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公开(公告)号：CN102565930A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210026572.8
申请日：2012-02-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于平面金属条的光波导及其制备方法，其结构特征包括掺杂硅层及其上加工的平面金属条。制作流程包括：选择合适的绝缘硅(SOI)，在掺杂硅表面沉积一层金属膜，再在金属膜表面涂覆抗蚀剂，利用紫外纳米压印技术在抗蚀剂上制作图形，最后通过干法刻蚀得到基于平面金属条的光波导。本发明中的光波导是由平面金属条制备于掺杂硅表面而成，可以使其在约束光波和降低能量损耗方面有明显改善；同时使用SOI片，避免了掺杂不均、掺杂层厚度难控制等缺点，保证了掺杂的浓度和均匀度；另外，本发明采用紫外纳米压印技术可以获得大面积、均匀度好的平面金属条，并降低了成本。
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公开(公告)号：CN101825845A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200910243538.4
申请日：2009-12-25
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种用于高深宽比纳米图形加工的表面等离子体成像光刻方法，该方法是利用表面等离子体成像光刻复合掩模和加工有三层光刻胶结构的基片接触曝光，通过显影，实现纳米尺度线宽的图形成像光刻在厚度很薄的表层光刻胶膜层上，进一步通过两步刻蚀将图形传递到底层光刻胶，其光刻胶图形可以达到100nm～500nm。该方法解决了传统技术报道中表面等离子体成像光刻的图形深度浅、对比度低的技术缺陷，实现了高深宽比的纳米线宽图形光刻，可用于加工线宽20nm～500nm的纳米光刻胶图形，在电子集成线路加工、纳米光学材料加工等众多领域有广泛应用。
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公开(公告)号：CN101794070A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200910243540.1
申请日：2009-12-25
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种用于缩小投影超分辨成像的器件和光刻方法。器件主要结构特征为多层交替叠加的金属和介质薄膜，薄膜界面为特殊设计的曲面。在薄膜结构最外层掩模物信息以一定缩小倍率成像传递到另外一侧最外层表面，该表面外为光刻胶，实现缩小投影超分辨成像光刻。或者通过投影光学系统将掩模图形投影成像到超分辨成像器件的物平面上，再以一定缩小倍率成像传递到器件另外一侧最外层表面，该表面外为光刻胶，实现缩小投影超分辨成像光刻。
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公开(公告)号：CN101726990A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910241920.1
申请日：2009-12-15
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F1/08
Abstract: 一种用于200nm以下线宽超衍射光刻的硅掩模及其制作方法，该掩模由紫外透明材料基片上的硅膜作为图形层。其制作方法是：首先在基片上加工一定厚度的硅膜，使其对紫外光的透过率在5％以内；然后在硅膜表面加工一层薄的铬膜；利用聚焦离子束在铬膜上制备线宽小于200nm的图形；以铬膜层为遮蔽层，通过反应离子束刻蚀硅膜，使铬膜上的图形转移至硅膜上；最后用去铬液腐蚀掉残留的铬膜，制成分辨率高、图形层深度大的实用硅掩模。该硅掩模和加工方法解决了聚焦离子束难以制作图形层深度大、线宽小于200nm的铬掩模的技术困难，在纳米光刻技术中具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN101718952A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910243534.6
申请日：2009-12-25
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种基于移动编码掩模原理制备多层浮雕结构复合膜层的方法，其特征在于：由所制备膜层的厚度分布函数得到对应的掩模开孔函数，确定掩模开孔的形状和几何尺寸；沿掩模移动方向，在掩模上周期性地制备出此开孔；在膜料沉积过程中移动掩模，由掩模开孔的形状和几何尺寸控制此膜层各沉积区域的膜厚分布；重复以上步骤，通过更换掩模和膜料，可连续沉积多层不同材料和厚度分布的浮雕结构膜层。该方法结合了移动掩模技术和定向沉积技术，不需要经过曝光、刻蚀等复杂工艺步骤就可以在基底上直接沉积得到一层或多层预定厚度分布的浮雕结构膜层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100343698C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN03123567.0
申请日：2003-05-29
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种连续深浮雕非球面微透镜阵列制作方法，根据要求制作的微透镜阵列的尺寸设计制作二元掩模，对光刻胶进行两次涂胶，进行60℃-75℃低温、50min-90min长时间前烘，并将二元掩模经光学系统投影在经过涂胶和前烘工艺后的光刻胶上，然后采用移动掩模法进行曝光，即在曝光过程中移动掩模，再经过显影、漂洗及由70℃低温连续升温至120℃高温、90min-120min长时间后烘培，得到微透镜阵列。本发明所需的曝光时间极短(几十秒到几百秒)，比激光直写方法所需曝光时间少二至三个数量级，并且不需购置昂贵的设备，节约了制作成本，而且利用该方法制作的连续微透镜阵列，其组成微透镜阵列的透镜单元之间不存在死区，故填充因子接近100%。
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公开(公告)号：CN102540284B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201210026665.0
申请日：2012-02-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于负性光刻胶和掩膜移动曝光工艺的微透镜阵列制备方法，其主要工艺流程包括：选取基片，涂覆负性光刻胶，对基片先进行无掩膜曝光，再进行掩膜移动曝光、后烘和显影工艺获得微透镜阵列的光刻胶图形，最后采用干法刻蚀将光刻胶图形转移到基片上，即可获得微透镜阵列结构。本发明优点是利用负性光刻胶实现连续面形的微透镜阵列加工。由于负性光刻胶具有较好的抗刻蚀特性，并且在温度较高时光刻胶图形不易变形，使得这种微透镜阵列加工方法不仅可用于普通微透镜阵列的制备，也可用于需要深刻蚀或制备于厚基片上的微透镜阵列加工。
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公开(公告)号：CN102540284A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210026665.0
申请日：2012-02-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于负性光刻胶和掩膜移动曝光工艺的微透镜阵列制备方法，其主要工艺流程包括：选取基片，涂覆负性光刻胶，对基片先进行无掩膜曝光，再进行掩膜移动曝光、后烘和显影工艺获得微透镜阵列的光刻胶图形，最后采用干法刻蚀将光刻胶图形转移到基片上，即可获得微透镜阵列结构。本发明优点是利用负性光刻胶实现连续面形的微透镜阵列加工。由于负性光刻胶具有较好的抗刻蚀特性，并且在温度较高时光刻胶图形不易变形，使得这种微透镜阵列加工方法不仅可用于普通微透镜阵列的制备，也可用于需要深刻蚀或制备于厚基片上的微透镜阵列加工。
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公开(公告)号：CN101876539B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200910241922.0
申请日：2009-12-15
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G01B11/16
Abstract: 一种利用显微镜测量自撑膜弹性变形量的方法，属于薄膜性能测量领域。其特征在于以下步骤：(1)选择基片材料，并在其上制作有机膜；(2)在有机膜材料上面制作金属膜层以及光栅做为标记图形；(3)于基片另一面进行湿法腐蚀，仅留下有机薄膜与金属膜层作为自撑膜，将标记图形保留在自撑膜区域；(4)将(3)所得结构安装在一个腔体内，构成一个密封压力腔；(5)将压力腔放在显微镜载物台上，改变腔体压力，薄膜变形，目镜观察到的标记图形清晰度改变，调节物镜焦距，并通过电感测位仪测量载物台的移动量，由此得薄膜形变量。该方法设备简易、操作简单，对于自撑膜以及其他类型薄膜的形变量测量都具有适用性和实用性。
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公开(公告)号：CN101726990B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200910241920.1
申请日：2009-12-15
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F1/08
Abstract: 一种用于200nm以下线宽超衍射光刻的硅掩模及其制作方法，该掩模由紫外透明材料基片上的硅膜作为图形层。其制作方法是：首先在基片上加工一定厚度的硅膜，使其对紫外光的透过率在5％以内；然后在硅膜表面加工一层薄的铬膜；利用聚焦离子束在铬膜上制备线宽小于200nm的图形；以铬膜层为遮蔽层，通过反应离子束刻蚀硅膜，使铬膜上的图形转移至硅膜上；最后用去铬液腐蚀掉残留的铬膜，制成分辨率高、图形层深度大的实用硅掩模。该硅掩模和加工方法解决了聚焦离子束难以制作图形层深度大、线宽小于200nm的铬掩模的技术困难，在纳米光刻技术中具有广阔的应用前景。
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