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公开(公告)号：CN103837981A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410103225.X
申请日：2014-03-19
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种提高分立式微变形镜填充因子的方法，包括一个微缩束镜阵列和一个分立式微变形镜。其特征在于微缩束镜阵列与分立式微变形镜具有相同的单元间距，入射光经过微缩束镜阵列之后被分割并缩束，形成一个光斑阵列，再入射到变形镜表面，阵列中各光斑均投射到变形镜相应单元，各单元根据入射光像差进行相应的校正，使光斑阵列反射回去重新通过微缩束镜阵列扩束合成，实现像差校正。系统填充因子从分立式微变形镜的填充因子提高到了微缩束镜阵列的填充因子。本发明通过分立式微变形镜与微缩束镜阵列的配合解决了变形镜填充因子较低的问题，并相对于现有单一微透镜阵列与分立式微变形镜配合技术克服了引入像差及倾斜像差无法校正的问题。
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公开(公告)号：CN102560565A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210027790.3
申请日：2012-02-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于绝缘硅(SOI)和电铸技术的金属纳米线阵及其制备方法，该金属纳米线阵的各金属线之间由掺杂硅介质材料填充，其制备流程包括：选取SOI，并在其上下表面各沉积一层氮化硅薄膜；采用光刻及干法刻蚀，在SOI下底面氮化硅膜层上制作一个开口，露出体硅表面；采用氢氧化钾湿法腐蚀，以氮化硅为掩蔽层将露出的体硅表面腐蚀完毕，露出二氧化硅表面；在SOI的上表面涂覆光刻胶，通过光刻和刻蚀制作纳米通孔；将具有纳米通孔的SOI器件电铸，获得掺杂硅包裹的金属线条；采用干法刻蚀将氮化硅去除，并用氢氟酸溶液去除二氧化硅，完成金属纳米线阵的制备。本发明不易损伤，且采用SOI片进行制作，避免了掺杂不均、掺杂层厚度难控制等缺点。
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公开(公告)号：CN103837981B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410103225.X
申请日：2014-03-19
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种提高分立式微变形镜填充因子的方法，包括一个微缩束镜阵列和一个分立式微变形镜。其特征在于微缩束镜阵列与分立式微变形镜具有相同的单元间距，入射光经过微缩束镜阵列之后被分割并缩束，形成一个光斑阵列，再入射到变形镜表面，阵列中各光斑均投射到变形镜相应单元，各单元根据入射光像差进行相应的校正，使光斑阵列反射回去重新通过微缩束镜阵列扩束合成，实现像差校正。系统填充因子从分立式微变形镜的填充因子提高到了微缩束镜阵列的填充因子。本发明通过分立式微变形镜与微缩束镜阵列的配合解决了变形镜填充因子较低的问题，并相对于现有单一微透镜阵列与分立式微变形镜配合技术克服了引入像差及倾斜像差无法校正的问题。
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公开(公告)号：CN102565930A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210026572.8
申请日：2012-02-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于平面金属条的光波导及其制备方法，其结构特征包括掺杂硅层及其上加工的平面金属条。制作流程包括：选择合适的绝缘硅(SOI)，在掺杂硅表面沉积一层金属膜，再在金属膜表面涂覆抗蚀剂，利用紫外纳米压印技术在抗蚀剂上制作图形，最后通过干法刻蚀得到基于平面金属条的光波导。本发明中的光波导是由平面金属条制备于掺杂硅表面而成，可以使其在约束光波和降低能量损耗方面有明显改善；同时使用SOI片，避免了掺杂不均、掺杂层厚度难控制等缺点，保证了掺杂的浓度和均匀度；另外，本发明采用紫外纳米压印技术可以获得大面积、均匀度好的平面金属条，并降低了成本。
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公开(公告)号：CN104330896B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410613218.4
申请日：2014-11-04
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种利用全内反射棱镜阵列实现高通量虚拟狭缝的光学系统，包括：子午方向的前置短焦柱透镜、弧矢方向的前置长焦柱透镜、全内反射棱镜阵列、弧矢方向的后置长焦柱透镜以及子午方向的后置短焦柱透镜。圆形光纤端面输入的信号光分别经子午方向的前置短焦柱透镜和弧矢方向的前置长焦柱透镜准直后形成一个椭圆光斑，椭圆的长轴位于弧矢方向，短轴位于子午方向。椭圆光斑在弧矢方向经全内反射棱镜阵列分割后，将分割后的椭圆光斑旋转重排，再经弧矢方向的后置长焦柱透镜和子午方向的后置短焦柱透镜后，即可获得所需的高通量虚拟狭缝。本发明的光路简单，光能利用率高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104330896A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410613218.4
申请日：2014-11-04
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
CPC classification number: G02B27/0911 , G01J3/04 , G02B27/0961 , G02B27/0972
Abstract: 本发明公开了一种利用全内反射棱镜阵列实现高通量虚拟狭缝的光学系统，包括：子午方向的前置短焦柱透镜、弧矢方向的前置长焦柱透镜、全内反射棱镜阵列、弧矢方向的后置长焦柱透镜以及子午方向的后置短焦柱透镜。圆形光纤端面输入的信号光分别经子午方向的前置短焦柱透镜和弧矢方向的前置长焦柱透镜准直后形成一个椭圆光斑，椭圆的长轴位于弧矢方向，短轴位于子午方向。椭圆光斑在弧矢方向经全内反射棱镜阵列分割后，将分割后的椭圆光斑旋转重排，再经弧矢方向的后置长焦柱透镜和子午方向的后置短焦柱透镜后，即可获得所需的高通量虚拟狭缝。本发明的光路简单，光能利用率高。
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公开(公告)号：CN102540284B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201210026665.0
申请日：2012-02-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于负性光刻胶和掩膜移动曝光工艺的微透镜阵列制备方法，其主要工艺流程包括：选取基片，涂覆负性光刻胶，对基片先进行无掩膜曝光，再进行掩膜移动曝光、后烘和显影工艺获得微透镜阵列的光刻胶图形，最后采用干法刻蚀将光刻胶图形转移到基片上，即可获得微透镜阵列结构。本发明优点是利用负性光刻胶实现连续面形的微透镜阵列加工。由于负性光刻胶具有较好的抗刻蚀特性，并且在温度较高时光刻胶图形不易变形，使得这种微透镜阵列加工方法不仅可用于普通微透镜阵列的制备，也可用于需要深刻蚀或制备于厚基片上的微透镜阵列加工。
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公开(公告)号：CN102540284A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210026665.0
申请日：2012-02-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于负性光刻胶和掩膜移动曝光工艺的微透镜阵列制备方法，其主要工艺流程包括：选取基片，涂覆负性光刻胶，对基片先进行无掩膜曝光，再进行掩膜移动曝光、后烘和显影工艺获得微透镜阵列的光刻胶图形，最后采用干法刻蚀将光刻胶图形转移到基片上，即可获得微透镜阵列结构。本发明优点是利用负性光刻胶实现连续面形的微透镜阵列加工。由于负性光刻胶具有较好的抗刻蚀特性，并且在温度较高时光刻胶图形不易变形，使得这种微透镜阵列加工方法不仅可用于普通微透镜阵列的制备，也可用于需要深刻蚀或制备于厚基片上的微透镜阵列加工。
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公开(公告)号：CN103235489B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201310178623.3
申请日：2013-05-15
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明可变周期多光束干涉光刻的方法，包括激光器输出的激光经整形后由分光元件分为多束对称分布的发散光束；经准直透镜后多束发散光束被准直为多束平行于光轴的平行光束；通过连续变倍扩束镜调节各平行光束离光轴的间距；由聚焦透镜对各光束进行聚焦，在焦面上形成多光束干涉图样；将涂有光刻胶的样片置于聚焦透镜的焦面上实现多光束干涉光刻；调节连续变倍扩束镜改变各光束离光轴的距离，从而改变各光束干涉时的入射角，获得可变周期的多光束干涉光刻；通过承片台在x-y方向对干涉曝光场进行步进扫描拼接获得大面积曝光。本发明图形周期易调节、能实现大面积多光束干涉光刻等优点，用于平板显示、生物传感、太阳能电池及自清洁结构研究领域。
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公开(公告)号：CN102560565B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201210027790.3
申请日：2012-02-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于绝缘硅(SOI)和电铸技术的金属纳米线阵及其制备方法，该金属纳米线阵的各金属线之间由掺杂硅介质材料填充，其制备流程包括：选取SOI，并在其上下表面各沉积一层氮化硅薄膜；采用光刻及干法刻蚀，在SOI下底面氮化硅膜层上制作一个开口，露出体硅表面；采用氢氧化钾湿法腐蚀，以氮化硅为掩蔽层将露出的体硅表面腐蚀完毕，露出二氧化硅表面；在SOI的上表面涂覆光刻胶，通过光刻和刻蚀制作纳米通孔；将具有纳米通孔的SOI器件电铸，获得掺杂硅包裹的金属线条；采用干法刻蚀将氮化硅去除，并用氢氟酸溶液去除二氧化硅，完成金属纳米线阵的制备。本发明不易损伤，且采用SOI片进行制作，避免了掺杂不均、掺杂层厚度难控制等缺点。
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