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公开(公告)号：CN104503023B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201410809706.2
申请日：2014-12-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于多模干涉器结构的外调制型少模光通信发射芯片，涉及少模光通信领域，该芯片包括：单纵模激光器单元、多模干涉器模式复用器组合单元、调制器阵列和光波导单元，其中：单纵模激光器单元用于产生基模光信号；多模干涉器模式复用器组合单元用于将单纵模激光器单元产生的基模光信号转化为基模信号和高阶模信号；光波导单元用于将基模信号和高阶模信号传输至调制器阵列；调制器阵列包括多个调制器，分别对于接收到的基模信号和高阶模信号并进行。本发明结构紧凑，器件体积减小，相对于分立器件，缩小了电互连距离，稳定性好，为进一步提高通信容量打下了基础。
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公开(公告)号：CN104143757A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201410386617.1
申请日：2014-08-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于分布布拉格反射激光器的波长可调谐窄线宽光源。该光源中，将单片集成的分布布拉格反射半导体激光器(Distributed Bragg Reflector semiconductor laser)激射的光作为种子光，通过外部的两个并列的、不同长度的光纤环，对DBR激光器进行自注入反馈实现线宽的压缩。最后充分利用DBR激光器的波长可调谐特性实现一种输出波长可调谐的窄线宽光源。
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公开(公告)号：CN103779785A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410027833.7
申请日：2014-01-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种可实现波长宽调谐的分布反射布拉格激光器及其制作方法。激光器包括管芯，管芯依次包括衬底、下波导层、有源区层、上波导层、光栅盖层、包层、电接触层，在垂直于各层的叠置方向的水平面的第一方向上延伸有一个脊波导，在该脊波导之外的区域不具有光栅盖层、包层和电接触层；管芯按照在第一方向上的位置分为依次紧邻的光栅区、相区和增益区；在光栅区的脊波导之外的区域，还不具有下波导层、有源区层和上波导层；在光栅区的上波导层的表层具有布拉格光栅。本发明能将波长调谐范围可增大至12nm，既降低了制作工艺的复杂性，同时还能保证产品的成品率和出光功率。
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公开(公告)号：CN104143757B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201410386617.1
申请日：2014-08-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于分布布拉格反射激光器的波长可调谐窄线宽光源。该光源中，将单片集成的分布布拉格反射半导体激光器(Distributed Bragg Reflector semiconductor laser)激射的光作为种子光，通过外部的两个并列的、不同长度的光纤环，对DBR激光器进行自注入反馈实现线宽的压缩。最后充分利用DBR激光器的波长可调谐特性实现一种输出波长可调谐的窄线宽光源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104051955B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201410299327.3
申请日：2014-06-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于半导体双模激光器的可调谐光生微波源，包括：一放大反馈激光器；一三端口光环形器，其端口2与放大反馈激光器连接；一光耦合器，其端口1与三端口光环形器的端口3连接；一光纤放大器，其输入端与光耦合器的端口2连接，使得反馈强度大于放大反馈激光器自注入锁定的阈值；一偏振控制器，其输入端与光纤放大器的输出端连接，其输出端与三端口光环形器的端口1连接，用于控制反馈回路注入回放大反馈激光器的反馈信号的偏振状态；本发明可克服双模激光器产生的微波信号在稳定度和线宽方面的不足，本发明无需外微波源作为基准就可以产生窄线宽可调谐的微波源，具有集成度高，结构紧凑，稳定性好，制作工艺简单，成本低，易于实现的优点。
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公开(公告)号：CN105068189A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510547137.3
申请日：2015-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B6/293
CPC classification number: G02B6/2938 , G02B6/29346
Abstract: 一种InP基波分一模分复用少模光通信光子集成发射芯片，包括多个不同波长的单模半导体激光器作为光源；多个不同功能的多模干涉耦合器(MMI)用于实现光功率分配、模式转换以及多波长多模式复用；多个可以对基模信号进行调制的调制器结构，各器件之间使用直波导或者弯曲波导连接。多模干涉耦合器具有较大的设计和工艺容差，较大的光学带宽，偏振不敏感以及尺寸较小等优良特性。本发明首次提出利用多模干涉耦合器作为多波长多模耦合器，将波分复用与模分复用技术相结合，从而进一步提高光纤传输容量。
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公开(公告)号：CN104953468A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201410130717.8
申请日：2014-03-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种四段式放大反馈混沌光发射激光器结构，包括：一衬底；一n-InP缓冲层制作在衬底上；一InGaAsP下限制层制作在n-InP缓冲层上；一多量子阱增益层制作在InGaAsP下限制层上；一InGaAsP上限制层制作在多量子阱有源层上；一p-InP盖层制作于InGaAsP上限制层上方，其上有一凸起的脊形；一p-InGaAs接触层制作于p-InP盖层的上方；一TiAu金属电极制作于p-InGaAs接触层的上方；一AuGeNi金属电极制作于衬底的下方，形成四段式放大反馈混动光发射激光器结构；该四段式放大反馈混动光发射激光器结构分为激光器区、相区、放大反馈区和透明区。本发明具有可单片集成、结构紧凑、稳定性好、制作工艺简单的优点。
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公开(公告)号：CN104377544A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410709708.4
申请日：2014-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于放大反馈实现直调带宽扩展的单片集成激光器芯片，包括：一下限制层；一有源层，其制作在下限制层上；一上限制层，其制作在有源层上；一波导层，为条状，其纵向制作在上限制层上面的中间；一P+电极层，其是用隔离沟将其分为三段，其制作在波导层上；一N+电极层，其制作在下限制层的背面；其中分为三段的P+电极层分别对应为DFB激光器区、无源相位调节区和有源放大反馈区，该DFB激光器区对应的上限制层部分制作有分布反馈Bragg光栅层；该无源相位调节区对应的有源层与DFB激光器区和有源放大反馈区对应的有源层的增益峰存在90nm蓝移。本发明可以突破普通激光器芯片的直调带宽限制，用一种巧妙、有效且成本低的方法实现激光器直调带宽的扩展。
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