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公开(公告)号：CN103457157B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201310340691.5
申请日：2013-08-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种纳米激光器激光合束器件的制备方法，包括：曲面多层膜的制备；曲面多层膜的平坦化；曲面多层膜的减薄；涂覆、固化溶胶层；在溶胶层上沉积金属Ag层；反复涂覆溶胶层-沉积Ag层，最终得到这种纳米激光器激光合束器件。该纳米激光器激光合束器件利用人工材料结构实现对激光光束的定向耦合、传输，克服了单个纳米激光器激光功率有限的不足，进而实现多束激光的合束。
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公开(公告)号：CN103457157A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310340691.5
申请日：2013-08-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种纳米激光器激光合束器件的制备方法，包括：曲面多层膜的制备；曲面多层膜的平坦化；曲面多层膜的减薄；涂覆、固化溶胶层；在溶胶层上沉积金属Ag层；反复涂覆溶胶层-沉积Ag层，最终得到这种纳米激光器激光合束器件。该纳米激光器激光合束器件利用人工材料结构实现对激光光束的定向耦合、传输，克服了单个纳米激光器激光功率有限的不足，进而实现多束激光的合束。
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公开(公告)号：CN103399461A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310361799.2
申请日：2013-08-19
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于双层胶技术的掩模平坦化方法，其主要步骤为：在平面或者曲面基底上沉积铬膜层并制备掩模图形，之后在其上先后涂敷光刻胶A和光刻胶B，采用中心波长为365nm的紫外曝光光源从基底的背面入射，使光刻胶B感光，利用光刻胶A在光刻胶B显影液中的溶解速率大于光刻胶B在光刻胶B显影液中的显影速率的特性形成侧向沟槽，再利用电子束蒸镀沉积二氧化硅，厚度和掩模铬层厚度相等。将掩模浸泡于有机溶剂中去除A、B光刻胶，最后得到平坦化的掩模。该方法可以应用到一体式曝光器件的掩模平坦化工艺中，如Superlens和缩小Hyperlens器件的掩模平坦化工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103399459A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310340709.1
申请日：2013-08-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明提供一种用于制备金属/介质纳米多层膜高质量断面的方法，其步骤为：在基底上制备平面或曲面金属/介质纳米多层膜；在多层膜上旋涂光刻胶，前烘，得到样片；用玻璃刀在样片背面划痕，掰断，得到多层膜粗糙断面；在断口边缘处进行掩模移动曝光；显影、坚膜，得到截面边缘平整的光刻胶掩蔽层；坚膜后的样片放入离子束刻蚀设备中，选择合适的离子束流和角度进行刻蚀；刻蚀后，取出样片，去除样片上剩余的光刻胶，金属/介质纳米多层膜高质量断面制作完成。基于离子束流刻蚀制备金属/介质纳米多层膜断面的方法，能得到边缘整齐、低缺陷的金属/介质纳米多层膜高质量断面。
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公开(公告)号：CN108110404B
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201711334942.3
申请日：2017-12-14
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种大口径平面消色差反射阵天线，包括喇叭馈源、在馈源下方的多层超材料以及在贴于底层超材料的反射层；其中，每层超材料包含介质板以及在介质板正面印刷的非周期性排列的金属谐振单元。利用超材料对入射电磁波的电磁响应可以人工调制的优势，通过优化算法得到在一定频段内满足消色差聚焦时所需要的相位分布，再根据该相位分布利用不同结构的金属谐振单元改变入射的宽带电磁波的响应从而实现宽带连续消色差聚焦。本发明采用了新的超材料结构和相位排布方式，所述天线具有结构简单，口径大，工作带宽大，成本低等优势，而且所述天线对所有极化响应相同，适用于各种极化的电磁波。
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公开(公告)号：CN108110404A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711334942.3
申请日：2017-12-14
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种大口径平面消色差反射阵天线，包括喇叭馈源、在馈源下方的多层超材料以及在贴于底层超材料的反射层；其中，每层超材料包含介质板以及在介质板正面印刷的非周期性排列的金属谐振单元。利用超材料对入射电磁波的电磁响应可以人工调制的优势，通过优化算法得到在一定频段内满足消色差聚焦时所需要的相位分布，再根据该相位分布利用不同结构的金属谐振单元改变入射的宽带电磁波的响应从而实现宽带连续消色差聚焦。本发明采用了新的超材料结构和相位排布方式，所述天线具有结构简单，口径大，工作带宽大，成本低等优势，而且所述天线对所有极化响应相同，适用于各种极化的电磁波。
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公开(公告)号：CN103399459B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201310340709.1
申请日：2013-08-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明提供一种用于制备金属/介质纳米多层膜高质量断面的方法，其步骤为：在基底上制备平面或曲面金属/介质纳米多层膜；在多层膜上旋涂光刻胶，前烘，得到样片；用玻璃刀在样片背面划痕，掰断，得到多层膜粗糙断面；在断口边缘处进行掩模移动曝光；显影、坚膜，得到截面边缘平整的光刻胶掩蔽层；坚膜后的样片放入离子束刻蚀设备中，选择合适的离子束流和角度进行刻蚀；刻蚀后，取出样片，去除样片上剩余的光刻胶，金属/介质纳米多层膜高质量断面制作完成。基于离子束流刻蚀制备金属/介质纳米多层膜断面的方法，能得到边缘整齐、低缺陷的金属/介质纳米多层膜高质量断面。
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公开(公告)号：CN103399461B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201310361799.2
申请日：2013-08-19
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于双层胶技术的掩模平坦化方法，其主要步骤为：在平面或者曲面基底上沉积铬膜层并制备掩模图形，之后在其上先后涂敷光刻胶A和光刻胶B，采用中心波长为365nm的紫外曝光光源从基底的背面入射，使光刻胶B感光，利用光刻胶A在光刻胶B显影液中的溶解速率大于光刻胶B在光刻胶B显影液中的显影速率的特性形成侧向沟槽，再利用电子束蒸镀沉积二氧化硅，厚度和掩模铬层厚度相等。将掩模浸泡于有机溶剂中去除A、B光刻胶，最后得到平坦化的掩模。该方法可以应用到一体式曝光器件的掩模平坦化工艺中，如Superlens和缩小Hyperlens器件的掩模平坦化工艺。
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