层、第一有源层和第一上波导层，第一下波导层形成于衬底上；第一调制器区和第二调制器区，按照预设顺序均包括第二下波导层、第二有源层和第二上波导层，第二下波导层形成于衬底上；第一前光栅区、第二前光栅区、后光栅区、第一相位区和第二相位区，均包括无源层，无源层形成于衬底上，第一前光栅区、第二前光栅区和后光栅区在无源层上形成有光栅结构，光栅结构包括取样光栅。
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公开(公告)号：CN113737145A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111035728.4
申请日：2021-09-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种反射率可调节的半导体激光器腔面膜的制备方法，包括：S1，将多个半导体激光器放置于真空环境中，并对多个半导体激光器的衬底进行加热处理后保持恒温；S2，采用磁控溅射设备在预置参数下对经过S1步骤处理后的每个半导体激光器的两端腔面上分别生长增透膜和高反膜，增透膜为氮化硅层，高反膜由二氧化硅层和氮化硅层交替生长形成；其中，预置参数包括单材料硅靶源的溅射功率为50W～200W，氮化硅层的生长条件：氮气流量为5sccm～200sccm、压强为0.05Pa～10.00Pa，二氧化硅层的生长条件：氧气流量为5sccm～200sccm、压强为0.05Pa～10.00Pa；通过调节氮气流量的大小以使生成不同折射率的氮化硅层，得到反射率可调节的增透膜和高反膜。
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公开(公告)号：CN112821197A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011642713.X
申请日：2020-12-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种光发射芯片的制作方法，包括：在磷化铟衬底上依次生长N型磷化铟缓冲层、下光限制层、多量子阱有源区、上光限制层和二氧化硅掩蔽层，腐蚀掉该磷化铟衬底任意一端的预设面积的二氧化硅掩蔽层、上光限制层、多量子阱有源区和下光限制层，得到无源区，在上光限制层上靠近无源区的一端制作预设长度的光栅，得到光栅层，在该光栅层和无源区上生长电接触层，在该电接触层上刻蚀出与无源区长度相同的多模干涉反射镜，在该电接触层上制作分布反馈激光器和电吸收调制器。本公开可以使芯片结构更加紧凑，性能更加稳定，提高芯片制作地成品率。
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公开(公告)号：CN109638648B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201910102887.8
申请日：2019-01-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种电注入硅基III‑V族边发射纳米线激光器的制备方法，包括：在SOI衬底上沉积二氧化硅层，在所述二氧化硅层上刻蚀矩形沟槽；在矩形沟槽下方的所述SOI衬底的顶层硅中腐蚀v形沟槽，与所述矩形沟槽连通形成连通沟槽；在所述连通沟槽中生长硅基III‑V族边发射纳米线激光器的外延结构；在所述硅基III‑V族边发射纳米线激光器上制备金属电极图形。本发明为在SOI衬底上外延的III‑V族纳米线材料提供了实现电注入的工艺方法，同时所制备的电极可以用于测试硅基III‑V族边发射纳米线激光器动态特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107508143B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201710795032.9
申请日：2017-09-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 可调谐激光器及其制备方法，可调谐激光器包括位于同一衬底上、等高且依次贴合的增益区、相位区和光栅区，其中：增益区，自下而上依次包括：下波导层、有源层及上波导层，有源层为多量子阱结构，该多量子阱结构包括交替叠置的阱层和垒层，阱层和垒层的主体材料均为InGaAlAs四元化合物；下波导层、有源区及上波导层的靠近相位区的侧面腐蚀形成为斜面；相位区和光栅区，均包括无源层，光栅区的无源层形成有光栅结构；相位区靠近所述斜面的侧面与斜面相吻合，以使增益区和相位区相贴合。增益区的侧壁腐蚀形成有斜面，能够有效防止相位区和光栅区在对接生长无源层材料时在对接界面形成的材料堆积，从而减小光的损耗和界面处的光反射。
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公开(公告)号：CN110265503A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910519509.X
申请日：2019-06-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 一种硅基III-V族红外光电探测器阵列的制备方法，包括：在SOI衬底上生长二氧化硅，在生长的二氧化硅上刻蚀出周期性的矩形沟槽；腐蚀所述矩形沟槽下方的SOI顶层硅，形成一V形沟槽；在V形沟槽和矩形沟槽中生长III-V族探测器外延结构；在所述外延结构上再沉积一层二氧化硅作为隔离层；在该隔离层上部分区域刻蚀出生长下电极的区域并沉积下电极；在该隔离层的其他区域刻蚀出多个设定尺寸的矩形沟槽；在所述多个设定尺寸的矩形沟槽中生长二氧化硅，在该二氧化硅上制备出上电极区域并沉积上电极。
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公开(公告)号：CN104503023B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201410809706.2
申请日：2014-12-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于多模干涉器结构的外调制型少模光通信发射芯片，涉及少模光通信领域，该芯片包括：单纵模激光器单元、多模干涉器模式复用器组合单元、调制器阵列和光波导单元，其中：单纵模激光器单元用于产生基模光信号；多模干涉器模式复用器组合单元用于将单纵模激光器单元产生的基模光信号转化为基模信号和高阶模信号；光波导单元用于将基模信号和高阶模信号传输至调制器阵列；调制器阵列包括多个调制器，分别对于接收到的基模信号和高阶模信号并进行。本发明结构紧凑，器件体积减小，相对于分立器件，缩小了电互连距离，稳定性好，为进一步提高通信容量打下了基础。
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公开(公告)号：CN104914506B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201510348841.6
申请日：2015-06-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B6/28
Abstract: 本发明涉及一种基于多模干涉耦合器的InP基模分复用/解复用器结构，该结构主要包括三个部分：基于多模干涉耦合器的模式转换分离结构、π/2相移结构和基于多模干涉耦合器的3dB耦合器结构。在所述的π/2相移结构中，通过调谐波导芯层厚度，使在波导中传输模式的相移发生变化，当波导的长度为某一特定值时，其相移变化达到π/2。该模式复用/解复用器结构具有结构紧凑、器件尺寸小、信道带宽较大、插入损耗较低、通道串扰较低的优势，且其工艺制作简单，制作容差较大，非常适合于与半导体激光器、调制器、放大器、探测器等器件的单片集成，是研究基于模分复用技术的单片集成少模光通信收发模块的关键器件。
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公开(公告)号：CN107069427A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710062988.8
申请日：2017-01-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种宽光谱晶闸管激光器的制备方法，涉及半导体器件制备技术领域。本发明公开的制备方法包括：在衬底上制备半导体外延层结构，在半导体外延层结构上形成脊条结构，在脊条结构上制备电极得到所述的宽光谱晶闸管激光器。其中，通过结合传统激光器的PiN结构和传统晶闸管的PNPN结构，引入上N型区，完成具备高输出功率，且有高稳定性和可控性的PNPiN结构宽光谱晶闸管激光器的制备。制备工艺简单可控，成本低廉，易于实现批量生产。
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