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公开(公告)号：CN1992275B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200610148517.0
申请日：2006-11-17
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L29/78 , H01L29/49 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/823857 , H01L21/28044 , H01L21/28088 , H01L21/823842 , H01L29/4925 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/517
Abstract: 提供了一种半导体结构及其制造方法，其中所述结构包括至少一个nFET器件区和至少一个pFET器件区，其中至少一个所述器件是减薄的含Si栅极的器件，而另一个器件是金属栅极的器件。也就是说，本发明提供了一种半导体结构，其中所述nFET或pFET器件的至少一者包括由减薄的含Si电极即多晶硅电极以及上覆的第一金属构成的栅电极叠层，而另一器件包括具有至少所述第一金属栅极但没有所述减薄的含Si电极的栅电极叠层。
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公开(公告)号：CN100477224C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200610143831.X
申请日：2006-11-09
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/092 , H01L29/78 , H01L29/49 , H01L21/8238 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/823842
Abstract: 提供了一种半导体结构，包括至少一个n型场效应晶体管(nFET)和至少一个p型场效应晶体管(pFET)，这两种晶体管分别包括具有nFET特性的金属栅极和具有pFET特性的金属栅极，而不包括上部多晶硅栅极电极。本发明还提供了一种制造所述半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN1992274A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610147073.9
申请日：2006-11-14
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： V·纳拉亚南 , T-C·陈 , J·S·纽伯里 , B·B·多里斯 , B·P·林德 , V·K·帕鲁许里 , A·卡勒伽里 , M·L·斯特恩 , M·P·胡齐克 , J·C·阿诺德 , G·A·布莱里 , M·A·格里伯佑 , 金永希
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L29/78 , H01L29/49 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/823857 , H01L21/823842
Abstract: 本发明涉及互补金属－氧化物－半导体(CMOS)电路，其每个包含至少第一和第二栅极叠层。第一栅极叠层位于半导体衬底中的第一器件区域(例如，n－FET器件区域)上，且从底部至顶部包括至少，栅极介质层、金属栅极导体、和含硅栅极导体。第二栅极叠层位于半导体衬底中的第二器件区域(例如，p－FET器件区域)上，其从底部至顶部包括至少，栅极介质层和含硅栅极导体。第一和第二栅极叠层可以通过本发明各种方法以集成方式形成在半导体衬底上。
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公开(公告)号：CN1992273A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610146589.1
申请日：2006-11-15
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/092 , H01L29/78 , H01L29/51 , H01L21/8238 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/823857 , H01L21/823878 , H01L21/84
Abstract: 提供了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)结构，其包括位于半导体衬底的表面上的至少一个nFET器件区和至少一个pFET器件区。根据本发明，所述nFET和pFET均包括至少单一栅极金属，且所述nFET栅极叠层被设计为具有没有净负电荷的栅极电介质叠层，而所述pFET栅极叠层被设计为具有没有净正电荷的栅极电介质叠层。具体地说，本发明提供一种CMOS结构，其中nFET栅极叠层被设计为包括带边功函数，而pFET栅极叠层被设计为具有1/4间隙功函数。在本发明的一个实施例中，所述第一栅极电介质叠层包括第一高k电介质和包含碱土金属的层或包含稀土金属的层，而所述第二高k栅极电介质叠层包括第二高k电介质。
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公开(公告)号：CN1983599A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610143831.X
申请日：2006-11-09
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/092 , H01L29/78 , H01L29/49 , H01L21/8238 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/823842
Abstract: 提供了一种半导体结构，包括至少一个n型场效应晶体管(nFET)和至少一个p型场效应晶体管(pFET)，这两种晶体管分别包括具有nFET特性的金属栅极和具有pFET特性的金属栅极，而不包括上部多晶硅栅极电极。本发明还提供了一种制造所述半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN102906893B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201180025494.3
申请日：2011-05-10
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L51/0545 , B82Y10/00 , H01L27/283 , H01L51/0012 , H01L51/0048 , H01L51/0525
Abstract: 本发明公开一种形成自对准器件的方法，包括：将纳米碳管(CNT)沉积到晶体介电衬底上；隔离所述晶体介电衬底的包围所述CNT的位置的部分；在维持所述CNT的结构完整性的同时，在所述CNT上形成栅极电介质和栅极电极栅极叠层；以及形成外延源极和漏极区，所述外延源极和漏极区与在所述晶体介电衬底上的所述CNT的从所述栅极电介质和栅极电极栅极叠层暴露的部分接触。
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公开(公告)号：CN103718295A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201280037577.9
申请日：2012-07-30
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/00
CPC classification number: H01L27/0922 , H01L21/823807 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/42364 , H01L29/4966 , H01L29/517
Abstract: 一种结构具有半导体衬底（8）以及置于所述衬底（8）上的nFET和pFET。所述pFET具有形成在半导体衬底（8）的表面上或内的半导体SiGe沟道区、以及具有覆盖在所述沟道区上的氧化物层（20）和覆盖在所述氧化物层（20）上的高k电介质层（30）的栅极电介质。栅极电极覆盖栅极电介质并且具有邻接所述高k层的下金属层（40）、邻接所述下金属层（40）的清除金属层（50）以及邻接所述清除金属层（50）的上金属层（60）。
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公开(公告)号：CN103579319A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310298503.7
申请日：2013-07-16
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/283
CPC classification number: H01L29/4941 , H01L21/28052 , H01L21/28088 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/42356 , H01L21/283 , H01L29/42372
Abstract: 本发明涉及层叠结构、半导体器件及其制造方法。一种集成电路器件包括半导体衬底和位于所述半导体衬底上的栅电极。所述栅电极结构包括位于所述半导体衬底上的由介电材料形成的绝缘层、位于所述绝缘层上的氧阻挡层以及位于所述氧阻挡层上的钨（W）金属层。
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公开(公告)号：CN103403858A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201280011970.0
申请日：2012-02-16
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L29/4966 , H01L21/28088 , H01L23/53266 , H01L29/517 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 层叠结构和半导体器件以及制造层叠结构和半导体器件的方法。该层叠结构包括：基底层，其包括含有氮化钛、氮化钽或它们的组合的材料；导电层，其包括含有氮化钽铝、氮化钛铝、氮化钽硅、氮化钛硅、氮化钽铪、氮化钛铪、氮化铪、碳化铪、碳化钽、氮化钒、氮化铌或它们的任何组合的材料；以及钨层。该半导体器件包括：半导体衬底；基底层；导电层；以及钨层。
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