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公开(公告)号：CN103457157B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201310340691.5
申请日：2013-08-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种纳米激光器激光合束器件的制备方法，包括：曲面多层膜的制备；曲面多层膜的平坦化；曲面多层膜的减薄；涂覆、固化溶胶层；在溶胶层上沉积金属Ag层；反复涂覆溶胶层-沉积Ag层，最终得到这种纳米激光器激光合束器件。该纳米激光器激光合束器件利用人工材料结构实现对激光光束的定向耦合、传输，克服了单个纳米激光器激光功率有限的不足，进而实现多束激光的合束。
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公开(公告)号：CN103454866B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201310438387.4
申请日：2013-09-24
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 提供了基于表面等离子体波照明的光刻成像设备及光刻成像方法。一示例光刻成像设备可以包括：表面等离子体SP波照明场产生装置，被配置为接收以一定方向入射的远场照明光束，以产生特定传输波长的SP波照明场。SP波照明场可以通过掩模激发待成像的光场。远场照明光束的入射角度可以被设置为能够产生特定传输波长的SP波照明场，实现SP波通过掩模层的+1级或-1级衍射光与0级衍射光发生干涉。
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公开(公告)号：CN102879360B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201210325524.9
申请日：2012-09-05
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种超衍射定向传输材料结构制备后的测试分析方法，在透明基底上通过纳米加工方法得到纳米狭缝或孔结构掩模；在已平坦化的纳米狭缝或孔结构掩模上沉积金属介质交替多层膜结构材料；通过刻蚀或研磨的方法实现表层薄膜材料的粗糙化，完成结构制备；然后通过光源照明狭缝或小孔，激发表面等离子体倏逝波光场，并交替耦合到多层金属介质薄膜材料中，表面等离子体光场在金属介质膜层材料最外层形成特定分布，并被粗糙化表面散射到远场，通过物镜和CCD观测记录；最后计算得出超衍射材料的定向传输角度θ。本发明将高频倏逝波能量转化到远场进行探测和分析，可满足超衍射材料光学特性在远场范围的量化分析及表征需求。
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公开(公告)号：CN102560565B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201210027790.3
申请日：2012-02-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于绝缘硅(SOI)和电铸技术的金属纳米线阵及其制备方法，该金属纳米线阵的各金属线之间由掺杂硅介质材料填充，其制备流程包括：选取SOI，并在其上下表面各沉积一层氮化硅薄膜；采用光刻及干法刻蚀，在SOI下底面氮化硅膜层上制作一个开口，露出体硅表面；采用氢氧化钾湿法腐蚀，以氮化硅为掩蔽层将露出的体硅表面腐蚀完毕，露出二氧化硅表面；在SOI的上表面涂覆光刻胶，通过光刻和刻蚀制作纳米通孔；将具有纳米通孔的SOI器件电铸，获得掺杂硅包裹的金属线条；采用干法刻蚀将氮化硅去除，并用氢氟酸溶液去除二氧化硅，完成金属纳米线阵的制备。本发明不易损伤，且采用SOI片进行制作，避免了掺杂不均、掺杂层厚度难控制等缺点。
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公开(公告)号：CN102556950B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201210026732.9
申请日：2012-02-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于三层结构的可调谐人工电磁材料及其制作方法，该人工电磁材料是由金属-掺杂介质-金属三层结构组成的微纳米图形结构，可用于红外、太赫兹波段。其制作方法包括：选择绝缘硅，利用沉积、粘结、干法刻蚀、湿法腐蚀、再沉积的技术，在基片上获得金属-掺杂介质-金属的三层结构；在三层结构之上进行光刻，获得光刻胶图形；利用离子束刻蚀将光刻胶图形转移到金属膜层上，即可获得基于金属-掺杂介质-金属三层结构的人工电磁材料。本发明的制作方法避免了常规方法如溅射、离子注入、键合等方法制备掺杂硅带来的掺杂难、掺杂不均、掺杂层厚度难控制等缺点，工艺简单，易于控制，是人工电磁材料的一种高效可靠的制作方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103968770A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410192906.8
申请日：2014-05-08
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G01B11/14
Abstract: 本发明提供一种基于表面等离子体共振的高精度纳米间隙检测结构及方法，属于纳米光学技术领域，可解决现有技术测量精度低，无法动态测量等问题。本发明中光源输出光经过准直镜、宽带偏振器入射到分束器；经过分束镜的透射光与纳米间隙检测结构及基底相互作用后，反射光回至分束器；经分束器反射并由透镜会聚后入射至光谱探测器，探测器将探测得到的数据传到计算机，经计算机处理得到间隙值，实现纳米间隙的检测。本发明采用光谱探测的方法可以实现纳米量级间隙的高精度动态检测，为纳米加工、纳米测量领域提供一种全新的测试技术；并有望在包括近场光学，近场物理在内的多个研究领域发挥重要作用。
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公开(公告)号：CN102556950A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210026732.9
申请日：2012-02-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于三层结构的可调谐人工电磁材料及其制作方法，该人工电磁材料是由金属-掺杂介质-金属三层结构组成的微纳米图形结构，可用于红外、太赫兹波段。其制作方法包括：选择绝缘硅，利用沉积、粘结、干法刻蚀、湿法腐蚀、再沉积的技术，在基片上获得金属-掺杂介质-金属的三层结构；在三层结构之上进行光刻，获得光刻胶图形；利用离子束刻蚀将光刻胶图形转移到金属膜层上，即可获得基于金属-掺杂介质-金属三层结构的人工电磁材料。本发明的制作方法避免了常规方法如溅射、离子注入、键合等方法制备掺杂硅带来的掺杂难、掺杂不均、掺杂层厚度难控制等缺点，工艺简单，易于控制，是人工电磁材料的一种高效可靠的制作方法。
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公开(公告)号：CN101063810B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200710099701.5
申请日：2007-05-29
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/00 , G03F7/20 , H01L21/027 , H01L21/00
Abstract: 紫外光照微纳图形气压压印和光刻两用复制装置，包括主机大基板、压模移动台系统、均匀照明系统、压模架、压模、基片、对准系统、基片升降系统、承片调平台系统、花样镜、压镜和控制系统，在主机大基板上固定有压模移动台系统和在其内部的承片调平台系统，XY压模移动台上支撑有压模架和花样镜或压镜，吸附着压模或掩模，基片或硅片被吸附于承片调平台系统上，均匀照明系统位于压模的上方，对准系统连接在均匀照明系统的一侧，工作台系统和均匀照明系统的探测输出信号送至控制系统进行处理，用于控制。本发明具有微纳图形气压压印和光刻两方面的功能，且操作使用方便。
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公开(公告)号：CN101740872A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910243549.2
申请日：2009-12-25
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: H01Q15/00
Abstract: 一种基于周期金属线的宽带半反半透膜层，其特征包括以下几点：(1)该膜层由上下两组金属化介质板阵列组成，其整体厚度为d；(2)金属化介质板由介质板以及覆盖在介质板上的金属膜层组成；(3)上下两组金属化介质板阵列均分别由三层单层金属化介质板层叠组成；(4)所有介质板以及板上的金属线均只在一个方向上按相同周期p排列；(5)上(下)组介质板阵列的金属线宽度为w1(w2)；(6)上下两组介质板阵列可以互换；(7)所有金属线厚度均为h1；(8)所有介质板厚度均为h2；(9)所有介质板宽度均为w；(10)金属线的宽度w1，w2；膜层整体厚度d；排列周期p均可以同时按照比例k调整。本发明具有制作简便，易于操作，工作频带宽，工作频段任意可调的特性，在微波、太赫兹波段都具有很大的应用前景。
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公开(公告)号：CN101386984A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200810223525.6
申请日：2008-10-06
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 基于非对称金属光栅结构的双频可调磁共振人工复合材料，其特征在于：选择石英基片并将表面抛光，在其表面蒸镀SiO2膜；在SiO2膜表面蒸镀铬膜，在铬膜上涂覆光刻胶层；采用电子束光刻方法，在光刻胶上制备介质光栅结构；采用湿法腐蚀技术，将光刻胶作为掩模，腐蚀裸露铬膜；采用干法腐蚀技术，将铬膜作掩模，在SiO2膜上刻蚀介质光栅结构，去除铬膜；采用侧向真空沉积技术，在SiO2光栅结构一侧侧向沉积厚度h金属层；同样在SiO2光栅结构另一侧沉积相同厚度的金属层，形成顶部厚度2h，侧壁宽度h的“Π”形金属结构，基于非对称金属光栅结构的双频可调磁共振人工复合材料制作完成。本发明具有制作简便，单层损耗小，单层正入射以及双频的特性，在磁共振、近场光学、隐身材料等领域具有启示的意义以及很大的应用前景。
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