公开(公告)号：CN112309842A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201910681759.3

申请日：2019-07-26

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 郭润庆 ,  郭继军 ,  操国宏 ,  李勇 ,  朱为为 ,  王政英 ,  宋胜兰 ,  姚震洋 ,  王东东 ,  吴志华

IPC: H01L21/228 ,  H01L21/42 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供了一种快恢复二极管的制造方法。该方法采用液态硼源涂敷工艺替代硼离子注入工艺，在现有生产线条件下即可实现硼源涂敷及扩散，且液态硼源的成本远低于硼离子注入用靶材，最重要的是避免了价格高昂的离子注入设备投入，显著降低了生产成本及固资投入费用；采用控制精度更高的质子辐照工艺以替换存在污染生产线风险且可控性差、重复性差的掺金/铂工艺，精确控制FRD芯片的少子寿命，提高了器件的参数一致性，同时将FRD的反向恢复软度因子提高到0.7以上，降低了FRD反向恢复峰值电压，进而降低了其工作中所需承受的电应力，提高了FRD的应用长期可靠性。

公开(公告)号：CN112071906A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN202010675829.7

申请日：2020-07-14

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 王东东 ,  操国宏 ,  王政英 ,  姚震洋 ,  高军 ,  银登杰 ,  郭润庆 ,  刘军

IPC: H01L29/74 ,  H01L21/332 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明公开了一种晶闸管芯片及制作方法，其中所述芯片包括，位于阳极P型层之上的N型基区及P型基区；位于所述P型基区上表面内的阴极N型区；位于所述阴极发射N型区之上的阴极金属；位于所述P型基区表面之上放大门极金属及中心门极金属；位于门极阴极金属之间指定厚度的介质薄膜层；及所述阳极P型层之下的阳极金属。本发明无需对成熟的晶闸管设计、工艺更改，不影响晶闸管各参数，能提高耐受di/dt的能力，有利于提升晶闸管性能，延长使用寿命。

公开(公告)号：CN213152022U

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN202021177333.9

申请日：2020-06-22

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 潘学军 ,  曾宏 ,  陈芳林 ,  操国宏 ,  孙永伟 ,  邹平 ,  陈勇民 ,  徐焕新 ,  蒋谊 ,  彭文华

IPC: H03K17/08

Abstract: 本实用新型公开了一种功率半导体器件驱动保护电路，涉及电子电路技术领域，该驱动保护电路包括：驱动模块、启停模块以及保护模块，驱动模块连接在功率半导体器件的门极与阴极之间，启停模块的一端与功率半导体器件的门极连接，启停模块的另一端与保护模块的一端连接，且启停模块的控制端连接触发控制信号，保护模块的另一端与所述功率半导体器件的阴极连接。本实用新型的有益效果是：能够在该启停模块失效后造成的功率半导体器件门阴极短路的情况下，防止功率半导体器件损坏。不仅降低了驱动电路的复杂程度，还节约成本，可广泛应用于功率半导体型器件的驱动电路中。

公开(公告)号：CN220067390U

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202320745516.3

申请日：2023-04-07

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 彭军华 ,  曾文彬 ,  操国宏 ,  张西应 ,  金新亚 ,  刘栋 ,  高超 ,  窦金龙 ,  唐柳生 ,  刘应 ,  张志豪 ,  文鼎

IPC: H03K17/56 ,  H03K17/78

Abstract: 一种智能控制半导体开关触发装置，用于半导体开关组件的触发，涉及脉冲系统控制领域；所述装置包括光电脉冲输出盒、远程操控盒和监控上位机；所述光电脉冲输出盒包括金属屏蔽盒体、触发控制电路板和光电连接器；所述远程操控盒包括操控盒体和光网转换器；所述触发控制电路板具有脉冲电流输出接口，所述脉冲电流输出接口用于连接所述半导体开关组件；工作人员通过监控上位机和光网转换器配合，能够远程监控半导体开关组件的电流工况，并下发调整指令；通过光电连接器和光网转换器配合，实现由单一电流大小来触发半导体开关转变成不同的触发电流宽度、电流大小触发半导体开关。

公开(公告)号：CN212278110U

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：CN202021835129.1

申请日：2020-08-27

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 孙文伟 ,  唐柳生 ,  曾文彬 ,  操国宏 ,  任亚东 ,  石铿 ,  陈本龙 ,  董超 ,  唐豹 ,  刘应 ,  郭金童 ,  王飞

IPC: H02M1/06 ,  H02M1/08 ,  H03K17/72 ,  H05K5/06 ,  H05K5/02 ,  H05K5/03

Abstract: 本申请实施例公开了一种应用于晶闸管的功能模块，功能模块包括绝缘盒和电路板，电路板集成有均压电路、驱动电路和反馈电路；均压电路包括与阳极连接的第一均压端，以及与阴极连接的第二均压端；驱动电路包括与门极连接的驱动端；反馈电路包括与上位机连接以在晶闸管出现故障时发送报警信息的反馈端；绝缘盒包围限制出安装腔，电路板安装于安装腔中，绝缘盒开设有允许第一均压端、第二均压端、驱动端以及反馈端自安装腔露出的开口；绝缘盒在电路板安装于安装腔后填充有灌封胶。如此设计，将驱动功能、均压功能和状态反馈功能集中整合在一个模块中，功能丰富，且具有较好的通用性；另外还具有耐候性广、抗冲击振动能力强以及耐压绝缘性好等优势。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN212659546U

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202021378945.4

申请日：2020-07-14

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 王东东 ,  操国宏 ,  王政英 ,  姚震洋 ,  高军 ,  银登杰 ,  郭润庆 ,  刘军

IPC: H01L29/74 ,  H01L23/373

Abstract: 本实用新型公开了一种晶闸管芯片及制作方法，其中所述芯片包括，位于阳极P型层之上的N型基区及P型基区；位于所述P型基区上表面内的阴极N型区；位于所述阴极发射N型区之上的阴极金属；位于所述P型基区表面之上放大门极金属及中心门极金属；位于门极阴极金属之间指定厚度的介质薄膜层；及所述阳极P型层之下的阳极金属。本实用新型无需对成熟的晶闸管设计、工艺更改，不影响晶闸管各参数，能提高耐受di/dt的能力，有利于提升晶闸管性能，延长使用寿命。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利