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公开(公告)号：CN119805884A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510290715.3
申请日：2025-03-12
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开提供了一种利用两次光刻和两次负显影实现纳米孔加工的方法，涉及光刻技术领域，包括：在衬底上形成依次层叠的待刻蚀膜层、第一感光膜层、介质层和第二感光膜层，待刻蚀膜层靠近衬底；利用纳米孔图形掩模对第二感光膜层进行一次曝光，之后进行一次负显影，在第二感光膜层上形成纳米柱光刻结构；将纳米柱光刻结构的图形传递至介质层，形成柱图形结构；利用柱图形结构作为遮蔽图形对第一感光膜层进行二次曝光，之后进行二次负显影，在第一感光膜层上形成纳米孔图形结构；将纳米孔图形结构的图形传递至待刻蚀膜层，得到纳米孔结构。
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公开(公告)号：CN119805883A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510287810.8
申请日：2025-03-12
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开提供了一种用于超分辨光刻的高数值孔径照明光刻掩模及其制备方法、光刻方法，高数值孔径照明光刻掩模包括：光刻掩模基底；光刻掩模图形结构，设置于光刻掩模基底的第一表面；高数值孔径照明结构，形成于光刻掩模基底的第二表面，第二表面与第一表面相对；高数值孔径照明结构包括由多个第一侧壁部和多个第二侧壁部交替连接构成的锯齿形光栅结构，第一侧壁部表面形成有反射膜层，第一侧壁部与第二表面之间的夹角小于第二侧壁部与第二表面之间的夹角。
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公开(公告)号：CN118444520A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410899607.1
申请日：2024-07-05
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供一种高数值孔径照明光刻掩模及其制备方法、光刻方法，光刻掩模包括：掩模基底，掩模基底为透明基底；照明光栅结构和遮光层结构，设置在掩模基底上；高折射率透明介质层，设置在照明光栅结构和遮光层结构表面；掩蔽膜层，设置在高折射率透明介质层表面，掩蔽膜层的正对遮光层结构的区域设有掩模图形结构；其中，照明光栅结构被配置为对入射光进行衍射，产生传播方向垂直于掩蔽膜层表面的0级光和传播方向倾斜于掩蔽膜层表面的正负1级衍射光；遮光层结构被配置为遮挡0级光，不遮挡正负1级衍射光，使正负1级衍射光在高折射率透明介质层的作用下，均匀照射掩模图形结构。
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公开(公告)号：CN114217510B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202111547641.5
申请日：2021-12-16
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供一种光刻方法，包括：在光刻基底表面依次制备叠设的功能膜层、反射式辅助成像膜层及第一光刻胶层。对第一光刻胶层进行光刻，得到第一光刻结构。以第一光刻结构为掩蔽层对反射式辅助成像膜层进行刻蚀，以将第一光刻结构的图形传递到反射式辅助成像膜层上。在反射式辅助成像膜层的图形上依次制备叠设的第二光刻胶层及透射式辅助成像膜层。以反射式辅助成像膜层的图形为掩模进行表面等离子体光刻，去除透射式辅助成像膜层后对第二光刻胶层进行显影，得到第二光刻结构。以第二光刻结构为掩蔽层对功能膜层进行刻蚀，以将第二光刻结构的图形传递至功能膜层，得到第三光刻结构。本公开的方法能够提升光刻的分辨力。
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公开(公告)号：CN115047709A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210701459.9
申请日：2022-06-20
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供了一种高强度平面掩模及其制备方法，该制备方法包括：S1，在掩模基底上涂覆感光材料，进行光刻得到光刻结构；S2，基于光刻结构对掩模基底进行刻蚀，得到掩模基底图形结构；S3，去除组成光刻结构的感光材料；S4，在S3所得掩模基底上沉积光刻掩模材料；S5，对S4所得掩模基底的表面进行化学机械抛光，以显露出掩模基底图形结构，得到高强度平面掩模。本公开通过填充与平坦化，将掩模图形结构嵌入掩模基底中，得到一种高强度的平面掩模，从而有效提升了接触式光刻掩模版的使用寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114114481A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111538112.9
申请日：2021-12-15
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供了一种基于金属‑介质条形阵列的超分辨透镜的制备方法，包括：对第一衬底上的第一材料层进行光刻，得到光栅结构；交替沉积第二、第三材料层，直至将光栅结构填平，得到第一过渡结构，第二、第三材料层中一种为金属，另一种为介质；对第一过渡结构进行平坦化，其深度至少达到光栅结构的顶部，得到第二过渡结构；将其上表面与第二衬底进行固化；去除第一衬底，使第二过渡结构翻转至第二衬底上，得到第三过渡结构；再次进行平坦化，平坦化的深度至少达到最后一次沉积的第二材料层或第三材料层的顶部，得到基于金属‑介质条形阵列的超分辨透镜。本公开得到的超分辨透镜，入射光只沿着金属‑介质界面处传输，有效提升了能量利用效率。
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公开(公告)号：CN113311671A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110626253.X
申请日：2021-06-04
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种近场移动曝光装置和方法及其承载模块，近场移动曝光方法采用近场移动曝光装置，控制装置进入掩模更换工位，装载掩模与基片；控制工件台模块带动基片移动至曝光初始位置；调节承载模块中掩模架的偏转角，确保掩模与基片的移动方向同轴；进行掩模与基片的粗调平和精调平，使掩模与基片之间的工作间隙满足曝光要求；控制装置进入曝光工位进行曝光；曝光结束后控制装置进入掩模更换工位，卸载掩模和基片。掩模架采用翻盖式结构，搭配可双工位切换的光源，方便进行安装等操作。通过调节掩模安装偏转角解决了移动曝光运动方向不同轴问题。通过工件台二级调平模式，能够对工作间隙进行实时修正，确保移动曝光的质量。
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公开(公告)号：CN113189849A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110434777.9
申请日：2021-04-22
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种近场光刻浸没系统及其浸没单元和接口模组，包括设备基板；掩模装载模块，安装在设备基板上并用于安装掩模板；近场光刻浸没单元，通过接口模组安装在设备基板上；供给回收系统，用于通过接口模组向近场光刻浸没单元提供气体、液体并回收液体；控制系统，与供给回收系统和近场光刻浸没单元电连接以控制供液、供气、回收和制动。近场光刻浸没系统为近场光刻掩模板和基片之间形成稳定浸没场，以及如何在增设浸没场的情况下更加方便的自动上下掩模提供了解决方案。
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公开(公告)号：CN111272089A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010138013.0
申请日：2020-03-03
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G01B11/14
Abstract: 本发明公开了一种原位间隙检测装置与检测方法。该装置包括：用于支撑整体结构的外围框架；用于精密定位、调平、间隙控制和承载样片的工件台模块；用于装载母板、检测调平精度的承载模块；用于测量原位间隙的原位间隙检测模块；用于数据采集、处理与反馈控制的控制系统。该发明基于白光干涉间隙测量方法，通过外围三点监测母板与样片之间的间隙，并反馈控制工件台模块进行精密调平与间隙控制。同时结合白光干涉间隙测量方法与显微成像方法，对母板与样片中间工作区域进行横向分辨力高、检测精度高的原位间隙检测。
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