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公开(公告)号：CN103837981A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410103225.X
申请日：2014-03-19
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种提高分立式微变形镜填充因子的方法，包括一个微缩束镜阵列和一个分立式微变形镜。其特征在于微缩束镜阵列与分立式微变形镜具有相同的单元间距，入射光经过微缩束镜阵列之后被分割并缩束，形成一个光斑阵列，再入射到变形镜表面，阵列中各光斑均投射到变形镜相应单元，各单元根据入射光像差进行相应的校正，使光斑阵列反射回去重新通过微缩束镜阵列扩束合成，实现像差校正。系统填充因子从分立式微变形镜的填充因子提高到了微缩束镜阵列的填充因子。本发明通过分立式微变形镜与微缩束镜阵列的配合解决了变形镜填充因子较低的问题，并相对于现有单一微透镜阵列与分立式微变形镜配合技术克服了引入像差及倾斜像差无法校正的问题。
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公开(公告)号：CN113820850A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202110965435.X
申请日：2021-08-23
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G02B26/08
Abstract: 本发明公开了一种集成球面反射镜的MEMS微快门阵列器件，该器件由多个完全相同的单元以一定的规则排列在衬底表面而形成。所述的单元包括支撑柱、镜面和电极。支撑柱起到支撑镜面的作用，镜面中部下方与支撑柱相连，四周边缘悬空。电极位于镜面的正下方，即支撑柱的四周。镜面初始未工作时呈凹面，其曲率可由加工工艺决定。入射平行光照射到镜面，根据几何光学可知反射光将会发生汇聚。给镜面及电极施加一定的直流电势差，则由于静电力的吸引，镜面边缘会向下弯曲，从而使整个镜面由凹面变为凸面，因而将使反射光发散。本发明通过镜面的变形，可以实现汇聚光束的开启和关闭，从而完成了传统微透镜和微快门共同才能完成的功能。
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公开(公告)号：CN102540284B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201210026665.0
申请日：2012-02-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于负性光刻胶和掩膜移动曝光工艺的微透镜阵列制备方法，其主要工艺流程包括：选取基片，涂覆负性光刻胶，对基片先进行无掩膜曝光，再进行掩膜移动曝光、后烘和显影工艺获得微透镜阵列的光刻胶图形，最后采用干法刻蚀将光刻胶图形转移到基片上，即可获得微透镜阵列结构。本发明优点是利用负性光刻胶实现连续面形的微透镜阵列加工。由于负性光刻胶具有较好的抗刻蚀特性，并且在温度较高时光刻胶图形不易变形，使得这种微透镜阵列加工方法不仅可用于普通微透镜阵列的制备，也可用于需要深刻蚀或制备于厚基片上的微透镜阵列加工。
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公开(公告)号：CN102540284A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210026665.0
申请日：2012-02-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于负性光刻胶和掩膜移动曝光工艺的微透镜阵列制备方法，其主要工艺流程包括：选取基片，涂覆负性光刻胶，对基片先进行无掩膜曝光，再进行掩膜移动曝光、后烘和显影工艺获得微透镜阵列的光刻胶图形，最后采用干法刻蚀将光刻胶图形转移到基片上，即可获得微透镜阵列结构。本发明优点是利用负性光刻胶实现连续面形的微透镜阵列加工。由于负性光刻胶具有较好的抗刻蚀特性，并且在温度较高时光刻胶图形不易变形，使得这种微透镜阵列加工方法不仅可用于普通微透镜阵列的制备，也可用于需要深刻蚀或制备于厚基片上的微透镜阵列加工。
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公开(公告)号：CN113820850B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202110965435.X
申请日：2021-08-23
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G02B26/08
Abstract: 本发明公开了一种集成球面反射镜的MEMS微快门阵列器件，该器件由多个完全相同的单元以一定的规则排列在衬底表面而形成。所述的单元包括支撑柱、镜面和电极。支撑柱起到支撑镜面的作用，镜面中部下方与支撑柱相连，四周边缘悬空。电极位于镜面的正下方，即支撑柱的四周。镜面初始未工作时呈凹面，其曲率可由加工工艺决定。入射平行光照射到镜面，根据几何光学可知反射光将会发生汇聚。给镜面及电极施加一定的直流电势差，则由于静电力的吸引，镜面边缘会向下弯曲，从而使整个镜面由凹面变为凸面，因而将使反射光发散。本发明通过镜面的变形，可以实现汇聚光束的开启和关闭，从而完成了传统微透镜和微快门共同才能完成的功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103345010A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310290048.6
申请日：2013-07-11
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明是一种基于聚二甲基硅氧烷模板的微透镜阵列元件制作方法，包括如下步骤，S1：制作目标结构掩模板；S2：把目标结构掩模板图形转印到玻璃基板上，得到光刻胶微透镜阵列模版；S3：将聚二甲基硅氧烷与固化剂混合后浇注于光刻胶微透镜阵列模版表面并固化、剥离，制作带有微透镜阵列结构聚二甲基硅氧烷模板；S4：在玻璃基板上旋涂紫外线固化胶；S5：把聚二甲基硅氧烷模板结构面与旋涂紫外线固化胶的玻璃基板紧密贴合，用紫外光照射紫外固化胶至固化；S6：将聚二甲基硅氧烷模板与玻璃基板剥离，得到由紫外线固化胶作结构层、玻璃作基底的微透镜阵列元件。本发明保证了微透镜阵列元件的光学性能，能实现快速批量生产。
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公开(公告)号：CN102556951A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210027093.8
申请日：2012-02-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种硅基悬空的金属纳米针孔及其加工方法，该纳米针孔制作于硅基悬空的金属薄膜上。其制作流程包括：选取双面抛光硅片，在硅片的上表面沉积金属膜，再在硅片的两个表面分别沉积氮化硅膜。然后在硅片上表面涂光刻胶进行光刻，刻蚀氮化硅层和金属层，获得粗定位标识图形。再在硅片下表面涂光刻胶、光刻、刻蚀氮化硅层、湿法腐蚀体硅，获得硅基悬空的金属膜。最后采用聚焦离子束在硅基悬空的金属膜上制备精对准标识和纳米针孔。本发明利用灵活有效、精密度高的聚焦离子束在金属膜上直接加工纳米针孔，实现纳米精度的操作，同时实现入射光点与纳米孔的精确对位，避免了电子束光刻和图形传递的繁琐工艺流程，具有工艺简单，精度高的优点。
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公开(公告)号：CN104865706A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510262764.2
申请日：2015-05-21
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
CPC classification number: G02B27/0955 , G02B27/0905 , G02B27/42
Abstract: 本发明公开了一种提高相干合束激光光束质量的装置。该装置包括一组衍射型望远系统阵列、一个聚焦透镜和一个CCD。所述衍射望远系统阵列由一组目镜阵列和一组物镜阵列组成，单个目镜和单个物镜组成衍射望远系统单元，单元结构采用伽利略望远系统，其组成透镜采用多阶相位型菲涅尔衍射结构。具体地，所述衍射望远系统阵列将入射的较为分散的阵列光束扩束成相切光束，然后经聚焦透镜聚焦，在其焦面处实现远场相干合束，并由CCD探测合束激光的能量分布。本发明具有易于加工、方便装调等优点，同时，所述衍射望远系统阵列具有高扩展性，可以实现不同排布、更多路高填充因子的激光相干合束。
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公开(公告)号：CN102556950B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201210026732.9
申请日：2012-02-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于三层结构的可调谐人工电磁材料及其制作方法，该人工电磁材料是由金属-掺杂介质-金属三层结构组成的微纳米图形结构，可用于红外、太赫兹波段。其制作方法包括：选择绝缘硅，利用沉积、粘结、干法刻蚀、湿法腐蚀、再沉积的技术，在基片上获得金属-掺杂介质-金属的三层结构；在三层结构之上进行光刻，获得光刻胶图形；利用离子束刻蚀将光刻胶图形转移到金属膜层上，即可获得基于金属-掺杂介质-金属三层结构的人工电磁材料。本发明的制作方法避免了常规方法如溅射、离子注入、键合等方法制备掺杂硅带来的掺杂难、掺杂不均、掺杂层厚度难控制等缺点，工艺简单，易于控制，是人工电磁材料的一种高效可靠的制作方法。
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公开(公告)号：CN102556950A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210026732.9
申请日：2012-02-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于三层结构的可调谐人工电磁材料及其制作方法，该人工电磁材料是由金属-掺杂介质-金属三层结构组成的微纳米图形结构，可用于红外、太赫兹波段。其制作方法包括：选择绝缘硅，利用沉积、粘结、干法刻蚀、湿法腐蚀、再沉积的技术，在基片上获得金属-掺杂介质-金属的三层结构；在三层结构之上进行光刻，获得光刻胶图形；利用离子束刻蚀将光刻胶图形转移到金属膜层上，即可获得基于金属-掺杂介质-金属三层结构的人工电磁材料。本发明的制作方法避免了常规方法如溅射、离子注入、键合等方法制备掺杂硅带来的掺杂难、掺杂不均、掺杂层厚度难控制等缺点，工艺简单，易于控制，是人工电磁材料的一种高效可靠的制作方法。
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